「ntr.」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By the argon implantation process, the polysilicon film PF1 in the n-channel type MISFET formation region NTR is amorphized.例文帳に追加

このアルゴン注入工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１はアモルファス化する。 - 特許庁

Phosphorous is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of an NchTr forming region NTR with resist 14 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト１４をマスクにしてＮｃｈＴｒ形成領域ＮＴＲの多結晶シリコン膜１３にリンをイオン注入する。 - 特許庁

An MP3 file compressed by an MP3 format is generated after the Ntr audio data is mixed to audio data of a stereo 2ch.例文帳に追加

Ｎｔｒ．オーディオデータは、ステレオ２ｃｈのオーディオデータにミックスされた後、ＭＰ３フォーマットで圧縮されたＭＰ３ファイルが生成される。 - 特許庁

The Ntr audio data is stored in a studio server 104, and the MP3 file is uploaded from the studio server 104 to a shared server 201.例文帳に追加

Ｎｔｒ．オーディオデータは、スタジオサーバ１０４内に保存され、ＭＰ３ファイルは、スタジオサーバ１０４から共有サーバ２０１にアップロードされる。 - 特許庁

The variant includes one or more than mutations in the region including stem-loop 1a and 1b of a 5'-untranslated region (NTR) of the virus genome.例文帳に追加

ウイルスゲノムの５’非翻訳領域（ＮＴＲ）のステムーループ１ａ及び１ｂを含有する領域に一つ又は複数の変異を含有する。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

When the knock strength N is smaller than the threshold value NTR(1) or when the correlation coefficient K(1) is smaller than the threshold value K(2), the vibration waveform is corrected so as to reduce a variation in the strength.例文帳に追加

ノック強度Ｎがしきい値ＮＴＲ（１）より小さい場合、または相関係数Ｋ（１）がしきい値Ｋ（２）より小さい場合、強度の変化量が小さくなるように振動波形が補正される。 - 特許庁

The first MIS transistor nTr includes a first gate insulating film 14A formed on a first active region 10a, having a first high dielectric constant film 14Xa, and a first gate electrode 18A.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒは、第１の活性領域１０ａ上に形成され、第１の高誘電率膜１４Ｘａを有する第１のゲート絶縁膜１４Ａと、第１のゲート電極１８Ａとを備えている。 - 特許庁

The period when the PTR 27 and the NTR 28 configuring the main buffer 300 are simultaneously turned on can be reduced so as to effectively reduce a through-current at switching of an output signal level.例文帳に追加

メインバッファ３００を構成するＰＴｒ２７およびＮＴｒ２８が同時にオン状態となる期間を短縮することができ、出力信号レベルの切り換わり時における貫通電流を効果的に低減できる。 - 特許庁

An audio signal of each input ch101e is supplied to a recorder 102 after signal processing is performed to the audio signal based on various signal processing parameters, multitrack recording is performed to the audio signal by the recorder 102, and Ntr audio data is generated.例文帳に追加

各入力ｃｈ１０１ｅのオーディオ信号は、各種信号処理パラメータに基づいて信号処理された後、レコーダ１０２に供給され、レコーダ１０２によりマルチトラック録音されて、Ｎｔｒ．オーディオデータが生成される。 - 特許庁

In a numerical expression of (Nsp/Ntr)=(N+ε)/J, J: an integer of 1-20, N: a positive integer, ε: a decimal less than 1 in an absolute value, N/J: an irreducible improper fraction or proper fraction by a combination of mutually prime integers and a value of becoming minimum in an absolute value of ε/J.例文帳に追加

（Ｎｓｐ／Ｎｔｒ）＝（Ｎ＋ε）／Ｊ数式中Ｊ：１〜２０の整数、Ｎ：正の整数、ε：絶対値が１未満の小数であり、Ｎ／Ｊは互いに素な整数の組合せによる既約の仮分数または真分数であり、ε／Ｊの絶対値が最小となる値である。 - 特許庁

Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＰＴｒの活性領域１１の側方を囲むトレンチ型素子分離１２と、Ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタＮＴｒの活性領域２１の側方を囲むトレンチ型素子分離２２との膜質を異なるものとする。 - 特許庁

And data is converted to serial data by parallel-serial conversion circuits P-Se and P-So and successively outputted synchronizing with rise and fall of a basic clock CLK by a multiplexer MUX, and applied to a NMOS transistor NTR of an open drain output circuit.例文帳に追加

そして、パラレル−シリアル変換回路Ｐ−Ｓｅ及びＰ−Ｓｏでシリアルデータに変換してマルチプレクサＭＵＸで基本クロックＣＬＫの立上りと立下りに同期して順次出力し、オープンドレイン出力回路のＮＭＯＳトランジスタＮＴＲに印加する。 - 特許庁

When the flag is not set, since a state flag FST is 2 in a Step 520, that is, a follow-up control starting condition is satisfied by already reaching reference time T10 or a shift starting point, a target input shaft rotating speed Ntr is calculated.例文帳に追加

セットされていない場合は、ステップ５２０にて、状態フラグＦＳＴが２であるので、即ち、既に基準時間Ｔ１０又は変速開始点に達していて、追従制御を開始する条件が満たされているので、目標入力軸回転数Ｎｔｒを算出する。 - 特許庁

An n-type MIS transistor nTr includes: an active region 1a that is surrounded by an element isolation region 32 in a semiconductor substrate 1; a gate insulator film 13a that is formed on the active region 1a and on the element isolation region 32 and includes a high dielectric constant insulator film 12a; and a gate electrode 16a formed on the gate insulator film 13a.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタｎＴｒは、半導体基板１における素子分離領域３２に囲まれた活性領域１ａと、活性領域１ａ上及び素子分離領域３２上に形成され且つ高誘電率絶縁膜１２ａを有するゲート絶縁膜１３ａと、ゲート絶縁膜１３ａ上に形成されたゲート電極１６ａとを備えている。 - 特許庁