| 例文 (59件) |
orientation effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 59件
In the optical control device in which the electrode 11 for control is formed on the crystalline substrate 1 having an electrooptic effect by electrolytic plating, at least one layer of a growth suppression layer 10 of electrode orientation, etc. is provided between the crystalline substrate and the electrode for control.例文帳に追加
電気光学効果を有する結晶性基板１上に、制御用電極１１を電解メッキによって形成する光制御デバイスにおいて、該結晶性基板と該制御用電極との間に、少なくとも１層の電極配向等成長抑制層１０を有することを特徴とする。 - 特許庁
To provide an organic semiconductor material capable of forming a thin film having a high carrier mobility by a simple process without requiring special orientation techniques, and to provide a field-effect transistor which can be produced easily using the organic semiconductor material and has a high carrier mobility.例文帳に追加
特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁
To provide an organic semiconductor material which does not need a special orientation technique and can use a simple method to provide a thin membrane with a high carrier mobility, and to provide a field effect transistor with a high carrier mobility which can be easily manufactured by using the organic semiconductor.例文帳に追加
特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁
In the copper alloy long bodies such as wires, bars and strips having a uniaxially grain-oriented structure and a shape recovery function by the superelasticity by the shape memory effect of a martensitic reversible transformation mechanism against the bending deformation, the crystal orientation in the longitudinal direction of each crystal oriented in one direction is distributed within 15° from the mean crystal orientation, and the long bodies have the excellent fatigue characteristics.例文帳に追加
一方向に整列した組織からなり、曲げ変形に対しマルテンサイト可逆変態機構の形状記憶効果による超弾性により形状回復機能を有する銅合金線、棒、帯等の長尺体であって、一方向に整列した各結晶の長手方向の結晶方位が、平均結晶方位から１５度以内に分布することを特徴とする高い曲げ疲労特性を有する銅合金線、棒、帯等の長尺体。 - 特許庁
To allow a floor member having a synthetic resin as a base material to easily express an effect of so-called Japanese paper, a marble or a Chinese-ink flowing-pattern by forming dense and coarse spaces of various sizes in which fibers having different lengths and thicknesses extend in various directions without orientation and regularity and entwined with each other.例文帳に追加
合成樹脂を基材とする床材に、長さ及び太さが異なる繊維が方向性及び規則性をもたずに多方向に延び、且つ繊維同士が絡み合って大きさが様々な粗と密の空間を形成することにより、いわゆる和紙調、大理石調あるいは、墨流し模様のような模様を簡単に表出すること - 特許庁
To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加
積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁
In the liquid crystal element which uses molecule orientation effect by an irregular electric field distribution, at least one electrode (1st electrode 12) is given a potential gradient for a certain time when a voltage is applied between a 1st electrode 12 and a 2nd electrode 17 which face each other or varied.例文帳に追加
不均一な電界分布による分子配向効果を利用した液晶素子において、対向する第１の電極１２と第２の電極１７との間に電圧を印加するとき又は電圧を可変するときに、少なくとも一方の電極（第１の電極１２）に一定時間電位勾配を与えるようにしている。 - 特許庁
The second crystal control layer 5 also functions to absorb the concave and convex of the upper surface of the first crystal control layer 4 formed under the layer 5, and consequently the orientation becomes uniform in a direction due to an effect of the second crystal control layer 5, and the intermediate layer 6 having good crystallinity grows on the second crystal control layer 5.例文帳に追加
第二結晶制御層５は、その下の第一結晶制御層４の上面の凹凸を吸収するようにも機能するので、第二結晶制御層５の作用によって配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する中間層６が第二結晶制御層５上に成長する。 - 特許庁
The nitride semiconductor field-effect transistor has at its gate a channel comprising a double heterostructure which has an Al_xGa_1-xN layer, a GaN layer, and an Al_yGa_1-yN layer laminated in order in a +c direction of crystal orientation and is depleted by setting (x) and (y) in a relation of x≥y.例文帳に追加
結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁
| 例文 (59件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|