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「FET1」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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FET1を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 81



例文

In addition, both terminals of the inductance element 6 are connected to sides, on one side, of two switching elements FET1, FET2, and sides, on the other side, of the switching elements FET1, FET2 are grounded, Then, a logic part alternately changes over the continuity of the two switching elements FET1, FET2.例文帳に追加

さらに、インダクタンス素子6の両端子が、2つのスイッチング素子FET1,FET2の各一方側に接続され、スイッチング素子FET1,FET2の各他方側が接地される。 - 特許庁

Consequently, the transistor FET1 has a reference threshold voltage Vto.例文帳に追加

よってトランジスタFET1は基準しきい値電圧Vtoを有する。 - 特許庁

The gate terminals of the field effect transistors FET1, 2 are grounded through respective resistors.例文帳に追加

FET1,2のゲート端子はそれぞれ抵抗を介して接地される。 - 特許庁

The switch part is conducted before the high side nch transistor FET1 is conducted, and become nonconductive synchronously with conduction of the high side nch transistor FET1.例文帳に追加

スイッチ部は、ハイサイドnchトランジスタFET1の導通に先立ち導通し、ハイサイドnchトランジスタFET1の導通に同期して非導通となる。 - 特許庁

例文

The semiconductor device comprises a first through switch FET1, a first shunt switch FET1, a second through switch FET2, and a second shunt switch FET2.例文帳に追加

半導体素子は、第1のスルースイッチFET1と、第1のシャントスイッチFET1と、第2のスルースイッチFET2と、第2のシャントスイッチFET2と、を有する。 - 特許庁


例文

The first shunt switch FET1 is connected to the first high frequency terminal RF1.例文帳に追加

第1のシャントスイッチFET1は、第1の高周波端子RF1に接続される。 - 特許庁

Therefore, when a control signal fc is at a low level, the FET1 can be set to an OFF state.例文帳に追加

このため、制御信号fcがローレベルの時、FET1をオフ状態に設定できる。 - 特許庁

A switch circuit 3 is composed of two field effect transistors FET1 and FET2.例文帳に追加

スイッチ回路部3を2つの電界効果トランジスタFET1,FET2によって構成する。 - 特許庁

Diodes D1, D2 are connected in parallel with the MOS TRs FET1, FET2.例文帳に追加

該MOSトランジスタFET1、FET2に並列にダイオードD1、D2が接続される。 - 特許庁

例文

When a negative potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a positive potential is applied to the source of the FET1, the second current path is conducted and the first current path is interrupted to drive the gate of the FET1 which is thereby conducted thus conducting the rectification current path.例文帳に追加

FET1のドレインとトランジスタQ2のコレクタに負電位が印加され、FET1のソースに正電位が印加されるとき、第2の電流路が導通されることにより、第1の電流路は遮断され、FET1のゲートを駆動し、FET1を導通させ整流電流路を導通する。 - 特許庁

例文

When a positive potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a negative potential is applied to the source of the FET1, the second current path is interrupted and the first current path is conducted to drive the gate of the FET1 which is thereby interrupted thus interrupting the rectification current path.例文帳に追加

FET1のドレインとトランジスタQ2のコレクタに正電位が印加され、FET1のソースに負電位が印加されるとき、第2の電流路が遮断されることにより、第1の電流路は導通され、FET1のゲートを駆動し、FET1を遮断させ整流電流路を遮断する。 - 特許庁

The inverse class-F amplifier circuit includes an FET1 and an output load circuit 2.例文帳に追加

本発明の逆F級増幅回路は、FET1と、出力負荷回路2とを備えている。 - 特許庁

The transistor FET1 is turned on in response to input of a high level delay signal FP.例文帳に追加

ハイレベルの遅延信号FPが入力されることに応じてトランジスタFET1はターンオンされる。 - 特許庁

Consequently, the transistor FET1 has a threshold voltage higher than the reference threshold voltage Vto.例文帳に追加

