「Field-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a bias setting circuit, which can automatically set the gate voltage of a field effect transistor, and can easily set the gate voltage, even if the circuit is mounted in an apparatus, while an input of a RF signal is disconnected automatically during setup, and to provide a bias setting circuit by which bias setting is conducted automatically during operation and the gate voltage is always operated at an optimal value.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート電圧を自動的に設定でき、装置内に実装された後でも容易にゲート電圧を設定できるとともに設定時RF信号の入力を自動的に切断するようにしたバイアス設定回路、稼働中に自動的にバイアス設定が行われゲート電圧が常に最適値で動作するようにしたバイアス設定回路を提供する。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element is provided with a magnetization fixing layer in which a magnetization direction is substantially fixed in one direction, a spacer layer arranged on the magnetization fixing layer while having an insulating layer and a metallic conductor penetrating through the insulating layer, and a magnetization free layer which is arranged on the spacer layer oppositely to the metallic conductor and in which the magnetization direction changes corresponding to an external magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 - 特許庁

Disclosed is a magneto-optical space light modulator which has many pixels 14 imparting rotation in a polarizing direction by Faraday effect, arrayed in two dimensions of an X direction and a Y direction while alienated from one another and which individually controls magnetization directions of the respective pixels with a composite magnetic field produced with drive currents flowing through X-side and Y-side driving lines.例文帳に追加

ファラデー効果によって偏光方向の回転を与える画素１４が、多数、互いに離間した状態でＸ方向及びＹ方向に２次元的に配列され、Ｘ側及びＹ側の駆動ラインを流れる駆動電流によって発生する合成磁界により各画素の磁化方向を個別に制御する方式の磁気光学式空間光変調器である。 - 特許庁

To prevent an electric field formed at a secondary transfer position from giving an adverse effect to the other processing operation and also to prevent an untransferred toner image on an intermediate transfer drum from being disturbed in an image forming apparatus by which a toner image formed on a photoreceptor is primarily transferred to the intermediate transfer drum and the toner image on the intermediate transfer drum is electrostatically secondarily transferred to transfer paper.例文帳に追加

感光体上に形成したトナー像を中間転写ドラムに一次転写し、中間転写ドラム上のトナー像を転写紙に静電的に二次転写する画像形成装置において、二次転写位置に形成した電界が、他のプロセス動作に悪影響を与えることを防止し、かつ中間転写ドラム上の未転写トナー像が乱されることを防止する。 - 特許庁

A field-effect transistor 10 includes a source 18s and a drain 18d formed in a surface region of a semiconductor active layer 13 comprising a group III nitride semiconductor, a gate electrode 15 formed on the semiconductor active layer 13 through a gate oxide film 14, and a passivation film 20 formed on the semiconductor active layer 13 between the gate electrode 15 and the drain 18d.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、III族窒化物半導体から成る半導体活性層１３の表面領域に形成されたソース１８ｓ及びドレイン１８ｄと、半導体活性層１３上にゲート酸化膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン１８ｄの間の半導体活性層１３上に形成されたパッシべーション膜２０とを備える。 - 特許庁

In the Uruguay Round negotiations, the Members agreed that trade in the field of textiles and clothing would be liberalized by way of gradual integration of this sector into GATT disciplines with a ten-year transition period (see Figure 7-4). When the WTO Agreement took effect in 1995, the Agreement on Textiles and Clothing ("ATC") also entered into force.例文帳に追加

1986年から1994年まで行われたウルグアイ・ラウンドにおける貿易自由化交渉において、繊維分野については、10年間の経過期間をかけて段階的にGATT の規律下に統合（図表７―４参照）することにより、繊維貿易の自由化を図ることが合意され、1995年のWTO協定発効と同時に、繊維及び繊維製品（衣類を含む）に関する協定(ATC: Agreement on Textiles and Clothing、以下、「繊維協定」という。)が発効した。 - 経済産業省

