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FIG.1を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1692件
Fig. 1-2-56 Challenges and problems with employment and recruitment例文帳に追加
第1-2-56図 求人や採用における課題・問題点 - 経済産業省
Fig.1 is an SDS-PAGE photograph of the protein.例文帳に追加
図1は、前記タンパク質のSDS−PAGE写真である。 - 特許庁
In Fig.1, numeral 1 indicates a semiconductor optical modulator.例文帳に追加
図1において、符号1は、半導体光変調器を指す。 - 特許庁
An abstraction of the urban drainage system is presented in Fig. 1.例文帳に追加
都市排水設備システムの抽象概念を図1に示す。 - 英語論文検索例文集
Fig. 1-1-18 Trends in business conditions DI by size and industry例文帳に追加
第1-1-18図 規模別、業種別業況判断DIの推移 - 経済産業省
Fig. 1-2-38 Ratio of changes in presidents by size of the workforce (2006)例文帳に追加
第1-2-38図 従業員規模別社長交代率(2006年) - 経済産業省
Fig. 1-2-39 Process of appointing presidents among enterprises that changed presidents例文帳に追加
第1-2-39図 社長交代企業の社長就任経緯 - 経済産業省
Fig. 1-2-41 Trends in ratio of proprietor income to employer income例文帳に追加
第1-2-41図 事業者対雇用者収入比率の推移 - 経済産業省
Fig. 1-2-43 Ratio of insolvent enterprises(by workforce size)例文帳に追加
第1-2-43図 債務超過企業の割合(従業者規模別) - 経済産業省
Fig. 1-2-52 Reasons for considering decreasing business or exiting例文帳に追加
第1-2-52図 事業縮小や廃業を検討している理由 - 経済産業省
The amorphous silicon film 104 is dehydrogenated (Fig. 1(a)).例文帳に追加
非晶質Si膜104は脱水素処理される(図1の(a))。 - 特許庁
Fig. 1-2-13 Comparison of startup founders' reasons for choosing their field of business (2001, 2006)例文帳に追加
第1-2-13図創業者の事業分野選択理由比較(2001、2006) - 経済産業省
Fig. 1-2-20 Management challenges, after startup/entry to present例文帳に追加
第1-2-20図 創業・開業後、現在までの経営上の課題 - 経済産業省
Fig. 1-2-30 Entry and exit and situation of employment fluctuation(over 10 years)例文帳に追加
第1-2-30図 開業・廃業と雇用変動状況(10年間) - 経済産業省
Fig. 1-2-34 Situation of employment fluctuation by form of employment (over 5 years)例文帳に追加
第1-2-34図 雇用形態別の雇用変動状況(5年間) - 経済産業省
Fig. 1-2-44 Ratio of enterprises with dissatisfaction over individual bonds例文帳に追加
第1-2-44図 個人保証への不満を感じている企業の割合 - 経済産業省
Two etching mask patterns 2 and two double-end supported beam type patterns 3 are formed on a silicon substrate 1 (Fig.1(A), Fig.1(B)).例文帳に追加
シリコン基板1上に2つのエッチングマスクパターン2および2本の両持ち梁型パターン3を形成する(図1(A)、図1(B))。 - 特許庁
The other grinding/cleaning table 6B as shown in Fig.1(C) is laid face down (prone) to cover the grinding/cleaning table 6A as shown in Fig.1(D).例文帳に追加
(C)に示す他方の研掃テ−ブル6Bを下向き(俯せ)にして(D)のように前記片方の研掃テ−ブル6Aに被せる。 - 特許庁
This sealing structure is so formed that the pane thickness of the opening/closing type back door glass 14 (Fig.1(A)) is thicker than that of the fixed type back door glass 50 (Fig.1(B)).例文帳に追加
開閉式のバックドアガラス14(図1(A))の場合、固定式のバックドアガラス50(図1(B))よりも板厚が厚い。 - 特許庁
In this state, the heat treatment is performed in an oxidative atmosphere (Fig. 1(d)).例文帳に追加
この状態で酸化雰囲気中で熱処理を行う(図1(d))。 - 特許庁
A DNA molecule whose base sequence is represented by SEQ ID NO:1( or Fig.1). 例文帳に追加
塩基配列がSEQ ID NO:1(又は添付図面1)で示されるDNA分子。 - 特許庁
In Fig., 1: Core strand, 2: Sheath strand, 3: A filament made of a non-metal, L: Gap.例文帳に追加
1‥コアストランド、2‥シ−スストランド、 3‥非金属製フィラメント、 L‥隙間。 - 特許庁
Further, a nitride film 6 is formed on the silicon substrate 1 (Fig.1(d)).例文帳に追加
次に、シリコン基板1上に窒化膜6を形成する(図1(d))。 - 特許庁
Thus, the leveling property of the formed hard coat layer is improved (See Fig. 1).例文帳に追加
これにより、ハードコート層のレベリング性が向上する(図1参照)。 - 特許庁
Fig. 1-1-20 Trends in ratio of ordinary profit to net sales by size of capital例文帳に追加
