「Vgs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An output VGS of the transistor Q2 is supplied to the control terminal of the transistor Q3 to momentarily control the turn-OFF state of the transistor Q3 based on every current pulse.例文帳に追加

トランジスタQ2の出力VGSは、トランジスタQ3の制御端子へ供給され、電流パルス毎に基づいてトランジスタQ3のターンオフ瞬間を制御する。 - 特許庁

A gate and a source of the MOS transistor M2 are connected (a constant current connection: VGS 2=0).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートとソースを結線し(定電流結線：ＶGS2＝０）。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPONENT OF EXHAUST GUIDE ASSEMBLY IN VGS-TYPE TURBO CHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける排気ガイドアッセンブリの構成部材の製造方法 - 特許庁

JOINING METHOD FOR COMPONENT OF EXHAUST GUIDE ASSEMBLY IN VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける排気ガイドアッセンブリの構成部材の接合方法 - 特許庁

A drive current IDR corresponding to the voltage VGS is supplied to the light emitting element E.例文帳に追加

電圧ＶGSに応じた駆動電流ＩDRが発光素子Ｅに供給される。 - 特許庁

When the capacitor current Ic1 drops, the transistor Q2 is switched off; and a voltage Vgs between the gate and source of the transistor Q1 falls under a threshold voltage Vgs[th], and a transistor Q1 is switched off.例文帳に追加

コンデンサ電流Ｉc1が低下すると、トランジスタＱ２がオフし、トランジスタＱ１のゲート−ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖgs[th]未満となって、トランジスタＱ１がオフする。 - 特許庁

VARIABLE MECHANISM IN VGS-TYPE TURBOCHARGER AND EMISSION GUIDE ASSEMBLY INSTALLED THEREIN例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける可変機構並びにこれを組み込んだ排気ガイドアッセンブリ - 特許庁

Since a gate-source voltage Vgs becomes "0", a leak current can be reduced.例文帳に追加

ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは「０」となるので、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HEAT RESISTANT MEMBER APPLICABLE FOR EXHAUST GUIDE ASSEMBLY OF VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリに適用可能な耐熱部材を製造する方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF PIN-LIKE COMPONENT OF EXHAUST GUIDE ASSEMBLY IN VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける排気ガイドアッセンブリのピン状構成部材の製造方法 - 特許庁

A reference voltage Vr outputted from an operational amplifier 22 is VDD-VGS (Q13).例文帳に追加

オペアンプ２２が出力する基準電圧ＶｒはＶＤＤ−ＶＧＳ（Ｑ１３） となる。 - 特許庁

VARIABLE MECHANISM AND EXHAUST GAS GUIDE ASSEMBLY HAVING VARIABLE MECHANISM BUILT THEREIN IN VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける可変機構並びにこれを組み込んだ排気ガイドアッセンブリ - 特許庁

Then the graphs are shifted by the amounts Δi, based on the characteristics about the resistance Rtot and voltages Vgs (S5).例文帳に追加

次に、抵抗Ｒｔｏｔと電圧Ｖｇｓとの特性で、上記Δｉだけグラフをシフトさせる。 - 特許庁

According to this arrangement, a FET 34 is turned on to restrict the VGS to 5 V, and the drain current ID is reduced.例文帳に追加

これによりＦＥＴ３４がオンしてＶGSを５Ｖに制限し、ドレイン電流ＩD を低減させる。 - 特許庁

TURBINE FRAME AND EXHAUST GAS GUIDE ASSEMBLY HAVING TURBINE FRAME BUILT THEREIN IN VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおけるタービンフレーム並びにこのタービンフレームを組み込んだ排気ガイドアッセンブリ - 特許庁

EXHAUST GUIDE ASSEMBLY FOR VGS TURBOCHARGER WITH IMPROVED DURABILITY COMPOSED OF SUPERALLOY例文帳に追加

超合金により構成される耐久性を向上させたＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリ - 特許庁

TURBINE FRAME ROTATABLY RETAINING VARIABLE VANE IN EXHAUST GAS GUIDE ASSEMBLY OF VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリにおいて可変翼を回動自在に保持するタービンフレーム - 特許庁

FORM ROLLING METHOD OF SHAFT PART OF VARIABLE BLADE APPLIED TO EXHAUST GUIDE ASSEMBLY IN VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける排気ガイドアッセンブリに適用される可変翼の軸部の転造方法 - 特許庁

A voltage Vin appearing at an input terminal 22a is limited to a gate-source voltage VGS of the MOSFET 33.例文帳に追加