The field effect transistor includes: a first semiconductor layer 14 made of a first group III-V nitride; a second semiconductor layer 15 formed on the first semiconductor layer 14, made of a second group III-V nitride and having a gate recess 16 for exposing the first semiconductor layer 14; and a gate electrode 18 formed on the gate recess 16 in the first semiconductor layer 14.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第１のIII−Ｖ族窒化物からなる第１の半導体層１４と、第１の半導体層１４の上に形成された第２のIII−Ｖ族窒化物からなり、第１の半導体層１４を露出するゲートリセス部１６を有する第２の半導体層１５と、第１の半導体層１４におけるゲートリセス部１６の上に形成されたゲート電極１８とを備えている。 - 特許庁

The mask 1, in which a window hole 1a corresponding to the shape of a photographic image plane is bored, is mounted on the front of the photographing lens 2 and is used together with the lens hood 3, thus the shielding effect of the harmful incident light from the outside of the field is enhanced.例文帳に追加

本発明は、レンズ鏡筒前部のフィルター取り付け枠２ａが、ピント合わせやズーミング時に回転しない方式の撮影レンズに用いるフレアーカットマスク１であって、撮影画面の形状に対応する窓穴１ａを開けたフレアーカットマスク１を、撮影レンズ２の前面に取り付け、レンズフード３と併用することにより、視野外からの有害な入射光の遮断効果をより高めたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer used suitably in case of preventing a part (conductive layer) from being formed in high conductivity into a buffer layer by mixing a conductive dopant into an epitaxial layer, and, as a result, realizing to produce, a field effect transistor with high property (FET, HEMT, etc.).例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To provide an amplifier capable of correcting a frequency characteristic of a received audio signal so that a sound field with a surround effect can be reproduced, while keeping the features of the frequency characteristics for the received audio signal, without adjusting a frequency band of the received audio signal into predetermined frequency characteristics by automatic acoustic characteristic adjusting function.例文帳に追加

入力されたオーディオ信号の周波数帯域が自動音響特性調整機能により予め定められた周波数特性に調整されずに、入力されたオーディオ信号の周波数特性の特徴を保ちながら、サラウンド効果のある音場を再現することができるように、入力されたオーディオ信号の周波数特性を補正することができる増幅装置を提供する。 - 特許庁

A field-effect transistor is formed on a substrate 101 by sequentially stacking a first nitride semiconductor layer 102 serving as a nucleation layer, a second nitride semiconductor layer 103 having a larger electron affinity than the first nitride semiconductor layer 102, and a third nitride semiconductor layer 104 having a smaller electron affinity than the second nitride semiconductor layer 103.例文帳に追加

電界効果型トランジスタは、基板１０１上に、核形成層として機能する第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層１０３と、第二の窒化物半導体層１０３よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層１０４とを順に積層して形成されている。 - 特許庁

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance.例文帳に追加

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

An emitter electrode 11 is electrically connected with an emitter area 3 of each of the first and second insulated-gate field-effect transistor parts 32; is electrically connected with each of the first and second stabilization plates 5b; and is arranged, with an insulating layer 4b interposed, on the entire surface of the first principal surface 1A sandwiched between the first and second stabilization plates 5b.例文帳に追加

エミッタ電極１１は、第１および第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部３２の各々のエミッタ領域３と電気的に接続され、かつ第１および第２の安定化プレート５ｂの各々と電気的に接続され、かつ第１および第２の安定化プレート５ｂに挟まれる第１主面１Ａの全面上において絶縁層４ｂを介在して配置されている。 - 特許庁

In the field-effect silicon-carbide semiconductor device provided with a metal/semiconductor contact formed on one major surface of the silicon carbide substrate 1, contact electrodes contacted with at least one of a gate contact 16 and a source contact 14 or a drain contact 15 are made of an identical material (e.g., Ti, Mo or Ni), and are formed concurrently in the same step.例文帳に追加

炭化珪素基板１の一主面に形成した金属−半導体接触を具有する電界効果型の炭化珪素半導体装置であって、ゲート接触１６と、ソース接触１４またはドレイン接触１５の少なくとも一方の接触の接触電極が同一材料（例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｎｉ）であり、かつ同一工程で並行して形成された接触電極である炭化珪素半導体装置。 - 特許庁

