「FFP」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a nitride semiconductor laser device whose vertical FFP shape is improved.例文帳に追加

垂直ＦＦＰ形状を改善した窒化物半導体レーザ装置を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device in which an excellent FFP (Far-Field Pattern) can be obtained.例文帳に追加

良好なＦＦＰを得ることが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device where both NFP and FFP have a uniform distribution of light intensity.例文帳に追加

ＮＦＰやＦＦＰの光強度分布が均一な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device, having a proper Gaussian shaped FFP with few ripples.例文帳に追加

ＦＦＰがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an air ridge structure attaining superior FFP.例文帳に追加

良好なＦＦＰが得られるエアーリッジ構造を有する半導体レーザ素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of preventing an occurrence of a ripple in a far-field pattern (FFP).例文帳に追加

遠視野像（ＦＦＰ）にリップルが出現することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, together with its manufacturing method, where a threshold current is low, while the half-value width of FFP is small.例文帳に追加

閾値電流が低く，ＦＦＰの半値幅が小さい半導体レーザとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An optical module assembly device is equipped with a stage 4 on which the light emitting element 1 can be mounted, a hand capable of grasping the optical part 2 and moving it in a uniaxial direction, and the FFP optical measurement system 3.例文帳に追加

本発明の光モジュールの組立装置は、前記発光素子１を搭載可能なステージ４と、前記光学部品２を把持し、これを少なくとも一軸方向に移動可能なハンド５と、前記FFP光学測定系３を備えたものである。 - 特許庁

The method further comprises estimating the development man-hour from the use case diagram, a class diagram and the activity diagram by COSMIC-FFP method.例文帳に追加

ユースケース図、クラス図、アクティビティ図からＣＯＳＭＩＣ−ＦＦＰ法によって開発工数を見積もることも含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of sufficiently suppressing a ripple of FFP, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ＦＦＰのリップルを十分に抑制することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser device including a local distortion reduced far field pattern (FFP).例文帳に追加

局部的乱れが低減されたＦＦＰを有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device capable of reducing dispersion of FFP and a threshold current caused by dispersion of a ridge shape.例文帳に追加

リッジ形状のばらつきに起因するＦＦＰや閾値電流のばらつきを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To avoid forming a double humped shape of FFP//(far-field image parallel to an active layer), when a laser is of high-power gain-guide type.例文帳に追加

大出力で利得導波型の半導体レーザ装置で、ＦＦＰ//（活性層に平行な遠視野像）が双峰性とならないようにする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser device that has stable far-field pattern (FFP) characteristics even when the power of laser light is increased to be wide angled.例文帳に追加

レーザ光のパワーを高出力化してもＦＦＰ（遠視野像）特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To easily prevent ununiformity in image quality derived from variation in FFP, variation in optical system assembling accuracy, variation in photoreceptor sensitivity, durability deterioration and the like.例文帳に追加

ＦＦＰのばらつき、光学系組立精度のばらつき、感光体感度のばらつき、及び耐久劣化等による画質の不均一性を容易に防止する。 - 特許庁

To more effectively suppress the interference pattern (mutilation of FFP) of light, which leaks from an n-type contact layer than a conventional one in a stably oscillating semiconductor laser.例文帳に追加

安定して発振する半導体レーザにおいて、従来よりも効果的にｎ型コンタクト層から漏れ出る光の干渉縞（ＦＦＰの乱れ）を抑制すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor laser that can correct a horizontal deviation angle of a far field pattern (FFP) of semiconductor laser's emission light and realize a desirable emission light property when the horizontal deviation angle arises in the FFP of the semiconductor laser's emission light by making up semiconductor laser, e.g., with an off substrate in semiconductor laser manufacture.例文帳に追加

半導体レーザの製造において、例えばオフ基板によって半導体レーザを構成したことにより半導体レーザの出射光のファーフィールドパターン（ＦＦＰ）に水平ズレ角が発生する場合に、このＦＦＰの水平ズレ角を修正し、所望の出射光特性を実現する半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multiple wavelength semiconductor laser device capable of facilitating the design of optical system by having a window structure in which the capacity of FFP in the laser beams of respective wavelengths is stabilized, and becomes a requested FFP pattern with respect to the multiple wavelength semiconductor laser device formed on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に形成された多波長半導体レーザ装置に対して、各波長のレーザ光におけるＦＦＰの大きさが安定して所望のＦＦＰパターンとなるような窓構造を有することにより、光学系の設計を容易にすることのできる多波長半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser which can improve the dimension of an FFP without exerting a large influence on amplification of a light in an active layer or a threshold of laser oscillation.例文帳に追加

活性層内における光の増幅度や、レーザ発振のしきい値に大きな影響を与えずに、ＦＦＰの大きさを改善する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