第1-1-20図 資本金規模別売上高経常利益率の推移 - 経済産業省
Fig. 1-2-4 Trends in entry and exit rates based on number of employing establishments例文帳に追加
第1-2-4図 有雇用事業所数による開廃業率の推移 - 経済産業省
Fig. 1-2-30 shows a comparison of the amount of employment fluctuation among each.例文帳に追加
それぞれの雇用変動量を比較したものが第1-2-30図である。 - 経済産業省
Fig. 1-2-31 looks at the employment fluctuation by industry.例文帳に追加
この雇用変動について、業種間で見たものが第1-2-31図である。 - 経済産業省
This ratio rises as the enterprise becomes smaller (Fig. 1-2-45).例文帳に追加
その割合は、企業規模が小さくなるほど高くなる(第1-2-45図)。 - 経済産業省
Fig.1-2-53 Comparison of number of business establishments in 1994and 2004 by establishment size例文帳に追加
第1-2-53図 1994年と2004年における規模別事業所数の比較 - 経済産業省
A lens 12 is at a collapsed position ((A) in Fig. 1) when power is supplied to a camera, and is driven to an extended position ((B) in Fig. 1) by a stepping motor 14.例文帳に追加
カメラの電源投入時にはレンズ12が沈胴位置(図1(A))にあり、ステッピングモータ14で伸長位置(図1(B))まで駆動される。 - 特許庁
After that, the wafer 1 is polished into specific thickness as shown in Fig. 1 (b), and an N electrode 5 is formed by deposition, as shown in Fig. 1 (c).例文帳に追加
その後、図1(b)のようにウエーハ1を所定の厚さまで研磨し、図1(c)のようにN電極5を蒸着により形成する。 - 特許庁
The toroidal surface has different focal distances in a horizontal direction (a z-axis direction in Fig.1) and in a vertical direction (a y-axis direction in Fig.1).例文帳に追加
トロイダル面は、水平方向(図1のz軸方向)の焦点距離と垂直方向(図1のy軸方向)の焦点距離が相違している。 - 特許庁
The display section 303 (Fig.1 (a) hatching section) has a red display.例文帳に追加
表示部303(図1(a)ハッチング部)には、赤色の表示が設けられる。 - 特許庁
Marks 1 to 4 in Fig. 1 indicate the first layer to the fourth layer, respectively.例文帳に追加
図1において符号1〜4はそれぞれ第1層〜第4層を示す。 - 特許庁
Side walls 18 are formed to cover the side walls of the trenches 5 (Fig. 1 (C)).例文帳に追加
トレンチ5の側壁を被うサイドウォール18を形成する(図1(C))。 - 特許庁
A control computer C stores a map indicated by a graph in Fig. 1(b).例文帳に追加
制御コンピュータCは、図1(b)にグラフで示すマップを記憶している。 - 特許庁
When the electrophoresis display device is manufactured, a conductive film 6 is formed at a substrate 1a (see Fig. 1(a)), mask layers 2 and 7 are formed (see Fig. 1(b)) and etching of the conductive film 6 is performed (see Fig. 1(c)).例文帳に追加
電気泳動表示装置の製造に際しては、基板1aに導電性膜6を形成し(図1(a) 参照)、マスク層2,7を形成し(同図(b) 参照)、導電性膜6のエッチングを行う(同図(c) 参照)。 - 特許庁
A source amplifier for liquid crystal devices as shown in Fig. 1 is provided.例文帳に追加
そこで、図1に示す液晶表示装置用ソースアンプを提供する。 - 特許庁
The contact point which is pushed when the center section (Fig. 1-5) is mounted on the key, and a protruded part (Fig. 1-10) is installed so that the contact point of the center section is not pushed when the contact point of the other direction (Fig. 1-2) is pushed.例文帳に追加
中心部分を押した際に押される接点(図1−5)を取り付け、他の方向の接点(図1−2)が押されたときには中心部分の接点を押されないように、突起部(図1−10)を設ける。 - 特許庁
Next, as illustrated in Fig.1(h), the photoresist pattern 104 is removed.例文帳に追加
次に、図1(h)に示されるように、フォトレジストパターン104を除去する。 - 特許庁
Fig. 1 shows a terminal device for setting the parameter of the communication operation.例文帳に追加
図1は通信動作のパラメータの設定を行う端末装置を示す。 - 特許庁
A right side chamber 10 in Fig.1 shows the chamber in such a situation.例文帳に追加
この状態のチャンバー10を図1の右側のチャンバーで示している。 - 特許庁
In a semiconductor-element manufacturing method, a gate insulating film 2 is formed on a silicon substrate 1 (Fig.1(a)).例文帳に追加
シリコン基板1上にゲート絶縁膜2を形成する(図1(a))。 - 特許庁
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