The direct current high voltage vacuum apparatus has a casing formed by an insulation wall, an evacuated sealed space formed in the casing, electrodes provided in the sealed space to which direct current is applied and a dust capture container for capturing dust in the sealed space; and the dust capturing container is provided at a position free from effect of an electric field formed by the electrodes.例文帳に追加

本発明による直流高電圧真空装置は、絶縁壁によって形成されたケーシングと、該ケーシング内に形成された真空排気された密閉空間と、該密閉空間内に配置され直流が印加される電極と、上記密閉空間内の塵埃を捕捉する塵埃捕捉容器と、を有し、該塵埃捕捉容器は上記電極によって形成される電界の影響を受けない位置に配置されている。 - 特許庁

The bias circuit for use with a receiving amplifier is so constructed that a resistor is connected in series between a drain electrode of a field effect transistor and a drain bias terminal, at least two resistors are connected in series between the drain electrode and a gate bias terminal, and a junction connecting two of the two or more series-connected resistors is connected to a gate electrode.例文帳に追加

バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも２個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された２個以上の抵抗のうち２個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate in which a semiconductor layer formed on one substrate can be formed on other substrate by joining substrates with an insulating film disposed therebetween, and in this case the semiconductor substrate is manufacturable easily, while keeping a good crystalline structure without damaging the crystalline structure of the semiconductor layer, a field effect transistor, an integrated circuit and a method for manufacturing the semiconductor substrate.例文帳に追加

絶縁膜を介在させて基板同士を貼り合わせることで、一方の基板上に形成された半導体層を他方の基板に形成できると共に、この際に当該半導体層の結晶構造を損傷させることなく、高品質な結晶構造を維持したまま簡単に製造できる半導体基板、電界効果トランジスタ、集積回路、及び半導体基板の製造方法を提案する。 - 特許庁

Each of the plurality of field effect transistors 50 includes a source region 130 and a drain region 140 formed with an interval on a substrate 100, a gate 160 formed on the substrate 100 and on the interval, a source contact 172 formed on the substrate 100 and connected to the source region, and a drain contact 182 formed on the substrate 100 and connected to the drain region 140.例文帳に追加

複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。 - 特許庁

The field effect transistor is characterized in that: a drain electrode and a source electrode are arranged on an insulating layer; a gate electrode is arranged under the insulating layer; a semiconductor active layer is provided between the drain and source electrodes arranged on the insulating layer; the drain electrode and/or source electrode comprises one or a plurality of carbon nano tubes; and the semiconductor active layer is an organic semiconductor.例文帳に追加

絶縁層上にドレイン電極とソース電極を配置し、絶縁層下にゲート電極を配置し、絶縁層上に配置されたドレイン電極とソース電極の間に半導体活性層を有する電界効果型トランジスタであって、ドレイン電極および／またはソース電極が１本あるいは複数本のカーボンナノチューブからなり、かつ半導体活性層が有機半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

To provide a calcium ion-independent smooth muscle anomalous shrinkage inhibitor that is uneffective on the calcium ion-independent physiological smooth muscle shrinkage, an injection composition for treating the cardiovascular diseases caused by smooth muscle anomalous shrinkage, a prophylactic and/or therapeutic agent for black out and narrowed visual field, reduction of the side-effect of the chemical-inducing orthostatic hypotension and Rho- kinase signal transduction system inhibitor.例文帳に追加

カルシウムイオン依存性の生理的な平滑筋収縮に影響しない、カルシウムイオン非依存性の平滑筋異常収縮の抑制剤、血管平滑筋異常収縮に起因する循環器系疾患治療用の注射用組成物、暗黒視症および視野狭窄の予防および／または治療剤、薬物誘発起立性低血圧の副作用軽減剤およびＲｈｏキナーゼシグナル伝達系の阻害剤の提供。 - 特許庁

The MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an element isolation region and an element forming region formed in a protruding state on the isolation region, the gate electrode formed on the element forming region via a gate insulation film, and a source-drain made of a conductive layer formed on the substrate so as to cover a side face of the protruding substrate.例文帳に追加