入力端子２２ａの電圧Ｖinは、ＭＯＳＦＥＴ３３のゲート・ソース間電圧ＶGSに制限される。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR VANE PART OF VARIABLE VANE APPLIED TO EXHAUST GUIDE ASSEMBLY IN VGS(VARIABLE GEOMETRY SYSTEM) TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける排気ガイドアッセンブリに適用される可変翼の翼部の製造方法 - 特許庁

A driving current IDR corresponding to the voltage VGS acros the holding capacitor CST is supplied to the light emitting element E.例文帳に追加

保持容量ＣSTの両端間の電圧ＶGSに応じた駆動電流ＩDRが発光素子Ｅに供給される。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR RECEIVER HOLE ROTATABLY RETAINING VARIABLE VANE IN EXHAUST GUIDE ASSEMBLY OF VGS TYPE TURBOCHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリにおいて可変翼を回動自在に保持する受入孔の形成方法 - 特許庁

The drive transistor Trd supplies an output current according to the input voltage Vgs to a light emitting element EL.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒｄは、入力電圧Ｖｇｓに応じた出力電流を発光素子ＥＬに供給する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR VARIABLE VANE IN VGS(VARIABLE GEOMETRY SYSTEM) TYPE TURBOCHARGER AND VARIABLE VANE MANUFACTURED BY SAME METHOD例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける可変翼の製造方法並びにこの方法によって製造された可変翼 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TURBINE FRAME TURNABLY HOLDING VARIABLE BLADE IN EXHAUST GUIDE ASSEMBLY OF VGS- TYPE TURBO CHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリにおいて可変翼を回動自在に保持するタービンフレームの製造方法 - 特許庁

EXHAUST EMISSION GUIDE ASSEMBLY OF VGS TURBOCHARGER CONSTITUTED OF HIGH CHROMIUM AND HIGH NICKEL MATERIAL, AND HAVING IMPROVED DURABILITY例文帳に追加

高クロム高ニッケル材により構成される耐久性を向上させたＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリ - 特許庁

METHOD OF FORMING RECEIVING HOLE FOR ROTATABLY HOLDING VARIABLE BLADE IN EXHAUST GUIDE ASSEMBLY OF VGS TYPE TURBO CHARGER例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリにおいて可変翼を回動自在に保持する受入孔の形成方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING VARIABLE BLADE IN VGS TYPE TURBOCHARGER AND VARIABLE BLADE MANUFACTURED BY THIS METHOD例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける可変翼の製造方法並びにこの方法によって製造された可変翼 - 特許庁

A TFT gate voltage to drain current property (Vgs-Id property) of pixels of the prescribed numbers on a panel is measured, an average pixel property is approximated by a function of a power such as Id=(a(Vgs-b))^c, (S1-S3).例文帳に追加

パネル上の所定数の画素のＴＦＴのゲート電圧対ドレイン電流特性（Ｖｇｓ‐Ｉｄ特性）を測定し、平均的な画素の特性をＩｄ＝（ａ（Ｖｇｓ−ｂ））^ｃというべき乗の関数で近似する（Ｓ１〜Ｓ３）。 - 特許庁

Since transistors Q11, Q13 are formed to be the same size and thermally coupled closely to each other, the VGS (Q11) stays equal to the VGS (Q13) independently of a temperature change and the clamp voltage VCL is always kept equal to a VDD.例文帳に追加

トランジスタＱ１１とＱ１３は同サイズに形成され温度的に密に結合されているので、温度変化にかかわらずＶＧＳ（Ｑ１１） とＶＧＳ（Ｑ１３） とが等しくなり、クランプ電圧ＶＣＬは常にＶＤＤに等しくなる。 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF SHAFT END PART OF VARIABLE BLADE IN VGS TYPE TURBOCHARGER AND VARIABLE BLADE PROCESSED BY THIS METHOD例文帳に追加

ＶＧＳタイプターボチャージャにおける可変翼の軸端部の処理方法並びにこの方法によって処理された可変翼 - 特許庁

The write transistor is made non-conductive, after the gate-source potential Vgs converged to the threshold voltage Vth.例文帳に追加

そして、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに収束したら、書き込みトランジスタを非導通状態にする。 - 特許庁

The drive transistor (Trd) supplies an output current in accordance with the input voltage (Vgs) to a light emitting element (EL).例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒｄは、入力電圧Ｖｇｓに応じた出力電流を発光素子ＥＬに供給する。 - 特許庁

