例文 (3件) |
Kr ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加
マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁
While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加
マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁
Simultaneously, the thin film is also irradiated whit a second ion beam consisting of a rare gas element (Ar, Kr, Xe, or the like) having larger mass than Ne at 100-300 V accelerating voltage.例文帳に追加
これと同時に、Neよりも質量の大きな希ガス元素(Ar,Kr,Xe等)からなる第2のイオンビームを100〜300Vの加速電圧で照射する。 - 特許庁
例文 (3件) |
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