素子分離領域を有し、該素子分離領域に対して素子形成領域が凸状に形成されてなる半導体基板と、素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、凸状半導体基板の側壁を覆うように半導体基板上に形成された導電層からなるソース／ドレインとを備えることを特徴とするＭＯＳ電界効果型トランジスタにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

When a term regarding a disease or symptom is inputted, the control means 11 extracts a synonym for the term from the 2nd database 12 and extracts general medicines having the inputted term or extracted synonyms entered into the effect field of the attached document from the 1st database 121, and the display means 113 displays a list of the extracted general medicines.例文帳に追加

制御手段１１は、疾患・症状に関する用語が入力された場合、第２のデータベース１２２から当該用語の類義語を抽出し、前記入力された用語又は前記抽出した類義語が添付文書の効能・効果の欄に記載された一般用医薬品を第１のデータベース１２１から抽出し、当該抽出した一般用医薬品の一覧を表示手段１３に表示する。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus 1 formed of a field effect transistor equipped with a gate electrode 15 formed on the semiconductor substrate 11 through the gate insulating film 14, a part of the gate electrode 15 coming into contact with the gate insulating film 14 is formed of a film containing hafnium and nitrogen, and the film contains, at least, nitrogen, and the compositional ratio of nitrogen to hafnium is 51% or below.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムと窒素とを含む膜からなり、前記ハフニウムと窒素とを含む膜は少なくとも窒素を含みかつハフニウムと窒素とに対する窒素の組成比が５１％以下である。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁

The field effect transistor includes a semiconductor structure including a first semiconductor layer 6 and a second semiconductor layer 4 in heterojunction with the first semiconductor layer 6, a source electrode 8, a drain electrode 10, a gate electrode 9, each formed on the first semiconductor layer 6, and a protective film 11 including at least a metal-doped fullerene formed on the first semiconductor layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、第１の半導体層６と当該第１の半導体層６とヘテロ接合した第２の半導体層４とを含む半導体構造と、第１の半導体層６上に形成されたソース電極８、ドレイン電極１０、及びゲート電極９と、第１の半導体層６上に形成された金属内包フラーレンを少なくとも含む保護膜１１と、を有する。 - 特許庁

A diode D0 where an anode is connected to a power source voltage VDD, a resistor R0 connected in series to the cathode of the diode D0, a depletion field-effect transistor Q1 connected in series between the resistor R0 and a ground voltage GND, and a bias voltage take-out terminal T provided between the cathode of the diode D0 and the resistor R0, are provided.例文帳に追加

本バイアス電圧発生回路は、アノードが電源電圧ＶＤＤに接続されているダイオードＤ０と、ダイオードＤ０のカソードに直列に接続されている抵抗Ｒ０と、抵抗Ｒ０と接地電圧ＧＮＤとの間に直列に接続されているデプリーション型電界効果トランジスタＱ１と、ダイオードＤ０のカソードと抵抗Ｒ０との間に配置されたバイアス電圧取り出し端子Ｔと、からなる。 - 特許庁

To easily form a resist pattern which widens gradually from a substantial gate electrode pattern forming a stripe toward an umbrella part pattern using a very simple means with respect to a resist pattern forming method, to reduce the parasitic capacity produced between an umbrella part and an operation layer in a T-shape gate electrode and to obtain a field-effect semiconductor device which attains high-frequency high-speed operation.例文帳に追加

レジスト・パターン形成方法に関し、極めて簡単な手段に依って、細条をなす実質的ゲート電極パターンから傘部パターンに向かって次第に拡幅するレジスト・パターンを容易に形成できるようにして、Ｔ型ゲート電極に於ける傘部と動作層との間に生成される寄生容量を低減し、高周波の高速動作が可能な電界効果型半導体装置の実現に寄与しようとする。 - 特許庁

The hetero junction field effect transistor includes: a nitride semiconductor layer including a barrier layer 40 and a cap layer 50 formed on the barrier layer 40; a gate electrode 90 provided on the nitride semiconductor layer so that a lower part of the gate electrode 90 is embedded in the nitride semiconductor layer; and a surface protection film 100 formed on the nitride semiconductor layer and made of an insulation film that does not contain Si.例文帳に追加

