「BPD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The buried photodiode BPD as seen from above has a comb form, wherein one part 20 is branched into an array of a plurality of branch parts 22, and the electrodes 16 of the MOS diodes 18 as seen from above are arranged to interdigitate with the plurality of branch parts 22 of the buried photodiode BPD.例文帳に追加

埋め込みフォトダイオードＢＰＤは、上面から見たとき、１つの部位２０から複数の枝分かれ部位２２に分岐配列されたくし歯形状を有し、ＭＯＳダイオード１８の各電極１６は、上面から見たとき、埋め込みフォトダイオードＢＰＤにおける複数の枝分かれ部位２２間にそれぞれ入れ子状に配置されている。 - 特許庁

An obstacle DB6 stores obstacle position information BPD of an obstacle BR becoming the obstacle of movement of the vehicle CR in a prescribed region including the disaster point DP.例文帳に追加

災害点ＤＰを内包する所定領域で車両ＣＲの移動の障害となる障害物ＢＲの障害物位置情報ＢＰＤを障害物ＤＢ６が記憶する。 - 特許庁

An operation control part 5 generates the shortest route SR from position information CPD of the plurality of vehicles to disaster point position information DPD by avoiding obstacle position information BPD.例文帳に追加

障害物位置情報ＢＰＤを回避して複数の車両位置情報ＣＰＤから災害点位置情報ＤＰＤまでの最短ルートＳＲを演算制御部５が生成する。 - 特許庁

Further, by simultaneously displaying the statistical average and deviation graph of the CRL and a BPD and moving the gestational age so as to minimize the difference, the correction of a further accurate gestational age is easily performed.例文帳に追加

さらに、ＣＲＬとＢＰＤの統計的平均と偏差グラフを同時に表示し差が最小になるように妊娠周数を移動することで、さらに正確な妊娠周数の修正が容易にできる。 - 特許庁

Consequently, the occurrence of leak caused by BPD can be suppressed at a PN junction formed between an n-type drift layer 2 and the lower layer portion 3a of a p-type base region 3, i.e. a PN junction requiring a high voltage holding function.例文帳に追加

これにより、ｎ型ドリフト層２とｐ型ベース領域３の下層部３ａとの間に形成されるＰＮ接合部、つまり高電圧を保持する機能が要求されるＰＮ接合部において、ＢＰＤ起因のリークが発生することを抑制することが可能となる。 - 特許庁

A first photoelectric conversion element 10A detecting light and converting the light to photoelectrons has: one buried photodiode BPD formed on a semiconductor substrate 12; and a plurality of MOS diodes 18 having electrodes 16 formed on the semiconductor substrate 12 through an insulator.例文帳に追加

光を検知して光電子に変換する第１光電変換素子１０Ａは、半導体基体１２に形成された１つの埋め込みフォトダイオードＢＰＤと、半導体基体１２上に絶縁体を介して形成された電極１６を有する複数のＭＯＳダイオード１８とを有する。 - 特許庁