「Intersection array」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On the wiring substrate 1, a first rectangular zone Z1 surrounded by screw fastening places P1 to P4 and a second zone Z2 outside the first zone Z1 are formed in a partitioned way, and a ball grid array 2 is mounted at an intersection of a longitudinally traversing space S1 and a latitudinally traversing space S2 which both make up the second zone Z2.例文帳に追加

配線基板１に、ビス止め箇所Ｐ１〜Ｐ４によって取り囲まれた矩形の第１領域Ｚ１とその第１領域Ｚ１の外側の第２領域Ｚ２とを区画形成し、ボールグリッドアレイ２を、第２領域Ｚ２を形作っている縦通スペースＳ１と横断スペースＳ２との交差箇所に搭載する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device has: a plurality of first wiring lines; a plurality of second wiring lines that intersects with the first wiring lines; and a memory cell array having a plurality of memory cells that comprises variable resistive elements for storing electrically re-writable resistance values, which are arranged at each intersection between the first wiring lines and the second wiring lines, in a nonvolatile manner as data.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数の第１の配線、第１の配線に交差する複数の第２の配線、並びに第１及び第２の配線の各交差部に配置された電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子からなる複数のメモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes a memory cell array MA having memory cells MC arranged therein at respective intersections between bit lines BL and word lines WL, a plurality of memory blocks 1 in which the memory cell arrays MA are laminated, and a control circuit configured to apply a voltage to a selected memory cell MC positioned at an intersection between the selected bit line BL and the selected word line WL so that a certain potential difference is applied thereto.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣがビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、メモリセルアレイＭＡが積層された複数のメモリブロック１と、選択ビット線ＢＬ及び選択ワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう電圧を印加する制御回路とを備える。 - 特許庁

The microlens array is manufactured by using a density distributed mask, in which each individual unit lens of the density distributed mask is divided by virtual concentric gradation boundary circles formed from the center of the unit lens pattern, and in each annular region of the unit lens, a rhombic light-shielding pattern having a dimension in accordance with the corresponding gradation is positioned at a grid point which is an intersection of virtual vertical and horizontal grids.例文帳に追加

濃度分布マスクの個々の単位レンズのパターンの中心から同心円状に形成した仮想的な階調境界円により分割された単位レンズの環状領域毎に、階調に応じた寸法の菱形の遮光パターンを、仮想的な縦横の格子の交点の格子点の位置に設置した濃度分布マスクを用いてマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a plurality of first wiring and second wiring intersecting each other; a memory cell array including the plurality of memory cells connected to each intersection part of the plurality of first wiring and second wiring; and a first wiring control circuit and second wiring control circuit for respectively selecting the first wiring and second wiring to supply voltage and current required for a reset operation or set operation of the memory cells.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第１配線及び第２配線、これら複数の第１配線及び第２配線の各交差部に接続された複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、前記第１配線及び第２配線をそれぞれ選択し、前記メモリセルのリセット動作又はセット動作に必要な電圧又は電流を供給する第１配線制御回路及び第２配線制御回路とを備える。 - 特許庁