例文 (56件) |
Interconnection Padの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 56件
A dummy via hole that has a depth of at least two insulating layers and is not required electrically is connected to the surface conductor pattern for installing an I/O pin on the ceramic multilayer interconnection board and at the same time to an inner-layer pad being larger than the diameter of the via hole by 20% or more.例文帳に追加
セラミック多層配線基板の入出力ピン設置用表面導体パターンに、絶縁層2層以上の深さを有する電気的に必要の無いダミーのビアホールが接続し、かつそのビアホールがその直径より20%以上大きい内層パッドに接続する構造とする。 - 特許庁
Furthermore, a third interlayer insulating film 212 is formed, then a capacitor linking connection hole 213 is formed by taking advantage of a part of the third insulating film on the capacitor and a part of the third and second insulating film on the pad, and a buried local interconnection wire 214 is formed of a second conductive layer.例文帳に追加
さらに第3層間絶縁212を形成後、キャパシタ上の第3絶縁膜の一部とパッド上の第3、第2絶縁膜の一部をして、キャパシタ連結用接続孔213を形成し、それを第2伝導層で埋込み局所的相互接続線214を形成する。 - 特許庁
After finishing electrical check with check pads 4 and before punching a tape carrier package for mounting, a carrier can be fixed to a mounter on the tape carrier package use side under a state, where a removed region 6 is provided previously so that interconnection of lead part and check pad does not exist in a punching cut region 5.例文帳に追加
チェックパッド4による電気的なチェックが完了した後、実装のためにテープキャリアパッケージを打ち抜く前に、打ち抜き切断領域5にリード部とチェックパッドとの接続配線が存在しないように予め除去した領域6を設けた状態でテープキャリアパッケージユーザー側での実装装置に装着できるようにした。 - 特許庁
The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places.例文帳に追加
この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド4の上面にメッキ処理でバンプ電極6を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン10に絶縁層3aが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。 - 特許庁
The interconnection has a wire (304) attached to the pad by ball bonding (305); a loop (306) in the wire, which is closed by bonding the wire to itself (307) near the ball; and the remainder of the wire, extending substantially in parallel with the surface of the chip.例文帳に追加
この相互接続は、ボールボンディング(305)によって前記パッドに取り付けられたワイヤ(304)、前記ワイヤを前記ボールの近くのそれ自体(307)にボンディングすることによって閉じられた前記ワイヤにおけるループ(306)、及び前記チップの前記表面にほぼ平行に延びる前記ワイヤの残りの部分を有する。 - 特許庁
A lateral offset between an anchor portion of a microspring 5 disposed for contact at a bottom surface of an interposer 2 and a tip of the microspring 5 located in a free portion of the microspring 5 for contact and deflection over a top surface of the interposer 2 permits the interconnection of devices having different bonding pad pitches.例文帳に追加
インターポーザ2の下端面において接触するように配設されたマイクロスプリング5の固定部分と、インターポーザ2の上端面全体にわたって接触して、かつたわむように、マイクロスプリング5の自由部分に位置するマイクロスプリング5の先端部と、の間の横方向の片寄りが、異なるボンディングパッドのピッチを有するデバイスの相互接続を可能にする。 - 特許庁
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