When the FFP mode is set and the specified position for focusing is out of the ranging area AR2 of the ranging part, focusing adjustment is made using the climbing detection system only.例文帳に追加

また、ＦＦＰモードの設定時において、ピントの指定位置が測距部の測距エリアＡＲ２外であるときには、山登り検出方式単独で焦点調節を行う。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser capable of preventing generation of a kink between an optical output and an operation current characteristic while it can reduce an FFP (far field pattern).例文帳に追加

ＦＦＰを小さくすることができながら、光出力−動作電流特性のキンクの発生を抑制することができる、リッジ導波路型の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element that increases in light output in a state wherein an FFP is stable and easily performs current control by one driver.例文帳に追加

ＦＦＰが安定した状態で光出力を大きくすることができ、かつ一つのドライバで容易に電流制御することの可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

These auto focus modes include a multi-secting auto focus mode and a FFP (flex focus point) auto focus mode which can move a position of an auto focus area in an imaging image.例文帳に追加

これらの複数のＡＦモードには、撮像画像内のＡＦエリアの位置を移動可能な多分割ＡＦモードおよびＦＦＰ（フレックスフォーカスポイント） ＡＦモードが含まれる。 - 特許庁

To form on a GaN substrate, a Group III nitride semiconductor layer with excellent flatness and crystallinity, and to obtain a vertical FFP shape close to a Gaussian shape.例文帳に追加

ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れたIII族窒化物系半導体層を形成し、ガウシアン形状に近い垂直ＦＦＰ形状を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device which is so structured as not to increase light in intensity, controls its self-oscillation, keeps FFP low, and is easily handled.例文帳に追加

光密度が高くならないような構造として自励発振を制御すると共に、ＦＦＰを低く抑えて取り扱い容易な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element such that its manufacture efficiency is improved more, and an FFP has an excellent Gaussian shape with a small ripple.例文帳に追加

半導体レーザ素子の製造効率をさらに向上させるとともに、ＦＦＰがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a low dislocation density nitride semiconductor substrate excellent in cleavability, and to provide a nitride semiconductor laser element capable of a single mode with the main laser beam FFP free of ripples.例文帳に追加

劈開性に優れた低転位の窒化物半導体基板、主レーザ光のＦＦＰにリップルの乗らない良好な単一モードとなる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

The filter system high-speed wavelength-swept light source 10 is constituted of a super-continuum (SC) light source 11, an FFP (fiber-based Fabry-Perot) type high-speed wavelength variable filter 12 and a wideband optical amplifier 13.例文帳に追加

フィルタ方式高速波長掃引光源１０は、スーパーコンティニウム（ＳＣ）光源１１と、ＦＦＰ型高速波長可変フィルタ１２と、広帯域光増幅器１３により構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a far-field pattern (FFP) of which the Gaussian shape is good even in high output power operation of the class exceeding 200 mW, and to obtain long term reliability with good yield ratio.例文帳に追加

２００ｍＷ超級の高出力動作時においてもガウシアン形状が良好な遠視野像（ＦＦＰ）を得ることができ、且つ長期信頼性を歩留まり良く得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of executing stable operation while allowing an FFP of output light to show excellent unimodal characteristics without causing COD, even when executing operation at high output levels.例文帳に追加

高出力で動作を行う場合でも、ＣＯＤが引き起こされることなく、出力光のＦＦＰが良好な単峰性を示し、安定した動作が可能な半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical fiber array which is not affected by thermal expansion and contraction, and is not affected by curing shrinkage of an adhesive, and which is free of variation in FFP of projection light by preventing a shift in fixation position, peeling, and breaking of an optical fiber.例文帳に追加

接着剤の熱伸縮や硬化収縮の影響を受けず、光ファイバの固定位置の変動や剥離・断線を防ぎ、出射光のＦＦＰが変動しない光ファイバアレイの提供。 - 特許庁

The high refractive index layer 5 which is higher in refractive index than an n-type clad layer is formed in the n-type clad layer, and the high refractive index layer 5 expands an oozing area of a light to minimize an FFP.例文帳に追加

ｎ型クラッド層中にｎ型クラッド層よりも高い屈折率を有する高屈折率層５が形成されており、この高屈折率層５の作用により光のしみ出す領域を拡大させてＦＦＰを小さくする。 - 特許庁

Since the light absorption is increased in a saturable absorption region 24b, a pulsation margin is increased, and moreover, an FFP shape of light emitted from the active layer 24 is prevented from being spread in the vertical direction.例文帳に追加

過飽和吸収領域２４ｂでの光吸収が多くなることにより、パルセーションマージンが大きくなり、また、活性層２４から出射された光のＦＦＰ形状が垂直方向に広くなることが防止される。 - 特許庁

