「MoS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Sources of reset MOS M211 to M233 are connected to the gates of the amplification MOS M311 to M333.例文帳に追加

増幅MOS M311〜M333のゲートには、リセットMOS M211〜M233のソースが接続される。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳイメージセンサ - 特許庁

MOS CAPACITOR例文帳に追加

ＭＯＳ型キャパシタ - 特許庁

MOS IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳイメージ・センサ - 特許庁

MOS MIXER CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳミキサ回路 - 特許庁

MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタ - 特許庁

MOS DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳドライブ回路 - 特許庁

The light emitting element 1 having MOS structure includes a MOS transistor 2 and a ballistic electron source 3 arranged right under the MOS transistor 2.例文帳に追加

MOS構造の発光素子１は、MOSトランジスタ２と、MOSトランジスタ２の直下に配置された弾道電子源３とを備える。 - 特許庁

POWER MOS TRANSISTOR例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS DIODE CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳダイオード回路 - 特許庁

MOS IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサ - 特許庁

The drain of the MOS transistor MN20 and a power source line SAP are connected and the source of the MOS transistor MN20 and the drain of the MOS transistor MN21 are connected.例文帳に追加

MOSトランジスタMN20のドレインと電源線SAPとが接続されており、MOSトランジスタMN20のソースとMOSトランジスタMN21のドレインとが接続されている。 - 特許庁

MOS RECTIFICATION DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ整流装置 - 特許庁

MOS-TYPE IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサ - 特許庁

MOS RESISTANCE CONTROLLER AND MOS ATTENUATOR例文帳に追加

ＭＯＳ抵抗制御装置、ＭＯＳ減衰器 - 特許庁

MOS REGULATOR CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳレギュレータ回路 - 特許庁

MOS MULTIPLICATION CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ乗算回路 - 特許庁

MOS RECTIFYING DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ整流装置 - 特許庁

MOS TYPE IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳ型イメージセンサ - 特許庁

MOS INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳ集積回路 - 特許庁

MOS TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ装置 - 特許庁

LATERAL MOS THYRISTOR例文帳に追加

横型ＭＯＳサイリスタ - 特許庁

MOS TRANSISTOR CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ回路 - 特許庁

Drains of the amplification MOS M311 to M333 are connected to selection MOS M411 to M433 for supplying a power supply voltage.例文帳に追加

増幅MOS M311〜M333のドレインは、電源電圧を供給する選択MOS M411〜M433に接続される。 - 特許庁

MOS-SWITCHING CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳスイッチング回路 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

The first type MOS transistor is mirror-arranged.例文帳に追加

第一の形式のMOSトランジスタをミラー配置する。 - 特許庁

VERTICAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加

縦形ＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR RELAY例文帳に追加

ＭＯＳ半導体リレー - 特許庁

The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁

LATERAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加

横タイプＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS IMAGING DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型撮像装置 - 特許庁

A sense amplifier precharging circuit SPD is constituted of n type MOS transistors MN20, MN21, MN30, MN31, MN32 and Mn33 and the circuits are formed respectively in cross areas.例文帳に追加

センスアンププリチャージ回路SPDは、nチャネル型のMOSトランジスタMN20，MOSトランジスタMN21，MOSトランジスタMN30，MOSトランジスタMN31，MOSトランジスタMN32，及びMOSトランジスタMN33で構成されており、各々クロス領域に形成されている。 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁

MOS OPERATIONAL AMPLIFIER例文帳に追加

ＭＯＳ演算増幅器 - 特許庁

HORIZONTAL TYPE MOS TRANSISTOR例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタ - 特許庁

HIGH FREQUENCY MOS SWITCH例文帳に追加

高周波ＭＯＳスイッチ - 特許庁

BALLISTIC MOS TRANSISTOR例文帳に追加

バリスティックＭＯＳトランジスタ - 特許庁

MOS GATE DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳゲート駆動回路 - 特許庁

MOS-TYPE IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＭＯＳ型撮像装置 - 特許庁

POWER MOS DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

パワーＭＯＳ駆動回路 - 特許庁

HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジタ - 特許庁

In the bias circuit 12, a MOS transistor NB11, a MOS transistor NB12 and a resistive load RB10 are serially connected in the order and provided.例文帳に追加

バイアス回路12は、MOSトランジスタNB11と、MOSトランジスタNB12と、抵抗性負荷RB10をこの順に直列接続して含む。 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体素子 - 特許庁