よってトランジスタFET1は、基準しきい値電圧Vtoよりも高いしきい値電圧を有する。 - 特許庁

Drains of a first FET1 and a second FET2 are connected to a first output terminal Out1.例文帳に追加

第1FET1及び第2FET2は、ドレインを第1出力端子Out1に接続される。 - 特許庁

To provide a protection circuit for preventing degradation or damage of an FET1.例文帳に追加

本発明は、FET1の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a switching signal is applied to both gates G of the MOS TRs FET1, FET2, the MOS TRs FET1, FET2 are conductive and the other terminals T4, T4 of the secondary side terminal pairs of the baluns BT1, BT2 are conductive through ground connected to the MOS TRs FET1, FET2.例文帳に追加

MOSトランジスタFET1、FET2の両方のゲートGには、切換信号が印加されると、MOSトランジスタFET1、FET2がオンとなり、バランBT1、BT2の2次側の端子対の他方側T4、T4同士が、MOSトランジスタFET1、FET2に接続されたグラウンドを介して導通する。 - 特許庁

A transistor FET1 is provided between the DC power supply and a negative-side terminal of the electrolytic capacitor C1.例文帳に追加

直流電源と電解コンデンサC1の負側端子との間にトランジスタFET1が設けられる。 - 特許庁

A switching duty control circuit 14G controls an on-duty of a transistor FET1 in accordance with an output voltage.例文帳に追加

スイッチングデューティ制御回路14Gは、出力電圧に応じて、トランジスタFET1のオンデューティを制御する。 - 特許庁

This circuit has a transistor FET1 for signal-processing and a bias-adjusting circuit 1, which adjusts its bias voltage.例文帳に追加

信号処理用トランジスタFET1と、そのバイアス電圧を調整するバイアス調整回路1とを有する。 - 特許庁

When the voltage on the negative power supply starts falling, the electronic switch 21 turns off, and the drain voltage 7 of the FET1 turns to an off-level.例文帳に追加

−電源が下がり始めると電子スイッチ21はOFFとなりFET1のドレイン電圧7はOFFとなる。 - 特許庁

A capacitor C2 is charged by a series circuit comprising a starting resistor R1 and a field effect transistor FET1.例文帳に追加

起動抵抗R1及び電界効果トランジスタFET1の直列回路によって、コンデンサC2を充電する。 - 特許庁

The other terminals T4 of the secondary side terminal pairs are connected respectively to MOS transistors(TRs) FET1, FET2.例文帳に追加

2次側の端子対のうち、他方の端子T4は、それぞれMOSトランジスタFET1、FET2に接続される。 - 特許庁

A semi-conductor switch 100 for the capacitor CS for the correction for correcting an electrostatic capacity of an LC resonance circuit is constituted of an N-channel MOS type FET1, and a gate of the FET1 is connected to an anode of a diode D1.例文帳に追加

LC共振回路の静電容量を補正するための補正用コンデンサC_Sに対する半導体スイッチ100をNチャネルMOS形FET1により構成し、このFET1のゲートを、ダイオードD1のアノードに接続する。 - 特許庁

The first through switch FET1 is connected between a common terminal ANT and a first high frequency terminal RF1.例文帳に追加

第1のスルースイッチFET1は、共通端子ANTと第1の高周波端子RF1との間に接続される。 - 特許庁

In addition, since the FET1 and the FET2 are turned on and off at a high frequency, the capacity of the capacitor C2 can be reduced.例文帳に追加

しかも、高周波でFET1とFET2をオン/オフさせているため、コンデンサC2の容量も小さくて済む。 - 特許庁

A power supply control circuit 17 controls power supply to transistors FET1 and FET2 on the basis of the control clock signal PCK.例文帳に追加

導通制御回路17は、制御クロック信号PCKに基づいてトランジスタFET1およびFET2を導通制御する。 - 特許庁

The transistors FET1, FET2 are controlled to an ON-state when switching the relay 10 from an OFF-state to an ON-state.例文帳に追加

