In ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12096件
Dust in air W1 emitted from a blower 13 into a first duct 17 is decomposed by ions fed from an ion generator 15, and the air W1 is discharged from outlets 27a and 28a as air W2.例文帳に追加
ブロア13から第1のダクト17内に吐出された空気W1は、イオン発生機15から供給されるイオンによって、塵埃が分解され、排出口27a,28aから空気W2として排出される。 - 特許庁
In a semiconductor device having a SiGe HBT part, a high-density base region based on ion implantation of a depth which does not reach the collector region is formed on an external base portion of the HBT portion.例文帳に追加
本願発明は、SiGe系HBT部を有する半導体装置において、HBT部の外部ベース部に、コレクタ領域に達しない深さのイオン打ち込みによる高濃度ベース領域が形成されているものである。 - 特許庁
To provide a method for making cross-sectional observation samples by mirror polishing the samples with ion beam, the method shortening the time needed to obtain polished areas sufficient for analysis in the case of a plurality of samples.例文帳に追加
イオンビームを用いて試料を鏡面研磨する断面観察試料の作製方法であって、複数の試料について、分析に充分な研磨面積を得るために要する時間が短縮された方法を提供する。 - 特許庁
To provide a charged particle beam device having a mechanism in which ionic liquid shape and membrane thickness are adjusted to be adhered to samples so as to be suitable for various observations by electronic microscope or processing by ion beam.例文帳に追加
電子顕微鏡等による各種観察やイオンビームによる加工に適するように、試料に付着させるイオン液体の形状及び膜厚を調整する機構を有する荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁
To provide a fluorine adsorbing treating method which is a method for carrying out adsorption removal of fluoride ions in water by an adsorbent and which can treat fluorine ion-containing wastewater to or below a fluorine emission standard value over a long period of time.例文帳に追加
本発明は、水中のフッ化物イオンを吸着剤により吸着除去する方法であり、長時間にわたってフッ素放出基準値以下まで処理できるフッ素吸着処理方法を提供する。 - 特許庁
By this arrangement, in the fuel supply device 1, the fuel can be circulated between the fuel tank 3 and the metal ion remover 16 irrespective of fuel supply to an internal combustion engine 2 by the injector 6.例文帳に追加
これにより、燃料供給装置1では、インジェクタ6による内燃機関2への燃料供給とは係わりなく、燃料タンク3と金属イオン除去手段16との間で燃料を循環させることができる。 - 特許庁
To provide an ion generating element and a charging device capable of setting size and shape of an induction electrode inexpensively and properly in accordance with the conditions and discharging electricity stably and efficiently to provide an image forming apparatus using them.例文帳に追加
低コストで、条件に応じて誘導電極の大きさや形状を適切に設定でき、安定した効率のよい放電を行える、イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁
The dispersion liquid is made by dispersing the electrophoretic particles 6 in a dispersion medium 5 having a hue different from the hue of the electrophoretic particles 6 and its ion intensity is adjusted to be ≥1×10^-4 and ≤1×10^-2.例文帳に追加
電気泳動粒子6を、上記電気泳動粒子6と異なる色相を有する分散媒5に分散させてなる分散液であって、イオン強度を1×10^−4以上、1×10^−2以下に調整する。 - 特許庁
To provide a blast type ion generating device in which a high destaticizing effect is obtained and cleaning of dust attaching to a discharge electrode can be carried out very easily, without contaminating the surrounding, while preventing leakage of high voltage.例文帳に追加
高い除電効果が得られ、高電圧の漏洩を防止して、放電電極に付着する塵埃の掃除を周囲を汚染することなく極めて容易に行うことができる送風式イオン生成装置を提供する。 - 特許庁
A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加
素子孔12a内にレジスト層16をマスクとし且つ酸化膜14aを介してアルゴン(又はフッ素)イオンを1又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層18を形成する。 - 特許庁
A second thin gate oxide film that is formed on a semiconductor substrate 10 in a second region goes through the elimination of a through oxide film 20 after ion implantation and a formation process of the gate oxide film only once.例文帳に追加
第2領域における半導体基板10に形成された膜厚の薄い第2ゲート酸化膜は、イオン注入後のスルー酸化膜20の除去、およびゲート酸化膜の形成工程を1度しか経ない。 - 特許庁
After the completion of the decontamination, film forming aqueous solution to be used for ferrite film formation (containing organic acid solution containing iron (II) ion, oxidizer, and pH adjustor) is adjusted in temperature, and the ferrite film is formed on the pipe inner surface.例文帳に追加
除染終了後、フェライト皮膜形成に用いる皮膜形成水溶液(鉄(II)イオンを含む有機酸溶液、酸化剤及びpH調整剤を含む)の温度調整を行い、配管内面にフェライト皮膜を形成する。 - 特許庁
