Field-effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4622件
FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND INTEGRATED LOGIC CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びこれを用いた集積化論理回路 - 特許庁
INSULATING LAYER, ELECTRONIC DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND POLYVINYLTHIOPHENOL例文帳に追加
絶縁層、電子デバイス、電界効果トランジスタ及びポリビニルチオフェノール - 特許庁
To laminate field effect transistors, while suppressing deterioration of crystallinity of semiconductor layers on which the field effect transistors are formed.例文帳に追加
電界効果型トランジスタが形成される半導体層の結晶性の劣化を抑制しつつ、電界効果型トランジスタを積層する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a field effect transistor in which the field effect transistor having a short gate length can be manufactured at low cost.例文帳に追加
ゲート長が短い電界効果トランジスタを低コストで製造できる電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a source/drain structure of a fin field effect transistor.例文帳に追加
フィン電界効果トランジスタのソース/ドレイン構造を提供する。 - 特許庁
To provide a field-effect transistor having high channel mobility.例文帳に追加
高いチャネル移動度を有する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
The functions can be easily achieved by using a general timer, a general logic, a general transistor and a general FET (Field Effect Transistor).例文帳に追加
前記各機能は汎用タイマー、汎用ロジック、汎用トランジスタ、汎用FET(Field Effect Transistor)を用いて容易に達成することができる。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH ADDITIONAL CAPACITANCE AND SEMICONDUCTOR SWITCH CIRCUIT例文帳に追加
付加容量付電界効果トランジスタ及び半導体スイッチ回路 - 特許庁
The semiconductor device is, for instance, a vertical field effect transistor.例文帳に追加
半導体装置は、例えば、縦型電界効果トランジスタである。 - 特許庁
VERTICAL TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
垂直型電界効果トランジスタ・アレイ及びその製造方法 - 特許庁
To obtain an MFS-type field effect transistor which is superior in characteristics.例文帳に追加
特性に優れたMFS型の電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁
MOS CIRCUIT INCLUDING FOUR-TERMINAL DOUBLE-INSULATED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタによるMOS回路 - 特許庁
To provide a low on-resistance field effect transistor at low cost.例文帳に追加
低オン抵抗の電界効果トランジスタを低コストで実現する。 - 特許庁
CMOS CIRCUIT USING DOUBLE INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたCMOS回路 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電界効果トランジスタ、その製造方法、及び半導体装置 - 特許庁
ULTRA-SHORT CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
超微細チャネル電界効果トランジスター及びその製造方法 - 特許庁
DOUBLE-INSULATION GATE FIELD-EFFECT-TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
二重絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
COMPOUND FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
化合物電界効果半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
HORIZONTAL JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
Field-effect transistors are formed in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
電界効果トランジスタが半導体基板10内に形成される。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、その製造方法及びスパッタリングターゲット - 特許庁
NITRIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
窒化物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING WIRE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ワイヤチャンネルを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電界効果トランジスタとその製造方法、及び半導体装置 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SUBSTRATE例文帳に追加
電界効果トランジスタ、トランジスタアレイ基板、およびその製造方法 - 特許庁
P-CHANNEL POWER MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING CIRCUIT例文帳に追加
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 - 特許庁
FIELD EFFECT TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
SILICON CARBIDE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
To provide an organic field effect transistor, a flat display device comprising the same, and a method for manufacturing the organic field effect transistor.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置及び有機電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
MULTIPLE GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING SAME例文帳に追加
複数ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND IMAGE DISPLAY DEVICE USING IT例文帳に追加
電界効果型トランジスタおよびそれを用いた画像表示装置 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びそれを使用した画像晶表示装置 - 特許庁
Each of the plurality of shift resisters has a field effect transistor.例文帳に追加
複数のシフトレジスタのそれぞれは、電界効果トランジスタを有する。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁
TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加
トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタ - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
電界効果トランジスタ、半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁
VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
縦型電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND EPITAXIAL WAFER FOR THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハおよび電界効果トランジスタ - 特許庁
ION-SENSITIVE MEMBRANE, ION-SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ION SENSOR例文帳に追加
イオン感応膜、イオン選択性電界効果型トランジスタ、イオンセンサ - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
有機半導体積層膜および有機電界効果型トランジスタ - 特許庁
NITRIDE SEMICONDUCTOR TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物半導体系電界効果トランジスタとその製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体ウェハ及びそれを用いた電界効果トランジスタ - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加
半導体装置1は、SJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)17の寄生ダイオードと並列に、SBD(Schottky Barrier Diode)20を備えている。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR UTILIZING NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ナノチューブを利用した電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
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