「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

Ions generated from an irradiation part 4 of the particle beam on the sample 3 are collected by an ion transport tube 7 and sent to a mass spectrometry part.例文帳に追加

そして、試料３上の粒子線の照射部位４から発生したイオンをイオン輸送管７で収集して質量分析部に送る。 - 特許庁

Then, the carbonate dissolved substance can contact the lithium and makes a membrane protection layer having electrical insulation and ion conductivity on it.例文帳に追加

その後、このカーボネート溶質はリチウムと接触でき、その上に、電気的に絶縁性で、しかもイオン的に伝導性のある被膜保護層をもたらす。 - 特許庁

The ion implantation target chamber is configured to implant ionic species into the semiconductor wafer placed on the currently transported wafer plate.例文帳に追加

イオン注入ターゲットチャンバは、現在搬入されているウェハプレート上にある半導体ウェハ中にイオン種を注入するように構成される。 - 特許庁

The macromolecule actuator 100 includes counter electrodes 102 and 103 on the surface of a substrate 101 made of ion-exchange resin.例文帳に追加

高分子アクチュエータ１００は、イオン交換樹脂等からなる基材１０１の表面に、対向電極１０２、１０３を含んで構成される。 - 特許庁

To use highly pure aequorin reproduced from recombinant apoaequorin, thereby enhancing detection accuracy on the measurement of the concentration of calcium ion.例文帳に追加

組換えアポイクオリンから再生された、高純度なイクオリンを精製し用いることによりカルシウムイオンの濃度測定において、検出精度を高める。 - 特許庁

To provide a method for reducing the load imposed on the environment by recovering monoethanolamine from chloride ion-containing waste water as a valuable substance.例文帳に追加

塩化物イオン含有排水からモノエタノールアミンを有価物として回収できるようにして、環境負荷の低減が可能な方法を提供する。 - 特許庁

As a result, copper is fixed on the surface of the zinc aluminum double oxide in a state of univalent copper ion.例文帳に追加

その結果、水性ガスシフト反応の条件下では、銅は１価の銅イオンの状態で亜鉛アルミニウム複合酸化物の表面に固定化される。 - 特許庁

On a surface of a substrate 1 that fingers may touch, a layer 8 is provided where silver ions are introduced by ion exchange with alkali ions in a glass substrate.例文帳に追加

基板１の指が触れる面には、ガラス基板中のアルカリイオンとのイオン交換によって、銀イオンが導入された層８が設けられている。 - 特許庁

An ion exchange material is used in a CMP methodology for polishing or thinning a semiconductor substrate and a layer on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板および半導体基板上の層を、研磨あるいはシンニングするために、ＣＭＰ方法論にイオン交換物質が用いられる。 - 特許庁

The ion intensity of the fluorine-containing water is measured, and the quantity of calcium compound added to the fluorine-containing water is controlled based on the measurement value.例文帳に追加

フッ素含有水のイオン強度を測定し、その測定値に基づいて、該フッ素含有水へのカルシウム化合物の添加量を制御する。 - 特許庁

This resin composition contains 0.05-10.0 wt.% specific quaternary ammonium salt having sulfonate as a counter ion, based on the thermoplastic resin.例文帳に追加

スルホネートを対イオンに有する特定の第４級アンモニウム塩を熱可塑性樹脂に対して０．０５〜１０．０重量％含有する樹脂組成物。 - 特許庁

Either or both of two opposed cathode electrodes 6, 7 have mesh holes for ion draw-out on silicon substrates 1, 3.例文帳に追加

対向する二つのカソード電極６，７が、どちらかまたは両方にイオン引き出し用のメッシュ状の孔をシリコン基板１，３上に有している。 - 特許庁

A mask of an arbitrary shape is provided on the surface of a workpiece 12 and then the surface is irradiated with a gas cluster ion beam 10.例文帳に追加

被加工物１２の表面に任意形状のマスクを設けておき、その被加工物１２の表面へガスクラスターイオンビーム１０を照射する。 - 特許庁

The inspection of the flaw part and the inspection of the uniformity of oxygen ion conductivity are selected based on whether the electric circuit is connected to the electrolyte membrane or the like.例文帳に追加

電解質膜等に電気回路を接続するか否かで、欠陥部の検査と酸素イオン伝導性の均一性の検査を選択できる。 - 特許庁

An SiO thin film acting as a negative active material layer is formed on the surface of a current collector by vacuum deposition, preferable by an ion plating method.例文帳に追加

