「AlN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A nitride semiconductor element 40 includes a low-temperature deposition buffer layer 42 containing AlN on a substrate 41, a first nitride semiconductor single-crystal layer 43 containing the AlN with a first AlN molar fraction, and a second nitride semiconductor single-crystal layer 44 which contains the AlN with a second AlN molar fraction, and the second molar fraction is larger than the first one.例文帳に追加

本発明の窒化物半導素子（４０）は、基板（４１）上にAlNを含む低温堆積緩衝層（４２）と第一のAlNモル分率でAlNを含む第一の窒化物半導体単結晶層（４３）と第二のAlNモル分率でAlNを含む第二の窒化物半導体単結晶層（４４）とを含み、第二のAlNモル分率が第一のAlNモル分率より大きい。 - 特許庁

AlN SINTERED COMPACT AND AlN CIRCUIT SUBSTRATE USING IT例文帳に追加

ＡｌＮ焼結体およびこれを用いたＡｌＮ回路基板 - 特許庁

A hexagonal single crystal material comprises AlN, SiC, GaN or ZnO.例文帳に追加

六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF AlN CRYSTAL SUBSTRATE, GROWING METHOD OF AlN CRYSTAL AND AlN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌＮ結晶基板の製造方法、ＡｌＮ結晶の成長方法およびＡｌＮ結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlN SINGLE CRYSTAL AND AlN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の成長方法およびＡｌＮ単結晶 - 特許庁

PROCESS FOR PREPARING AlN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の製造方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR ALN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の製造方法 - 特許庁

A mask layer is formed on a substrate, an AlN layer is formed to cover the mask layer, and the AlN layer is lifted off by the use of a solution that is capable of etching the mask layer.例文帳に追加

また、基板上にマスク層を形成し、それを覆うようにAlN 層を形成した後、前記マスク層をエッチングできる溶液を用いてAlN 層をリフトオフする。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlN CRYSTAL, AlN CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の成長方法、ＡｌＮ結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

An undoped AlN layer, an n-type AlN layer and a p-type AlN layer are epitaxially grown on a semiconductor or insulator substrate, thereby forming an AlN pn joint.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、ＡｌＮのｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

An AlN high-quality buffer on the sapphire substrate has an AlN nucleation layer 3, a pulse supply AlN layer 5, and a continuous growth AlN layer 7.例文帳に追加

サファイア基板上のＡｌＮ高品質バッファは、ＡｌＮ核形成層３と、パルス供給ＡｌＮ層５と、連続成長ＡｌＮ層７とを有している。 - 特許庁

The metal nitride is preferably composed of one or more kinds selected from TiN, AlN and Si_3N_4.例文帳に追加

金属窒化物は、TiN、AlN、Si_３N_４のうちの１種以上とすることが好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING AlN SINGLE CRYSTAL FILM例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶膜の形成方法 - 特許庁

To provide a thin film of AlN which is flat and thin, and a process for producing the thin film of AlN.例文帳に追加

平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING AlN SINGLE CRYSTAL FILM例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶膜の作製方法 - 特許庁

SURFACE PROCESSING METHOD OF AlN CRYSTAL, AlN CRYSTAL SUBSTRATE THE AlN CRYSTAL SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の表面処理方法、ＡｌＮ結晶基板、エピタキシャル層付ＡｌＮ結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

A method for enhancing wear resistance comprises adding Fe3P, AlN, CBN, TiC, Al2O3, AlN, NiB, and/or SiC of 10 mass parts or less, against a phosphor bronze alloy of 100 mass parts, as a hard substance.例文帳に追加

リン青銅合金の１００質量部に対して硬質物として１０質量部以下のＦｅ_3Ｐ，AlN，CBN，TiC，Al_2O_3，AlN，NiB，及び／またはSiCを含有させて耐摩耗性を高める。 - 特許庁

To provide a method for growing an AlN crystal whereby a large AlN crystal can be obtained, an AlN crystal substrate and a semiconductor device containing the AlN crystal substrate.例文帳に追加

大型のＡｌＮ結晶が得られるＡｌＮ結晶の成長方法、ＡｌＮ結晶基板およびＡｌＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ALUMINUM NITRIDE (ALN) SUBSTRATE例文帳に追加

窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の製造方法 - 特許庁

AlN SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＡｌＮ半導体及びその製造方法 - 特許庁

AlN CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING THE SAME例文帳に追加

ＡｌＮ結晶およびその成長方法 - 特許庁

Next, an electrode circuit paste is printed and burned to the rear side of this AlN substrate (S2), (S3).例文帳に追加

次に、このAlN基板の裏側に電極回路ペーストを印刷、焼成する（Ｓ２）、（Ｓ３）。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING LOW-RESISTANCE AlN THIN FILM例文帳に追加