The laser rays are trapped by the regions 44, whereby an optical loss occurring at both the edges of the stripe serving as a light trapping interface can be restrained, a wavefront is less curved, and both NFP and FFP have a uniform distribution of light intensity.例文帳に追加

領域４４による光の閉じ込めにより、光閉じ込めの界面であるストライプの両縁部での光の損失が抑制され、波面の曲がりが小さくなって、ＮＦＰやＦＦＰの光強度分布が均一になる。 - 特許庁

When the composition ratio of Al becomes smaller than 0.06, the refractive index of the AlGaN layer becomes big and, therefore, an NFP (Near Field Pattern) in the vertical direction is widened whereby the half-value width of the FFP in the vertical direction can be reduced.例文帳に追加

Ａｌ組成比ｘが０．０６より小さくなると、ＡｌＧａＮ層の屈折率が大きくなるので、垂直方向のＮＦＰ（近視野像）を広げ、垂直方向のＦＦＰの全半値幅を小さくできる。 - 特許庁

To provide a surface light-emitting laser that, even if a shape of a step structure is changed in manufacturing process, suppresses the influence of the change to a far field pattern (FFP), and an image forming apparatus using the surface light-emitting laser.例文帳に追加

作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

When the auto focus mode is switched to the multi-secting auto focus mode or to the FFP auto focus mode, the digital camera 1A decides the position of the auto focus area immediately after switching on the basis of a position of a representative point of the auto focus area immediately before switching.例文帳に追加

そして、デジタルカメラ１Ａは、多分割ＡＦモードまたはＦＦＰ ＡＦモードへＡＦモードが切り替えられた場合に、切替直後のＡＦエリアの位置を、切替直前のＡＦエリアの代表点の位置に基づいて決定している。 - 特許庁

Even if the wavelength of the laser light is varied due to temperature variation of the semiconductor laser 15, the FFP shape of the light emitted toward the photodiode 16 is not varied and variation in the quantity of light entering the photodiode 16 is suppressed.例文帳に追加

半導体レーザ１５の温度が変化しレーザ光の波長が変化しても、フォトダイオード１６に向けて出射される光のＦＦＰ形状が変化することがなく、フォトダイオード１６への入射光量の変化が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of irradiating the laser beam whose configuration shows light intensity peaks at two or more angles as a lateral FFP (Far Field Pattern) in simpler structure, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

より簡素な構造をもって、横方向のＦＦＰ（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）として複数の角度に光強度ピークを示すビーム形態のレーザ光を出射することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device that offers higher coupling efficiency to a pickup optical system by dramatically reducing the amount of difference between the shape of an FFP in the vertical direction and a Gaussian shape, and that can be manufactured at lower costs by reducing the operating power required.例文帳に追加

垂直方向ＦＦＰ形状とガウシアン形状との相違量を劇的に小さくすることによりピックアップ光学系への結合効率を高め、必要な動作電力を低く抑えることにより低コストを実現する半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser less damaging an active layer by dry etching, a self-excited nitride semiconductor laser capable of attaining stable FFP and low consumption power, a nitride semiconductor laser with high reliability, and a method of manufacturing those.例文帳に追加

ドライエッチングによる活性層へのダメージの小さな窒化物半導体レーザと、安定したＦＦＰと、低消費電力化とを実現することの可能な自励発振型の窒化物半導体レーザと、信頼性の高い窒化物半導体レーザと、これらの製造方法とを提供する。 - 特許庁

In outputting a laser beam from the emission end face 21a, since the light is absorbed by the active layer 24 at a narrowed outside portion, a light at a central part can be outputted mainly so that double humped shape of FFP// can be suppressed.例文帳に追加

レーザ光は、出射端面２１ａから出力する際に、狭くなった外側の部分の活性層２４で光が吸収されることになり、中心部の光を主として出力させることができるので、ＦＦＰ//は双峰性を抑制したものとすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which suppresses heat generated on a resonator end surface to a minimum, improves the COD level, has a superior FFP, high reliability and a long service life, even for a semiconductor laser element of high power.例文帳に追加

高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、ＣＯＤレベルを向上させることができるとともに、良好なＦＦＰを得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Every semiconductor laser of respective wavelengths is provided with the window region having different lengths capable of obtaining the optimum FFP with respect to the outgoing lights of respective wavelengths, whereby the same degree of optical output depending property can be given to respective wavelengths and, therefore, the designing of the optical system can be facilitated.例文帳に追加

各波長の半導体レーザ毎に、各波長の出射光に対して最適なＦＦＰが得られるような異なる長さの窓領域を持たせることにより、各波長に同程度の光出力依存性を持たせることができるため、光学系の設計を容易にすることができる。 - 特許庁