In an electro-optical device 100, an element substrate 10 includes a recessed ion adsorption part 105 formed between a side 107a of a sealing member 107, where sealant 108 is provided and an image display area 10a.例文帳に追加
電気光学装置100において、素子基板10には、シール材107の封止材108が設けられている辺107aと、画像表示領域10aとの間に凹状のイオン吸着部105が形成されている。 - 特許庁
It is also equipped with a casing 31, where the needle-shaped electrode 3 is disposed face to face with the ion storage member 4 and a fan 35 provided in the casing 31, to transfer positive and negative air ions generated by the corona discharge.例文帳に追加
針状電極3とイオン蓄積部材4とが対向配置された筐体31と、筐体31に設けられ前記コロナ放電により発生する正または負の空気イオンを移送するファン35とを備える。 - 特許庁
Since well ion implantation can be carried out prior to the gate formation, sacrificial oxide growth and the exposure of STI oxide due to the removal can be prevented and an excessive recess in the STI structure can be eliminated.例文帳に追加
ゲート形成前にウェル・イオン注入を実行することができ、それにより、犠牲酸化物成長および除去に対するSTI酸化物の露出を防止し、STI構造内の過剰な凹部を解消する。 - 特許庁
To provide a hair drier provided with a negative ion generating device which generates sufficient quantity of ions substantially without causing increase of weight or volume of the drier, and which, therefore, can be lightly operated in any place.例文帳に追加
ドライヤーの重量や体積の増加をほとんど生じず、しかも十分なイオンを発生することができ、ひいては軽快に操作ができて使用場所の制限もない負イオン発生装置付ヘアードライヤーを提供する。 - 特許庁
The electrode parts 151, 152, 154, 155 of the ion generator 150 are positioned to face to the ventilation passage 130 from a first wall 131 constituting one part of the ventilation passage 130 in parallel to all of tangential directions.例文帳に追加
イオン発生器150の電極部151,152,154,155は、全ての接線方向と平行で通風経路130の一部を構成する第1壁面131から通風経路130に臨むように位置している。 - 特許庁
A sample stage 5 and a gas supply unit 9 are disposed in the sample chamber 7 of a focus ion beam system and a microscope 31 is interposed between a sample 6 on the sample stage 5 and the gas nozzle 10 of the gas supply unit 9.例文帳に追加
集束イオンビーム装置の試料室7内に試料ステージ5とガス供給ユニット9とを設け、試料ステージ5上の試料6とガス供給ユニット9のガスノズル10との間にマイクロスコープ31を設ける。 - 特許庁
The pure water unit 40 has a passage 42 opened upward and formed into a U-shaped form, and a fill part 43 with an antibacterial agent 43b mixed with an ion exchange resin 43a is formed in the passage 42.例文帳に追加
純水器40は上方に開放されたU字状に形成された通路42を備え、その通路42内にはイオン交換樹脂43aに抗菌剤43bが混床された充填部43が形成されている。 - 特許庁
To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加
低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるDMOS素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an all-solid battery for household electric appliance which has no liquid junction and has high heat resistance and safety, in which battery characteristics can be maintained against repeated charge and discharge, and high output is obtained, and which has high ion conductivity.例文帳に追加
液絡がなく、耐熱性、安全性の高い、繰り返しの充放電に対して電池特性を維持することができ、かつ、高出力の得られるイオン伝導性の高い家電用全固体電池を提供することである。 - 特許庁
To provide a building interior material capable of efficiently supplying a negative ion inside a building, particularly, in a living room, without applying mechanical external force such as vibration and friction, without generating a radioactive ray.例文帳に追加
放射線の発生をともなわず、また振動や摩擦等の機械的外力を加えることなしに、建築物内部、特に居住室内にマイナスイオンを効率的に供給することができる建築物内装材を提供する。 - 特許庁
A current-carrying member is molded and embedded in a wall of the housing of this ion generator 1, and high-frequency high-voltage power is supplied to a discharge electrode plate from a circuit board 5 through the current-carrying member.例文帳に追加
イオン発生装置1の筐体の壁内に通電部材をモールドして埋め込み、その通電部材を介して回路基板5から放電電極板に対して高周波の高圧電力を供給するようにした。 - 特許庁
To provide an all-solid battery for power storage which has no liquid junction, has high heat resistance and safety, in which battery characteristics can be maintained against repeated charge and discharge, high output is obtained, and which has high ion conductivity.例文帳に追加
液絡がなく、耐熱性、安全性の高い、繰り返しの充放電に対して電池特性を維持することができ、かつ、高出力の得られるイオン伝導性の高い蓄電用全固体電池を提供することである。 - 特許庁
Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加
