| 例文 (2件) |
GHVを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
In a silicon substrate 1, a gate insulating film 4b, a polycrystalline silicon film 5, an electrode insulating film 6, and a polycrystalline silicon film 7 are laminated, and then a gate electrode GHV is formed by etching.例文帳に追加
シリコン基板1にゲート絶縁膜4b、多結晶シリコン膜5、電極間絶縁膜6、多結晶シリコン膜7を積層し、エッチングによりゲート電極GHVを形成する。 - 特許庁
After a spacer 10a is formed in the side wall of the gate electrode GHV, a silicon oxide film 11 and a silicon nitride film 12 are formed in the surface of the spacer 10a and the surface of the silicon substrate 1, and a silicone oxide film 13 is formed and made flat thereon.例文帳に追加
ゲート電極GHVの側壁にスペーサ10aを形成後、スペーサ10aの表面およびシリコン基板1の表面にシリコン酸化膜11、シリコン窒化膜12を形成し、この上にシリコン酸化膜13を形成して平坦化する。 - 特許庁
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