トランジスタFET1、FET2は、リレー10をオフ状態からオン状態に切り替えるときにオン状態に制御される。 - 特許庁

An MOS transistor FET1 is temporarily made conductive during the period when the insulating gate type bipolar transistor IGBT1 is off (off time).例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT1がオフする時間(オフ時間)内にMOSトランジスタFET1を一時的に導通させる。 - 特許庁

When the negative power supply 4 rises to a specified value, the electronic switch 21 turns on, and the positive power supply 3 is applied to a drain of an FET1.例文帳に追加

−電源4が規定値まで立ち上がると電子スイッチ21はONとなりFET1のドレインに+電源3が印加される。 - 特許庁

Thereafter, when a charger (500) is connected between the external connecting terminals (101, 102), a discharge control switch (FET1) is immediately turned ON.例文帳に追加

その後に外部接続端子(101,102)間に充電器(500)を接続すると、放電制御スイッチ(FET1)を直ちにオンする。 - 特許庁

A transistor TR2 makes the field effect transistor FET1 turn to an off state, based on voltage generated on both ends of the resistor R4.例文帳に追加

トランジスタTR2は、抵抗R4の両端に発生した電圧に基づいて、電界効果トランジスタFET1をオフ状態にさせる。 - 特許庁

A back gate voltage Vsb is outputted from a back gate voltage generation circuit VBGN and inputted to the back gate of a transistor FET1.例文帳に追加

バックゲート電圧生成回路VBGNからはバックゲート電圧Vsbが出力され、トランジスタFET1のバックゲートに入力される。 - 特許庁

There are an amplification circuit 10 having a first active element FET1 that allows a high-frequency signal to be subjected to power amplification, and a constant-current circuit 11 having a PNP transistor 2 that is a second active element for applying negative feedback to allow a constant current to flow between the drain and source of the FET1.例文帳に追加

高周波信号を電力増幅する第1の能動素子であるFET1を備えた増幅回路10と、FET1のドレイン−ソース間に定電流を流すように負帰還をかける第2の能動素子であるPNPトランジスタ2を備えた定電流回路11とを備える。 - 特許庁

If the MOS transistor FET1 is temporarily made conductive, a part of the current I1 is permitted to take a roundabout route of the MOSFET1.例文帳に追加

MOSトランジスタFET1を一時的に導通させると電流I1の一部の電流をMOSFET1にバイパスさせることができる。 - 特許庁

An ECU 102 changes a duty ratio of an electric field effect transistor FET1 based on this arithmetic operation result, and also returns its duty ratio to the original duty ratio.例文帳に追加

ECU102では、この演算結果に基づき電界効果トランジスタFET1のデューティ比を変化させ、また、元のデューティ比に戻す。 - 特許庁

When a high level output signal Vo1 is inputted to the reset input terminal R of a flip-flop FF, a transistor FET1 is turned off.例文帳に追加

フリップフロップFFのリセット入力端子Rにハイレベルの出力信号Vo1が入力されると、トランジスタFET1はターンオフされる。 - 特許庁

Then high speed switching is performed for a voltage supplied from the DC power supply 7 to the capacitor C1 by ON/OFF control of FET1 and FET2.例文帳に追加

このとき、DC電源7からコンデンサC1に供給される電圧を、FET1,FET2のON/OFF制御により高速スイッチングする。 - 特許庁

A conduction control circuit 17G controls transistors FET1 and FET2 depending on the reference clock signal RCK or the control clock signal PCK.例文帳に追加

導通制御回路17Gは、基準クロック信号RCKまたは制御クロック信号PCKに応じてトランジスタFET1、FET2を制御する。 - 特許庁

A phase characteristic and a distortion characteristic of the amplifier at an output level are improved by compensating the characteristic of the FET1 according to the characteristic above.例文帳に追加