In order to compensate the loss of the input voltage Vgs generated by the negative feedback, a coupling capacity Cc to previously add the topping up to the input voltage Vgs by gate coupling of a switching transistor Tr 2 to a pixel capacity Cs is provided.例文帳に追加

この負帰還により生じる入力電圧Ｖｇｓの損失を補うため、あらかじめ入力電圧Ｖｇｓに対する上乗せ分をスイッチングトランジスタＴｒ２のゲートカップリングにより画素容量Ｃｓに加える結合容量Ｃｃを備えている。 - 特許庁

In a compensation period PCP, a voltage VGS between both ends of the holding capacitor C1 is gradually approximated to the threshold voltage VTH of the drive transistor TDR.例文帳に追加

補償期間ＰCPでは、保持容量Ｃ1の両端間の電圧ＶGSを駆動トランジスタＴDRの閾値電圧ＶTHに漸近させる。 - 特許庁

At a light load, Vgs does not reach Vth, and the switch 14 for synchronous rectification is switched off without fail, so overshoot does not arise.例文帳に追加

軽負荷時は、ＶｇｓがＶｔｈに達せず、同期整流用スイッチ１４は確実にオフするため、オーバーシュートは生じない。 - 特許庁

The driving transistor Trd supplies an output current Ids corresponding to an input voltage Vgs to the light emitting element EL.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒｄは、入力電圧Ｖｇｓに応じた出力電流Ｉｄｓを発光素子ＥＬに供給する。 - 特許庁

When the voltage Vgs to be applied to a resistor 18 gets over threshold Vth, a switch element 14 for synchronous rectification becomes ON and a current Id flows, and when Vgs becomes smaller than Vth, the switch element 14 for synchronous rectification becomes OFF and the current Id ceases to flow.例文帳に追加

抵抗器１８に印加される電圧Ｖｇｓが閾値Ｖｔｈ以上になれば、同期整流用スイッチ素子１４がオンして電流Ｉｄが流れ、ＶｇｓがＶｔｈより小さくなると、同期整流用スイッチ素子１４がオフして電流Ｉｄが流れなくなる。 - 特許庁

The pixel capacitor (Cs) applies input voltage (Vgs) to the gate (G) of a drive transistor (Trd) in response to the sampled video signal.例文帳に追加

画素容量Ｃｓは、サンプリングされた映像信号に応じてドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧに入力電圧Ｖｇｓを印加する。 - 特許庁

The pixel capacitor Cs applies an input voltage Vgs to the gate of a drive transistor Trd according to the sampled video signal.例文帳に追加

画素容量Ｃｓは、サンプリングされた映像信号に応じてドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧに入力電圧Ｖｇｓを印加する。 - 特許庁

At this time, the Vgs of the MP5 is controlled not to exceed the Vdd, so the MP 5 is prevented from changing in characteristic or having an element broken.例文帳に追加

このとき、ＭＰ５のＶｇｓはＶｄｄを超えないように制御されるので、ＭＰ５の特性変化や素子破壊が防止される。 - 特許庁

Since threshold voltages of the transistors T3, T4 tend to be the same, the VGS(T3) can fall to VTH(T3) to turn off the transistor T4.例文帳に追加

トランジスタＴ３、Ｔ４のしきい値電圧は一致する傾向があるので、ＶGS(T3)がＶTH(T3)に低下した時点でトランジスタＴ４をオフできる。 - 特許庁

The initial value of the potential difference VGS between a gate and a source of a switching transistor upon a verify process is varied in accordance with the resistance value level of the multi-value information.例文帳に追加

スイッチングトランジスタのゲート・ソース間の電位差ＶＧＳのベリファイ時の初期値を、多値情報の抵抗値レベルに応じて異なる値とする。 - 特許庁

When a transmission output in the first operation mode is reduced, a DC bias voltage Vgs 2 supplied to a transistor Qn2 in the final stage is reduced.例文帳に追加

第１動作モードの送信出力が低下する際に、最終段トランジスタＱn2に供給される直流バイアス電圧Ｖgs2が低下される。 - 特許庁

EXHAUST GUIDE ASSEMBLY FOR VGS TURBOCHARGER WITH IMPROVED DURABILITY COMPOSED OF HEAT RESISTING MEMBER WITH INCREASED CARBON SOLID SOLUBILITY AT HIGH TEMPERATURE例文帳に追加

高温での炭素固溶限を増大させた耐熱部材により構成される耐久性を向上させたＶＧＳタイプターボチャージャの排気ガイドアッセンブリ - 特許庁