例文 (4件) |
Ceric nitrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
The etching solution contains anmonium ceric nitrate of 16 to 30 wt.% and nitric acid of 2 to <5 wt.%.例文帳に追加
硝酸第2セリウムアンモニウムの16重量%〜30重量%と、硝酸の2重量%以上5重量%未満を含有することを特徴とするエッチング液。 - 特許庁
The etching solution for the Ni-based thin film formed on a lath substrate comprises ceric ammonium nitrate of 8-12 wt.% and perchloric acid of 5-10 wt.% added to an aqueous medium.例文帳に追加
硝酸第2セリウムアンモニウム8〜12重量%と、過塩素酸5〜10重量%とを水性媒体中に含有することを特徴とする、ガラス基板上に形成されたニッケル系薄膜用エッチング液。 - 特許庁
The etchant for conductive films is characterized in that it contains at least ceric ammonium nitrate; an etching agent (a) for conductive film having at least one selected from the group consisting of perchloric acid, nitric acid and acetic acid; and a compound (b) represented by general formula (1): (Rf1SO_2)(Rf2SO_2)NX.例文帳に追加
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも1種とを有する導電膜用エッチング剤(a)と、下記の一般式(1)で表される化合物(b)とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。 - 特許庁
The etching solution used for the manufacture of the BM contains: at least 15-20 mass% ceric ammonium nitrate (a); 1-8 mass% one or both of nitric acid (b) and perchloric acid (c); and 0.01-0.1 mass% compound (d) expressed by general formula (1).例文帳に追加
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウム(a)を15〜20質量%と、硝酸(b)および過塩素酸(c)のいずれか一方、または両方を1〜8質量%と、一般式(1)で表される化合物(d)を0.01〜0.1質量%とを含有することを特徴とするブラックマトリックスの製造に使用されるエッチング液。 - 特許庁
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