本発明に係るヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層４０及びバリア層４０上に形成されたキャップ層５０を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層に下部を埋没するようにして前記窒化物半導体層上に設けられたゲート電極９０と、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉを含まない絶縁膜からなる表面保護膜１００とを備える。 - 特許庁

A carrier of an ultrasonic wave is modulated by an audio signal to form a small-sized audible sound field of narrow directivity, independently of parametric effect; and when modulating the carrier of the ultrasonic wave, modulation processing is performed to obtain a sound pressure distribution of a target audio signal (reproducing audible sound signal) to be used for an output, thereby improving sound quality of an acoustic signal outputted from a directional speaker.例文帳に追加

超音波の搬送波を音声信号で変調する構成とすることで、パラメトリック効果によらない小型で狭指向性の可聴音場を形成すると共に、超音波の搬送波の変調において、出力使用とする目的の音声信号（再生可聴音信号）の音圧分布が得られるような変調処理を行うことによって、指向性スピーカーから出力される音響信号の音質を向上させる。 - 特許庁

The field effect transistor is provided with a layer of an organic conductive compound having mixed or combined structure capable of being bonded with a metal compound at least at two or more parts in the layer and at the end of the layer; and the gate electrode, an insulator layer separating the gate electrode, and the layer of the organic conductive compound are formed on the layer of the organic conductive compound.例文帳に追加

基板上に、その層中の少なくとも２箇所以上の部分で金属化合物と混合若しくは化合した、該金属化合物と結合しうる構造を末端に有する有機伝導性化合物の層を有し、該有機伝導性化合物の層上に、ゲート電極と、該ゲート電極及び上記有機伝導性化合物の層を隔てる絶縁体層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

A film obtained from the composition is useful as a hole injection layer in organic electronic devices, including electroluminescent devices such as, for example, organic light-emitting diode (OLED) displays, as a hole extraction layer in organic optoelectronics devices such organic photovoltaic devices, and in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors.例文帳に追加

本発明の組成物から得られる膜は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ等のエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機エレクトロニクスデバイスにおける正孔注入層として、有機光電デバイス等の有機オプトエレクトロニクスデバイスにおける正孔引抜き層として、金属ナノワイヤーまたはカーボンナノチューブと組み合わせて薄膜電界効果トランジスタにおけるドレイン、ソースまたはゲート電極等の用途に有用である。 - 特許庁

The semiconductor device has a MIS type field effect transistor having a silicon substrate (1), an insulation film (6) formed on the silicon substrate containing at least one of nitrogen and oxygen, and silicon, a metallic acid nitride film (7) formed on the insulation film containing at least one kind of a metallic atom of zirconium and hafnium, and a gate electrode (8) formed on the metallic acid nitride film.例文帳に追加

シリコン基板（１）と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも１種とシリコンとを含有する絶縁膜（６）と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１種の金属原子を含む金属酸窒化膜（７）と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極（８）とを具備するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備える半導体装置である。 - 特許庁

The structure utilizes the gradient structure of two functions including the primary coil set of high efficiency for strengthening the performance of an ultra high speed MR sequence while minimizing an eddy current effect and dB/dt and is appropriate for an MR use including the primary coil set of low efficiency provided with a high quality gradient magnetic field appropriate for an image formation use having originally low dB/dt and eddy current level.例文帳に追加

この構造は、ｄＢ／ｄｔと渦電流効果を最小にしつつ超高速ＭＲシーケンスの性能を強化する高効率の一次コイルセットを含む２機能の勾配構造を利用すると共に本来的に低いｄＢ／ｄｔと渦電流レベルとを有する従来の画像形成用途に適切な高品質勾配磁場を有する低効率の一次コイルセットを含むＭＲ用途に適切である。 - 特許庁

Later the Imperial government came up with the reform ideas of stopping a part of the nenryo betsuno sokoku and transfering it to fudokoku; however, there was no effect; in 964 a new rule, Shini Fudokokusei was introduced, determining that the source of fudokoku should be a new tax substituting rice field tax, but the central government left the execution and management of this new rule to the officials in provinces; therefore, it seems to have come to an end before anything was done there. 例文帳に追加