不純物拡散領域29の不純物濃度を、同一基板1上に集積される微細CMOSデバイスのN−LDD領域31と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁
An oxide film of 2-20 μm thickness comprising MgO, Al2O3 or ZrO2 is formed on a nitride film formed by cathode arc type ion plating and a TiAlN film is further formed in 2-7 μm thickness on the oxide film.例文帳に追加
また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、厚さ2〜20μmのMgO、Al_2O_3、または、ZrO_2からなる酸化膜を形成し、更にその上にTiAlN膜を2〜7μm形成した膜構造。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS.例文帳に追加
電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生MOS部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an electro-desalting method preventing the accumulation of scale on a collector, capable of vertically passing water through an activated carbon bed and high in the removal efficiency of an ionic substance and ion holding quantity, and an electro-desalting apparatus.例文帳に追加
集電極にスケールが堆積しない、しかも活性炭層に垂直に通水することが可能なイオン性物質除去効率、イオン保持量の高い電気脱塩方法及び電気脱塩装置を提供すること。 - 特許庁
The electrodialyzer 42 separates the ions in the fluid to be treated by an electrodialysis method to make deionized water flow out of a deionized water pipe 44 and to make ion-concentrated water flow out of a salt- concentrated water pipe 46.例文帳に追加
電気透析装置42は、電気透析法により処理流体中のイオンを分離して、脱イオン水管44から脱イオン水を流出させ、塩濃縮水管46からイオン濃縮水を流出させる。 - 特許庁
In this way, only with mounting the secondary battery pack 21 on the various kinds of electronic devices of the power supply circuit 1 or the like, the lithium ion secondary battery 22 can be charged by the optimal voltage, without adding any improvement to the electric device.例文帳に追加
このように、二次電池パック21を電源回路1などの各種の電子装置に装着するだけで、電子装置内に一切手を加えることなく、リチウムイオン二次電池22を最適な電圧で充電することができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein an etching height is not varied by a change in an etching speed due to ion implantation to an element isolation insulating film when forming a CMOS having an STI type element isolation structure.例文帳に追加
STI型の素子分離構造を有するCMOSを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A composition, comprising a wood vinegar or a bamboo vinegar, added with a metal ion and compounded with a reducing ash extract solution obtained by extracting water-soluble ingredients from the reducing ash yielded in producing charcoal or bamboo charcoal, is provided.例文帳に追加
木酢液又は竹酢液に金属イオンが添加され、さらに、木炭又は竹炭を製造する際に生じる還元灰から水溶性成分を抽出した還元灰抽出液が配合された組成物。 - 特許庁
A shadow mask 125 is placed over the carbon layer 120 and reactive ion etch (RIE) is used to transfer holes 130 in the shadow mask 125 to the carbon layer 120, to thereby form a carbon mask.例文帳に追加
シャドウマスク125は、炭素層120の上に載置されており、反応性イオンエッチング(RIE)が用いられることにより、シャドウマスク125のホール130が炭素層120に転写され、それにより、炭素マスクを形成する。 - 特許庁
A condensed water purifying means 32 for purifying the condensed water 25 by removing sulfuric acid ion generated by dusts and the EGR gas in the condensed water 25 being cooled is connected to the lower part of the condensed water tank 27.例文帳に追加
凝縮水25中の塵埃及びEGRガスが冷却されて発生した硫酸イオンを除去して凝縮水25を浄化する凝縮水浄化手段32が凝縮水タンク27の下部に接続される。 - 特許庁
The ion air fed with the feed tube 22 is blown off from the downstream side of the transfer direction of a paper conveyance belt 6 to each transcription nip part on which toner in the first to third colors (M, C, Y) are transcribed.例文帳に追加
送給チューブ22にて送給されてきたイオンエアーは、1色目〜3色目のトナー(M,C,Y)が転写される各転写ニップ部に対し、用紙搬送ベルト6の移動方向の下流側から噴出される。 - 特許庁
An alkali ion water of strong alkalinity at pH≥12 in an amount of 3-5 based on 1 of water containing mineral components such as spring water or deep sea water is mixed therewith and the resultant mixture is diluted to 5-10 times with water.例文帳に追加
湧水や海洋深層水などのミネラル分を含有した水1に対し、pH12以上の強アルカリ性のアルカリイオン水を3〜5の割合で混合し、これを水で5〜10倍に希釈して水溶液とした。 - 特許庁
The fine processing is carried out by ion irradiation using the stencil mask comprising the self-assembled monolayer constitution body provided with the self-assembled monolayer in which tensile stress is generated on the solid surface by irradiation with corpuscular beam.例文帳に追加
粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせる自己組織単分子膜を備えている自己組織単分子膜構成体からなるステンシルマスクを用いてイオン照射により微細加工する。 - 特許庁