集電体の表面に負極活物質層としてＳｉＯの薄膜を真空蒸着、好ましくはイオンプレーティング法により形成する。 - 特許庁

To focus electron beams on an observation cross section when a sample is cut off by an ion beam to renew an observation cross section.例文帳に追加

イオンビームにより試料体が切除されて観察断面が更新された際に、観察断面に対する電子ビームの焦点を合わせるようにする。 - 特許庁

To provide an oxygen pump in which the occurrence of breaking or crack on an oxygen ion-conductive substrate is prevented by relaxing thermal distortion.例文帳に追加

熱歪を緩和させて酸素イオン導電性基板に割れやクラックが発生しないようにした酸素ポンプを提供することを目的とする。 - 特許庁

This invention relates to a device mounting an apparatus 2 such as the air purifier, the ion generator, the lighting apparatus on a roughly U-shaped metal wall surface mounting plate 1.例文帳に追加

金属製の略コ字状の壁面取付板１に空気清浄器、イオン発生器、照明器具その他の器具２を取り付ける装置である。 - 特許庁

To improve the yield of a product in an ion implantation apparatus for manufacturing parts such as LSI by preventing a contamination on a surface of a substrate.例文帳に追加

ＬＳＩ等の部品製造に用いられるイオン注入装置において、基板表面の汚染を防止して、製品の歩留まりの向上を図る。 - 特許庁

In the first alkali tempered glass substrate, a compression stress layer is formed on the surface of a glass base material (tensile stress layer) by an ion-exchange method.例文帳に追加

第１のアルカリ強化ガラス基板は、イオン交換法によりガラス基材（引張り応力層）の表面に圧縮応力層が形成されてなる。 - 特許庁

This forming method includes forming the carbonaceous film made from fullerene on a substrate by a cluster ion beam technique or a molecular beam epitaxy technique, by using fullerene as the raw material.例文帳に追加

フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。 - 特許庁

The ion conductive film is formed on a substrate, and consists of a monomolecular film of an organic molecule coupled with the substrate.例文帳に追加

本発明のイオン伝導膜は、基板上に形成されたイオン伝導膜であって、基板に結合している有機分子の単分子膜からなる。 - 特許庁

The ion permeable diaphragm 1 is made by forming on a film material 1A a plurality of through holes 11 penetrating the film material 1A.例文帳に追加

イオン透過性隔膜１は、膜材料１Ａに、当該膜材料１Ａを貫通する複数の貫通孔１１が形成されてなるものである。 - 特許庁

To provide electrode composition capable of suppressing effect on conductivity and ion transport even when an active material is press-molded for forming an electrode.例文帳に追加

電極形成時に活物質を圧縮形成しても、導電性、イオン輸送性に及ぼす影響を抑制する電極構成を提案する。 - 特許庁

To continuously manufacture a solid electrolyte film constant in quality, enhanced in mechanical strength or ion conductivity and having a functional layer on its surface.例文帳に追加

一定品質かつ機械強度やイオン伝導度が高く、かつ表面に機能層を有する固体電解質フィルムを連続的に製造する。 - 特許庁

To smoothly prevent the substitutive deposition on the anode and the increase in tin ion concentration in a plating bath regarding a tin alloy electroplating method.例文帳に追加

電気スズ合金メッキ方法において、簡便な操作で陽極での置換析出と、メッキ浴のスズイオン濃度の増大を円滑に防止する。 - 特許庁

Since the irregularity on the medium surface does not increase after the irradiation with the metallic element ion, the magnetic head can be stably floated.例文帳に追加

また、金属元素イオンの照射後に媒体表面の凹凸が大きくなることはないため、磁気ヘッドが安定して浮上することができる。 - 特許庁

The ion generator is made into a unit part by assembling a circuit board 27, a transformer 28, and discharge electrodes 25a and 25b on a holder 26.例文帳に追加

ホルダ２６に回路基板２７と、トランス２８と、放電電極２５ａ・２５ｂとをひとまとめに組んで、イオン発生装置を一個のユニット部品化する。 - 特許庁

The electrode is manufactured by coating the created composition for the electrode on each of both faces of the ion-exchange resin film, and the actuator layer is formed.例文帳に追加

作製された電極用組成物を、イオン交換樹脂膜の両面に塗布することにより、電極を作製し、アクチュエータ層を作製する。 - 特許庁

A large number of small holes a diameter of which is about 0.1-10 μm are formed, for example, by laser beam process and convergent ion beam process on the mesh member 2.例文帳に追加