低抵抗性ＡｌＮ薄膜の製造方法 - 特許庁

AlN SUBSTRATE AND CLEANING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＡｌＮ基板とＡｌＮ基板の洗浄方法 - 特許庁

METALLIZED AlN SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

ＡｌＮメタライズ基板およびその製造方法 - 特許庁

To grow an AlN single crystal on an AlN seed crystal without generating polycrystallization.例文帳に追加

ＡｌＮ種結晶上にＡｌＮ単結晶を、多結晶化を発生させることなく、成長させる。 - 特許庁

An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C.例文帳に追加

（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

An AlN epitaxial layer 15 is provided on the n surface area of the AlN support body 13.例文帳に追加

ＡｌＮエピタキシャル層１５は、ＡｌＮ支持基体１３のＮ面エリア上に設けられている。 - 特許庁

AlN BULK SINGLE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF PRODUCING AlN SINGLE CRYSTAL BULK例文帳に追加

ＡｌＮバルク単結晶及び半導体デバイス並びにＡｌＮ単結晶バルクの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF AlN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING AlN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の表面平坦化方法およびＡｌＮ単結晶基板の作製方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING AlN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING AlN SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC VIBRATOR例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法 - 特許庁

AlN is preferably used as nitride.例文帳に追加

窒化物としてはＡｌＮが好適に用いられる。 - 特許庁

AlN SINTERED COMPACT AND SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ＡｌＮ焼結体及び電子装置用基板 - 特許庁

AlN METALLIZED SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＡｌＮメタライズ基板およびその製造方法 - 特許庁

n-TYPE ALN CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型ＡｌＮ結晶及びその製造方法 - 特許庁

PRODUCTION OF AlN-SiC SOLID SOLUTION POWDER例文帳に追加

ＡｌＮ−ＳｉＣ固溶体粉末の製造方法 - 特許庁

The AlN metallized substrate comprises an AlN substrate, a metallizing layer formed on the surface of the AlN substrate, and a plating layer formed on the metallizing layer.例文帳に追加

ＡｌＮメタライズ基板は、ＡｌＮ基板と、ＡｌＮ基板表面に設けられたメタライズ層と、メタライズ層上に設けられためっき層とを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an AlN substrate for improving the yield of an AlN substrate with an off-angle on the surface controlled, and to provide an AlN substrate.例文帳に追加

表面のオフ角を制御したＡｌＮ基板を歩留まりを向上して製造するＡｌＮ基板の製造方法およびＡｌＮ基板を提供する。 - 特許庁

Moreover, there are provided the AlN crystal 8 obtained by the method, the AlN crystal substrate, and a semiconductor device manufactured by using the AlN crystal substrate.例文帳に追加

また、その方法により得られるＡｌＮ結晶８、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスである。 - 特許庁

On the continuous growth AlN layer 7, at least one pair of a pulse supply AlN layer 11 and a continuous growth AlN layer 15 are formed.例文帳に追加

連続成長ＡｌＮ層７上には、パルス供給ＡｌＮ層１１と連続成長ＡｌＮ層１５との組が少なくとも１組形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an AlN crystal substrate which can manufacture an AlN crystal substrate having a large size and high quality, a growing method of AlN crystal which can grow AlN crystal having large size and high quality, and an AlN crystal substrate which is composed of AlN crystal that is grown by the growing method.例文帳に追加

大型で高品質なＡｌＮ結晶基板を製造することができるＡｌＮ結晶基板の製造方法、大型で高品質なＡｌＮ結晶を成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法およびその成長方法により成長したＡｌＮ結晶からなるＡｌＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁

In an alternative method for growing the AlN crystal, the AlN crystal 2 is grown through the sublimation method by using a second AlN seed crystal 1 as a seed crystal, wherein the second AlN seed crystal 1 is at least a portion of the AlN crystal 2 obtained through the method for growing the AlN crystal.例文帳に追加

また、種結晶として、上記のＡｌＮ結晶の成長方法により得られたＡｌＮ結晶２の少なくとも一部である第２のＡｌＮ種結晶１を準備し、この第２のＡｌＮ種結晶１を用いて昇華法によりＡｌＮ結晶２を成長させるＡｌＮ結晶の成長方法。 - 特許庁

METHOD OF FORMING AlN-BASED GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND AlN-BASED GROUP III NITRIDE THICK FILM例文帳に追加

ＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物結晶の作製方法およびＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物厚膜 - 特許庁

The ultraviolet phosphor thin film 4 has a buffer layer 5 of AlN, a GdN layer 6, and a protective layer 7 of AlN.例文帳に追加

紫外蛍光薄膜４は、ＡlＮのバッファ層５、ＧｄＮ層６、ＡlＮの保護層７を有している。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