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「JUNCTION DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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JUNCTION DIODEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 338



例文

TWO-DIODE JUNCTION DEVICE例文帳に追加

2ダイオード接合素子 - 特許庁

JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオード - 特許庁

JUNCTION DIODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING JUNCTION DIODE例文帳に追加

接合ダイオード、および接合ダイオードを作製する方法 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PN JUNCTION DIODE例文帳に追加

pn接合ダイオード及びpn接合ダイオードの製造方法 - 特許庁

例文

METHOD FOR MANUFACTURING pn JUNCTION DIODE AND pn JUNCTION DIODE例文帳に追加

pn接合ダイオードの製造方法及びpn接合ダイオード - 特許庁


例文

PN-JUNCTION-TYPE LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

pn接合型発光ダイオード - 特許庁

SCHOTTKY, P-N JUNCTION DIODE, AND PIN JUNCTION DIODE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法 - 特許庁

TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE例文帳に追加

透明酸化物p−n接合ダイオード - 特許庁

The temperature sensor is a pn junction silicon diode.例文帳に追加

温度センサは、pn接合シリコンダイオードである。 - 特許庁

例文

Further, a Schottky diode is used as the SiC diode and a PN junction diode or PIN diode is used as the Si diode.例文帳に追加

また、SiCダイオードをショットキー型ダイオード、SiダイオードをPN接合型ダイオードまたはPIN型ダイオードとする。 - 特許庁

例文

PN JUNCTION DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

PN接合ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF SCHOTTKY JUNCTION SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE例文帳に追加

ショットキ接合型半導体ダイオード装置の製法 - 特許庁

SILICON JUNCTION DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコン接合型ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

pn接合型化合物半導体発光ダイオード - 特許庁

P-N JUNCTION ORGANIC DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

pn接合型有機ダイオードとその製造方法 - 特許庁

PN JUNCTION DIODE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

PN接合ダイオード装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a pn junction diode device which can further be reduced in size and also provide a method of manufacturing the same pn junction diode device.例文帳に追加

より小型が可能なPN接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置1は、SJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)17の寄生ダイオードと並列に、SBD(Schottky Barrier Diode)20を備えている。 - 特許庁

DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁

DISSIMILAR MATERIAL JUNCTION-TYPE DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

異種材料接合型ダイオード及びその製造方法 - 特許庁

To suppress a parasitic resistance of a pn junction diode.例文帳に追加

pn接合ダイオードの寄生抵抗を抑制すること。 - 特許庁

In this case, the pn junction diode and the Schottoky junction diode are connected in series from the viewpoint of the equivalent circuit, and the breakdown voltage is determined with a value of the junction diode.例文帳に追加

このとき、等価回路的にはpn接合ダイオードとショットキー接合ダイオードが直列接続された状態になり、耐圧はpn接合ダイオードの値で決まる。 - 特許庁

To lower the on-state resistance of a junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードのオン抵抗を低下させる。 - 特許庁

SCHOTTKY JUNCTION TYPE SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ショットキ接合型半導体ダイオード装置及びその製法 - 特許庁

To increase a junction area of a pn junction diode and to enable cost reduction thereof.例文帳に追加

pn接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。 - 特許庁

METHOD FOR JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE, DIODE AND METHOD OF OPERATION THEREOF例文帳に追加

ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法 - 特許庁

METHOD OF LINEARITY ADJUSTMENT, MANUFACTURING METHOD OF PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE, AND PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE例文帳に追加

直線性調整方法、PN接合型可変容量ダイオードの製造方法、およびPN接合型可変容量ダイオード - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 - 特許庁

SILICON-CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

A pn junction forms a diode between the polysilicon gate 13 and the diode polysilicon 15.例文帳に追加

ポリシリコンゲート13とダイオード用ポリシリコン15のPN接合によってダイオードが形成されている。 - 特許庁

A cathode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a cathode of the first PN junction diode 11a.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード21のカソードは、第1のPN接合ダイオード11aのカソードに接続されている。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode which can make compatible the reduction of a leakage current and the increase of an on-current while avoiding the reduction of a breakdown voltage of the junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。 - 特許庁