Introducting the raw gas into the vacuum vessel 1 in the decompounded state, can introduce a radical or an ion on the sample uniformly to improve the uniformity of the sample even though the plasma density profile is nonuniform.例文帳に追加
原料ガスを分解した状態で真空容器1に導入することにより、プラズマ密度分布が不均一な場合でも、試料上に均一にラジカルやイオンを導入でき試料の均一性を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a zwitter ion type compound which has excellent dispersibility and is hardly decomposed, even when heated at high temperature, and can thereby suitably be used as additives, such as an antistatic agent, to be kneaded and used in resins.例文帳に追加
分散性に優れるとともに、高温加熱時にも分解しにくいため、樹脂に練り込んで使用される帯電防止剤などの添加剤として好適に利用できるツビッターイオン型化合物を提供すること。 - 特許庁
By having ion implantation in a substrate having the passivation layer 112, an ROM code programming step is conducted.例文帳に追加
そして、このパッシベーション層112を選択的に食刻してボンディングパッドを露出する工程を実行してから、パッシベーション層112が形成された基板にイオン注入を実行することでROMコードプログラミング工程を行う。 - 特許庁
In this ion beam/charged-particle beam irradiator provided with a post-stage energy analyzer, a post-stage energy analyzer comprises a deflecting electrode 24 and a deflection magnet 22 which are used by switching.例文帳に追加
後段エネルギー分析装置を備えるイオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置において、後段エネルギー分析装置を、偏向電極24及び偏向磁石22により構成し、これらを切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁
To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles.例文帳に追加
高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR EVALUATING CONCENTRATION OF ION IMPURITY IN SECONDARY COOLANT AT PWR-TYPE NUCLEAR POWER PLANT AND METHOD FOR OPERATING SECONDARY COOLING SYSTEM AT PWR-TYPE NUCLEAR POWER PLANT USING SUCH EVALUATION SYSTEM例文帳に追加
PWR型原子力発電所における二次冷却材中のイオン不純物濃度評価方法及びこの評価方法を用いたPWR型原子力発電所の二次冷却系統の運転システム - 特許庁
In the method for depositing a fluoride film on a substrate, at the time of vapor-depositing a fluoride by a vapor deposition method so as to deposit a film, the vapor depositing face is irradiated with fluorine based gas cluster ion beams.例文帳に追加
基板上にフッ化物膜を成膜する方法であって、蒸着法によりフッ化物を蒸着させて成膜を施す際に、蒸着面にフッ素系ガスクラスターイオンビームを照射することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method, which solidifies a variety of radioactive waste related to spent ion exchange resin generated from nuclear facilities in a common way, and also which restrains the yield of hydrogen gas.例文帳に追加
原子力施設から発生する使用済みイオン交換樹脂に関係する様々な放射性廃棄物に対し、共通の方法で固型化することができ、しかも水素ガス発生量を抑制できる固化方法を提案する。 - 特許庁
To dissolve not only an ion exchange resin without using a catalyst, but also TOC in a treatment liquid successfully, thereby allowing an improved volume reduction rate and a successful separation recovery of a radioactive material.例文帳に追加
触媒を用いることなくイオン交換樹脂を分解できると共に処理液中のTOCをも良好に分解でき、もって減容率の向上ならびに放射性物質の良好な分離回収を可能とすること。 - 特許庁
The drain neutralization apparatus 2 is provided with: the neutralization vessel 3 for storing a drain temporarily and neutralizing the stored drain by a neutralizer 35; and a supply means 5 for supplying a sterilizing metal ion to the drain in the neutralization vessel 3.例文帳に追加
ドレン中和装置2は、ドレンを一時的に貯留して中和剤35により中和させる中和容器3と、中和容器3内のドレンに殺菌性金属イオンを供給する供給手段5とを備える。 - 特許庁
Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加
その後、前記n^-型半導体基板45のカソード面側にイオンを注入して、前記n^-型半導体基板45の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層23を形成する(S3a)。 - 特許庁
The metal oxide ion in a solution is reduced by removing an oxidizing species from the solution under radioactive rays without adding a reducing agent to the solution.例文帳に追加
溶液中の金属酸化物イオンを還元する方法であって、還元剤を添加することなく放射線存在下にて前記溶液から酸化種を除去することにより、前記金属酸化物イオンを還元する方法。 - 特許庁
The nonwoven fabric is formed by immersing the laminated nonwoven fabric composed of the water-absorbable nonwoven web and the non-absorbable nonwoven web laminated together in an aqueous solution of a borate ion condensation polymer salt and drying the resultant body.例文帳に追加
前記不燃性積層不織布が、吸水性不織ウェブと非吸水性不織ウェブとが積層してなる積層不織布をホウ酸イオン縮重合体塩の水溶液に浸漬後、乾燥させることにより得られたものである。 - 特許庁
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