その後も年料別納租穀の一部停止と不動穀への転用などの再建策が出されたが効果は無く、康保元年（964年）には令制国に対して不動穀の財源を田租に代わる税より賄うとする新委不動穀制（しんいふどうこくせい）が導入されるが、その実施と管理を令制国側に一任したために、現地ではほとんど実施されずに終わったとみられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the plasma etching system, control of plasma density spatial distribution performed by varying the ratio of field strength between an outer upper electrode 36 and an inner upper electrode 38 has substantially no effect on the control of radical density spatial distribution performed by varying the ratio of flow rate of processing gas between central shower heads (62, 56a) and peripheral shower heads (64, 56a).例文帳に追加

このプラズマエッチング装置では、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド（６２，５６ａ）と周辺シャワーヘッド（６４，５６ａ）との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。 - 特許庁

In the optical controlling element comprising a substrate 1 consisting of a material having an electro-optic effect, several optical waveguides 30 formed on the substrate, and the modulating electrode for applying an electric field to the optical waveguides, the modulating electrode is characterized by having at least two branching and confluence lines 31, 32 for applying the same modulating signal into different optical waveguides on the same line.例文帳に追加

電気光学効果を有する材料からなる基板１と、該基板上に形成された複数の光導波路３０と、該光導波路に電界を印加する変調電極とを有する光制御素子において、該変調電極は、異なる光導波路に同一の変調信号を印加するための分岐・合流線路３１，３２を、同一線路上に少なくとも２組以上有することを特徴とする。 - 特許庁

The field effect transistor includes a gate electrode film 14, the plurality of semiconductor nanowires 11 disposed so as to pass through the gate electrode film 14, a source electrode film 12 formed so as to be in contact with one end of each of the semiconductor nanowires 11 to connect them, and a drain electrode film 13 formed so as to be in contact with the other end of each of the semiconductor nanowires to connect them.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極膜１４と、ゲート電極膜１４を貫通するように配置された複数の半導体ナノワイヤ１１と、半導体ナノワイヤ１１のそれぞれの一端に接触してそれらを接続するように形成されたソース電極膜１２と、半導体ナノワイヤのそれぞれの他端に接触してそれらを接続するように形成されたドレイン電極膜１３とを含む。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

To provide an inexpensive, small-sized and easily-manufacturable localized plasmon enhancing sensor having a great signal enhancing effect, capable of measuring even a low-concentration material to be measured accurately and qualitatively/quantitatively, by causing a fluorescent excitation phenomenon or recoupling scattering light by an enhanced electric field of a localized plasmon phenomenon excited in a fine structure by light irradiation, and by monitoring light emission.例文帳に追加

本発明は、光照射により微細構造に励起される局在プラズモン現象の増強電場をもって、蛍光励起現象もしくはリカップリング散乱光を引き起こし、発光をモニタリングすることで、信号増強効果が大きく、低濃度の被測定物質であっても正確に定性・定量することができ、且つ、小型で、製造が容易で安価な局在プラズモン増強センサシステムを提供する。 - 特許庁

An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁

A plurality of cards comprising the deck 1 includes a plurality of fighting type damage absorbing power display cards CH and M displaying an offensive power and a defensive power, a plurality of display effect exhibiting type damage absorbing power display cards I exhibiting displayed effects when being used, and simple type damage absorbing power display cards D exhibiting a function only when being placed on a card game field 7.例文帳に追加

デッキ１を構成する複数枚のカードに、攻撃力と守備力とが更に表示された複数枚の対戦タイプのダメージ吸収力表示カードＣＨ，Ｍと、使用されたときに表示されている効果を発揮する複数枚の表示効果発揮タイプのダメージ吸収力表示カードＩと、カードゲーム用フィールド７上に置かれている場合にのみ機能を発揮する単純タイプのダメージ吸収力表示カードＤとを含める。 - 特許庁

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1.例文帳に追加

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。 - 特許庁