この特性によりFET1の特性を補償させることで、ある出力レベルにおける増幅器の位相特性及び歪特性を改善させる。 - 特許庁

Drains D of the MOS TRs FET1, FET2 are connected to the secondary terminals T4 of the baluns BT1, BT2 and the sources S are connected to group.例文帳に追加

MOSトランジスタFET1、FET2のドレインDがバランBT1、BT2の前記2次側の端子T4に接続され、ソースSが接地される。 - 特許庁

When the voltage value of the output voltage signal VIL reaches the error amplification signal V1 (a region E1), the main transistor FET1 is turned off.例文帳に追加

一方、出力電圧信号VILの電圧値が、誤差増幅信号V1に到達すると(領域E1)、メイントランジスタFET1が非導通状態とされる。 - 特許庁

A driver 22 alternately turns on and off FET1 and FET2 at a high frequency, and thereby transfers electric charge stored in a capacitor C3 to a capacitor C2.例文帳に追加

ドライバ22はFET1とFET2を高周波で交互にオン/オフさせることにより、コンデンサC3に蓄積された電荷をコンデンサC2に転送する。 - 特許庁

A voltage monitor part 108a monitors the voltages of an output terminal of a negative voltage generation part 103 and a drain terminal and a source terminal of an FET1 109a.例文帳に追加

電圧監視部108aが、負電圧発生部103の出力端子と、FET1 109aのドレイン端子およびソース端子の電圧をモニターする。 - 特許庁

An A-phase motor relay of a three-phase motor is excited, and switching elements FET1-FET6 of a motor drive circuit are forcedly driven at a specific duty ratio for the initial diagnosis (P1-P3).例文帳に追加

3相モータのA相モータリレーを励磁し、モータ駆動回路のスイッチング素子FET1 〜FET6 を初期診断用の特定デューテイ比で強制駆動する(P1〜P3)。 - 特許庁

The control circuit 8 turns on and off a field effect transistor FET1 of the chopper circuit 3 when the high signal (5 V) is being output from the AND circuit 7.例文帳に追加

制御回路8は、アンド回路7よりHigh信号(5V)が出力されていると、チョッパ回路3の電界効果トランジスタFET1をオンオフ動作させる。 - 特許庁

In response to the output voltage Vout becoming lower than the regulated reference voltage Vr', the voltage comparator COMP1 brings a transistor FET1 into conduction.例文帳に追加

電圧比較器COMP1は、調整基準電圧Vr’よりも出力電圧Voutが小さくなることに応じて、トランジスタFET1を導通状態とする。 - 特許庁

The NMOS transistor FET3 is made non-conducting, when the main NMOS transistor FET 1 is conducting, and is made conducting, when the main NMOS transistor FET1 is non-conducting.例文帳に追加

NMOSトランジスタFET3は、メインNMOSトランジスタFET1が導通の際に非導通にされ、メインNMOSトランジスタFET1が非導通の際に導通にされる。 - 特許庁

An output current from an FET1 is converted into voltage by a resistor R1 and the voltage is fed back to the gate terminals of the FET1 and an FET2 through a source follower circuit consisting of the level shift circuits of n cascade connection diodes D1 to Dn and an FET4 and an output current is extracted from the drain terminal of the FET2.例文帳に追加

FET1の出力電流を抵抗Rlにより電圧変換し、その電圧をFET3、n個の縦続接続ダイオードD1〜Dnのレベルシフト回路、およびFET4からなるソースフォロア回路を介して、FET1およびFET2のゲート端子にフィードバックし、FET2のドレイン端子から出力電流を取り出す。 - 特許庁

例文

Next, an FET1 is turned on, a voltage decided by a power source voltage Vcc and resistors R3 and R4 is applied on the output part of a charge pump part 101, the rotation of the scanner motor is started.例文帳に追加

次に、FET1がONされ、チャージポンプ部101の出力部に電源電圧Vccと抵抗R3,R4で決定される電圧が加わり、スキャナモータが回転を開始する。 - 特許庁




  
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