メッシュ部材２には、径が０．１〜１０μｍ程度の微小孔、を例えばレーザービーム加工、集束イオンビーム加工によって、多数形成しておく。 - 特許庁

A plurality of electrode couples 13, 14, 15, 16 are formed on an oxygen ion conductive substrate 12, and the respective electrode couples are connected in series.例文帳に追加

酸素イオン導電性基板１２に複数の電極対１３、１４、１５、１６を形成し、各電極対を直列接続する構成とする。 - 特許庁

After a base region 6 is formed on the surface of the n-type layer 5, an emitter region 6 is formed by ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型層５の表層にベース領域６を形成した後、イオン注入および熱処理により、エミッタ領域６を形成する。 - 特許庁

To reduce attachment on ion source substance or its compound to insulation between a vacuum vessel and an end plate to which a high voltage is applied.例文帳に追加

真空容器と高電圧が印加される端板との間の絶縁物へのイオン源物質またはその化合物の付着量を減少させる。 - 特許庁

Successively, the impurities are ion-implanted in the semiconductor substrate 4 in a state where the mask film 30 is arranged on the surface of the second gate electrode 28.例文帳に追加

続いて、第２ゲート電極２８の表面にマスク膜３０を配置した状態で不純物を半導体基板４にイオン注入する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD apparatus to effectively suppress ion damages on a thin film of a surface of a substrate to be processed under the film deposition.例文帳に追加

成膜中での被処理基板表面の薄膜へのイオンダメージをより効果的に抑制することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

The molded product is constituted by forming the thin film on the molded body using the polycarbonate resin with a glass transition temperature of 150°C or above by an ion plating method.例文帳に追加

ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。 - 特許庁

The film- forming agent of one of the components for the coated membrane fills the role of the fixation of the ion-exchanging material on an oxide semiconductor surface.例文帳に追加

塗膜の成分の１つであるフィルム形成剤は、イオン交換性材料を酸化物半導体の表面に固着させる役目を果たす。 - 特許庁

Using the plastic materials having added thereto the minus ion generating mineral, plastic products such as a fan of electric fans are produced to fix on each appliance.例文帳に追加

このマイナスイオン発生鉱物が添加されたプラスチック材で扇風機のファン等のプラスチック製品を製造して各電気製品に装着する。 - 特許庁

An ion-generating appliance 22 is installed on the compartment wall in the blast pathway, and immediately above, the second outlet 14B is installed.例文帳に追加

送風通路内における仕切り壁の部分にはイオン発生器２２が設けられ、その直上に第２吹出し口１４Ｂが配設されている。 - 特許庁

The inspection of the flaw part and the inspection of the uniformity of hydrogen ion conductivity are selected depending on whether the electric circuit is connected to the electrolyte membrane or the like.例文帳に追加

電解質膜等に電気回路を接続するか否かで、欠陥部の検査と水素イオン伝導性の均一性の検査を選択できる。 - 特許庁

Then, in this state, the regions located on the sides of the gate electrode 3 are doped with n-type impurities by an ion implantation method.例文帳に追加

次に、この状態で、シリコン基板１上のゲート電極３の両脇となる領域に、ｎ型の不純物をイオン注入法でドーピングする。 - 特許庁

The ion implanter is used when forming an impurity region that becomes the source or drain of a transistor, for example on the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

このイオン注入装置は、例えば半導体ウェハ１にトランジスタのソース又はドレインとなる不純物領域を形成するときに用いられる。 - 特許庁

The functional photocatalyst has metallic Pd, originated from a palladium ion (Pd^2+) aqueous solution, which is deposited on the surface of a photocatalytic (an anatase type) titanium dioxide.例文帳に追加

光触媒性（アナターゼ型）二酸化チタン粒子の表面に、パラジウムイオン（Ｐｄ^２＋）水溶液由来の金属パラジウムが析出されているもの。 - 特許庁

On the other hand, fluorine ion is poured before or after pouring the impurity for forming the diffusion layer employing at least the gate electrode as the mask.例文帳に追加

また、この拡散層形成のための不純物注入の前又は後に、少なくともゲート電極をマスクとして、フッ素イオンを注入する。 - 特許庁

An elementary ion is implanted from the surface of a wafer 21 for an activated layer, which has oxide films 12a, 12b on the surface thereof, and the surface of a wafer for support.例文帳に追加

表面に酸化膜１２ａ、１２ｂを有する活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面から元素イオンを注入する。 - 特許庁