A first PN junction diode is connected to the current detecting resistor.例文帳に追加

電流検出抵抗には、第1のPN接合ダイオードが結合されている。 - 特許庁

To reduce leakage current arising in a PN junction diode to control charge-up current that is connected to the PN junction diode through plasma treatment during wiring formation.例文帳に追加

PN接合ダイオードに生じるリーク電流を低減し、PN接合ダイオードに接続される配線形成でのプラズマ処理によるチャージアップ電流を制御する。 - 特許庁

A first diode 12 and a second diode 13 form a diode-OR circuit, and supply the source voltage V1 to the electronic apparatus from their junction.例文帳に追加

第1のダイオード12と第2のダイオード13とはダイオードオア回路を構成しており、接続点から電子機器に電源V1を供給する。 - 特許庁

The semiconductor device can be also applied to ohmic electrode, such as a p-n junction diode.例文帳に追加

本発明はpn接合ダイオードなどのオーミック電極にも応用できる。 - 特許庁

SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION例文帳に追加

少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード - 特許庁

Consequently, the diode 8 for antistatic protection will not turn on, and the penalty which is the exclusion time of a charge time of the diode for antistatic protection (p-n junction diode) is avoided.例文帳に追加

その結果、静電保護用ダイオード8はターンオンせず、静電保護用ダイオード(pn接合ダイオード)のチャージ時間の抜き去り時間というペナルティを免れる。 - 特許庁

To reduce possibility that the capacitance of a stepped junction variable-capacitance diode is outside the proper range and the diode becomes a defective.例文帳に追加

階段接合型可変容量ダイオードの容量が適正範囲外の不良品となる可能性を減少させる。 - 特許庁

To improve backward breakdown voltage of a Schottky diode or a pn junction diode without adding an intricate step or processing.例文帳に追加

複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードやpn接合ダイオードの逆方向耐圧を改善する。 - 特許庁

diode such that light emitted at a p-n junction is proportional to the bias current 例文帳に追加

バイアス電流と比例するそのようなその光がPN接合で放射されたダイオード - 日本語WordNet

A pn junction diode includes an n^- region 1 and a p^+ region 2.例文帳に追加

n^-領域1とp^+領域2とによりpn接合ダイオードが構成されている。 - 特許庁

To provide constitution which is manufacturable at a low cost for which the ratio of a Schottky junction part to an ohmic junction part is sufficiently high in a JBS diode and an MPS diode.例文帳に追加

JBSダイオードやMPSダイオードにおいて、オーミック接合部に対するショットキー接合部の比率が十分に高く、かつ安価に製造可能な構成とすること。 - 特許庁

In a scribe region 14, a pn junction 15 of a protection diode D1 is formed.例文帳に追加

スクライブ領域14では保護ダイオードD1のPN接合部15を形成する。 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SCHOTTKY JUNCTION例文帳に追加

ショットキバリアダイオードおよびショットキ接合を有する半導体デバイスを作製する方法 - 特許庁

To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加

シリコン半導体のP/N接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたPN接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a diode, having a function of a P-type layer and an N-type layer, the P-type layer has a main junction part a, and a junction part having density different from that at the main junction part a.例文帳に追加

P型層とN型層が接合されたダイオードにおいて、P型層は、メイン接合部a、及びメイン接合部aとは濃度が異なる接合部を有する。 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND WHITE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

pn接合型化合物半導体発光素子、その製造方法、白色発光ダイオード - 特許庁

In addition, a plane of pn junction is formed, and a diode or a transistor is formed.例文帳に追加

あるいは、メサ段差内にpn接合面を設けて、ダイオードやトランジスタを形成する。 - 特許庁

例文

The light reception section 14 composes a pn junction diode with the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

受光部14は、半導体基板10と共にPN接合ダイオードを構成している。 - 特許庁




  
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