「occupation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce the data bus occupation rate of an image layer memory by eliminating unnecessary repeated execution of the same composing operation even in the case that a display frame is not updated at display of a multi-layer picture.例文帳に追加

マルチレイヤ画像の表示にあたり、表示フレームが更新されない場合であっても同じ合成動作が繰り返し実行される無駄を排し、画像レイヤメモリのデータバス占有率を低減する。 - 特許庁

To enhance conversion efficiency of a photoelectric conversion element by increasing the degree of freedom for setting the size of a light reception area of a semiconductor layer, for instance, by increasing an occupation ratio of the light reception area of the semiconductor layer to an installation area.例文帳に追加

半導体層の受光面積の大きさの設定の自由度を高め、例えば、設置面積に対する半導体層の受光面積の占める割合を大きくして、光電変換素子の変換効率を高める。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor in which contact between a collector electrode and a polarizable electrode is improved and occupation area of the polarizable electrode per collector electrode volume is consequently increased.例文帳に追加

集電極と分極性電極の密着性が向上し、集電極体積当りの分極性電極の占有する体積が向上する電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

The problem is solved by providing the organic device wherein the positive electrode 2 is chemically bonded to the dipole molecule layer 3, and the dipole molecule layer 3 satisfies μ/εA>0.20, where ε is a dielectric constant of the dipole molecule layer; A is the average occupation area per molecule constituting the dipole molecule layer; and μ is a dipole moment per molecule constituting the dipole molecule layer.例文帳に追加

陽極２と双極子分子層３は化学結合し、かつ、双極子分子層３がμ／εＡ＞０．２０（εは双極子分子層の誘電率、Aは双極子分子層を構成する１分子あたりの平均占有面積、μは双極子分子層を構成する１分子あたりの双極子モーメントを表す。）を満足する有機デバイスを提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A plurality of openings 15 is formed in the resin layer 4a, the area of the each opening 15 is 0.2 to 1.13 mm2, and the area occupation rate of the openings 15 is 40 to 70%.例文帳に追加

前記樹脂層４ａには複数の開孔１５が形成され、各開孔１５の開孔面積は０．２〜１．１３ｍｍ^2とされ、前記開孔１５による面積占有率は４０〜７０％とされている。 - 特許庁

Then, the system analysis support device determines an object of batch processing based on the occupancy of an occupation period of the immediately upper layer protocol to the tabulation period T and the appearance rate of each object.例文帳に追加

そして、システム分析支援装置は、集計期間Ｔに対する直上層のプロトコルの占有期間の占有率と、オブジェクトごとの出現率とに基づいて、バッチ処理のオブジェクトを判断する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus capable of selectively turning a prescribed region on a resistance layer to silicide by a simple process and reducing the occupation area of resistance.例文帳に追加

簡易なプロセスで抵抗層上の所定領域を選択的にサリサイド化することができ、かつ、抵抗の占有面積を小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The relationship between a polysilicon occupation factor of an occupied area ratio on a semiconductor substrate by a polysilicon film operated as a mask layer and a sidewall width (a width of a sidewall insulating film retained at the sidewall of a wiring) for a plurality of types of LSIs is previously obtained.例文帳に追加

複数品種のＬＳＩについて予め、マスク層としてはたらくポリシリコン膜が半導体基板上に占める面積割合であるポリシリコン占有率とサイドウォール幅（配線の側壁に残す側壁絶縁膜の膜幅）との関係を求める。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

Refractive indexes of the lower clad layer 12 and the photonic crystal period structure 21 are different from each other, and an occupation rate that is a rate occupied by a low refractive index material in a crystal lattice is large for both of secondary diffraction efficiency and primary diffraction efficiency.例文帳に追加

下部クラッド層１２とフォトニック結晶周期構造体２１の屈折率が異なっており、結晶格子における低屈折率材料が占める割合である占有率が、２次回折効率及び１次回折効率ともに大きい占有率である。 - 特許庁

In this heat insulation material for construction, the polystyrene resin extrusion foamed body containing no halogenated hydrocarbon is formed by laminating and integrating two or more kinds of foamed layers having different mean bubble diameters together, and an occupation ratio of the foamed layer having the mean bubble diameter of 0.25 mm or less is 10 volume % or more.例文帳に追加

ハロゲン化炭化水素含有しないポリスチレン系樹脂押出発泡体であって、平均気泡径の異なる２種以上の発泡層を積層一体化してなり、平均気泡径が０．２５mm以下である発泡層が１０体積％以上を占めること建築用断熱材。 - 特許庁

In the stuck structure 1 comprising a planar body 2 of piezoceramics and another planar body 3 stuck through an adhesive layer of thermosetting adhesive, occupation area rate of recesses and openings, e.g. voids and degranulation parts, existing on the adhesion plane 2a of the planar body 2 of piezoceramics is set at 50% or above.例文帳に追加

圧電セラミックスからなる板状体２と他の板状体３とを熱硬化性接着剤からなる接着層を介して貼り付けた貼付構造体１において、上記圧電セラミックスからなる板状体２の接着面２ａに存在する気孔や脱粒部等の凹部開口部の占有面積率を５０％以上とする。 - 特許庁

In this case, by adjusting so that a purge air amount sucked from an air intake port 17 becomes larger than a purge air amount of instrumentation air discharged from an air discharge port 16, an occupation area of an air layer in the sampling probe becomes smaller, and an optical path length of sampling gas can be secured, to thereby improve measurement accuracy of the light transmission type analyzer.例文帳に追加

このとき、エアー排出口１６から排出される計装空気のパージエアー量よりエアー吸入口１７から吸引されるパージエアー量が多くなるように調整することにより、サンプリングプローブにおける空気層の専有面積が小さくなり、試料ガスの光路長が確保できるので、光透過型分析計の測定精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a charge storage layer and a control gate, and its fabricating method, in which integration is enhanced by suppressing back bias effect and the ratio of capacity between a floating gate and a control gate is increased furthermore without increasing the occupation area while suppressing variation of cell characteristics caused by the fabrication process.例文帳に追加

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further surface undulation structure having surface undulation width of 1 to 100 μm, surface undulation length of 1 to 500 μm and a surface undulation occupation ratio of 60 to 100% is formed on the viewing side surface of the antifouling layer.例文帳に追加

反射防止層と、反射防止層の視認側表面に設けられた撥水性及び／又は撥油性の防汚層を有し、 防汚層の視認側表面の中心線平均粗さＲａが１５〜１００ｎｍ、及び１０点平均粗さＲｚが５０〜１０００ｎｍであり、 防汚層の視認側表面に表面うねり幅が１〜１００μｍ、表面うねり長さが１〜５００μｍ、及び表面うねり占有率が６０〜１００％の表面うねり構造が形成されているプラズマディスプレイ用フィルターにより上記課題を解決することができる。 - 特許庁