「protection region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Crested ibises became so rare in that region that the Japanese Government decided to place them under careful protection. 例文帳に追加

朱鷺はその地方でもめったに見られなくなったので, 日本政府は朱鷺を厳重に保護することに決めた. - 研究社 新和英中辞典

To increase protection of an inverter, enabling more strict determination of the operation of the inverter that has deviated from the operating region, in a region having a low rotation speed, without interfering the driving region of a motor.例文帳に追加

モータの運転領域を妨害することなく、回転速度が低い領域での運転領域を逸脱したインバータの動作をより厳しく判定することができ、以てインバータの保護を厚くする。 - 特許庁

The protection diode includes: a p-type semiconductor region; an n-type semiconductor region; and the pn-junction interface on which the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region abut each other, wherein recesses and protrusions of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region are alternatively arranged along the extending direction of the pn-junction interface.例文帳に追加

保護ダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が当接するｐｎ接合面とを有し、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域はそれぞれ、ｐｎ接合面の延在方向に沿って凹部と凸部が交互に配置される。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a thick insulating film is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、厚い絶縁膜を配置した。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

A cathode 21 has an insulating protection member 30 at an outer peripheral face exposed region 21D and an inner peripheral face exposed region 21E at the center side of the winding.例文帳に追加

正極２１は、巻回中心側の外周面露出領域２１Ｃおよび内周面露出領域２１Ｄに絶縁性の保護部材３０を有している。 - 特許庁

When the program data of "partial protection" exist, the already reproduced part is erased and the region is allotted to the recordable region based on information of resume point (step S118).例文帳に追加

「部分保護」の番組データがあれば、レジュームポイントの情報に基づいて、再生済の部分を消去してその領域を記録可能領域に割り当てる（ステップＳ１１８）。 - 特許庁

The effective region to which the bump 21 is formed is covered with an insulating sheet 40, and this insulating sheet 40 and the peripheral region are covered with the protection film 50.例文帳に追加

そして、バンプ２１が形成された有効領域を絶縁シート４０で覆い、この絶縁シート４０及び周辺領域を覆うように保護フィルム５０を被せる。 - 特許庁

To provide an image photographing device which can change dynamically a region subjected to an image processing for a privacy protection in real time in the region to be photographed.例文帳に追加

撮影される領域中で、実時間でプライバシ保護のための画像処理を施す領域を動的に変化させることが可能な画像撮影装置を提供する。 - 特許庁

On the electron supply layer, a protection film (35) is formed which covers a region between the source electrode and the gate electrode as well as a region between the drain electrode and the gate electrode.例文帳に追加

電子供給層の上に、ソース電極とゲート電極との間の領域、及びドレイン電極とゲート電極との間の領域を覆う保護膜(35)が形成されている。 - 特許庁

Then a dielectric film 140 is formed to a prescribed region on the epitaxial film, and a protection layer is formed to a region covering the dielectric film 140 on the epitaxial film.例文帳に追加

次に、エピタキシャルフィルム上の所定領域に誘電体膜１４０を形成し、エピタキシャルフィルム上の誘電体膜１４０を覆う領域に保護層を形成する。 - 特許庁

An upper surface of each laser beam protection electrode 27 has a first region 27d which contacts with the conductor 44 and a second region 27c which does not contact with the conductor 44.例文帳に追加

レーザー光防護電極２７の上面は、導体４４と接触する第一領域２７ｄと、導体４４と接触していない第二領域２７ｃと、を有する。 - 特許庁

It is preferable that the protection member 30 is arranged at a part of the outer peripheral face exposed region 21D and the inner peripheral face exposed region 21E in longitudinal direction thereof.例文帳に追加

保護部材３０は、外周面露出領域２１Ｃおよび内周面露出領域２１Ｄの長さ方向における一部に設けられていることが好ましい。 - 特許庁

In the ESD protection element 4, a frame-like p well block region 11 in which the p well 2 is not formed is provided between a transistor formation region 8 and a guard ring 12.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子４においては、トランジスタ形成領域８とガードリング１２との間に、Ｐウエル２を形成しない枠状のＰウエルブロック領域１１を設ける。 - 特許庁

A notch 11a is provided at a side opposed to the ESD protection element 14 in the p well block region 11.例文帳に追加

そして、Ｐウエルブロック領域１１におけるＥＳＤ保護素子１４に対向する側に、切込１１ａを設ける。 - 特許庁

Data to be protected such as the operating program of the recorder and the like are written in the protection region 40 according to the direct designation of a sector.例文帳に追加

保護領域４０にはセクタの直接指定により当該レコーダの動作プログラム等、プロテクトすべきデータを書き込む。 - 特許庁

To provide an apparatus and a system that set the write protection region of a memory block in a non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置のメモリブロックの書き込み防止領域を設定する装置およびシステムを提供する。 - 特許庁

PROTECTIVE REEF FOR MARINE FISHERY GROWTH, PROTECTION AND ENHANCEMENT FACILITY OF CHIONOECETES OPILIO AND METHOD FOR PROTECTING MARINE FISHERY GROWTH REGION例文帳に追加

海洋水産増殖用の保護礁およびズワイガニの保護育成施設ならびに海洋水産増殖域の保護方法 - 特許庁

The structure includes a mask for protection from etching of a wafer region, and a sealing ring to be stuck below the lower surface of the mask.例文帳に追加

該構造にはウェハー区域のエッチングからの防護用マスクおよびマスク下面の下に貼り付けられるシールリングがある。 - 特許庁

To provide a high frequency ESD protection circuit performing operation without having a bad effect on a high frequency region.例文帳に追加

高周波領域においても悪影響を与えることなく動作可能な高周波ＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the ferroelectric capacitor of the memory cell forming region holds the ferroelectric characteristics by the protection film 132.例文帳に追加

一方、メモリセル形成領域の強誘電体キャパシタは、保護膜１３２により強誘電体特性が保持される。 - 特許庁

The upper surfaces of the n-type InP layer 13 and the p-type InP region 14 are covered with a surface protection film 15.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１３及びｐ型ＩｎＰ領域１４の上面は表面保護膜１５により覆われている。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus for dividing the processing of privacy protection, based on a glass region, and for reducing a processing load.例文帳に追加

ガラス領域に基づいてプライバシー保護の処理の切り分けができ、処理負荷の少ない画像処理装置を提供する。 - 特許庁

This plate 1 for carrying the cylinder on the back is gradually bent rearward an installation region 3 as it extends downward from the installation region 3 so that the protection region 4 is positioned separately in the lower part of a valve device 14.例文帳に追加

ボンベ背負いプレート１では、保護領域４が弁装置１４の下方に離間位置するように装着領域３から下方に延びるにつれて装着領域３の後方へ向かって次第に湾曲している。 - 特許庁

An n region 7 and an n^+ region 8 constituting a cathode region of a protection diode 17 are formed on the bottom of a loop-like trench 19, so as to reduce dynamic resistance and enhance ESD resistance.例文帳に追加

保護ダイオード１７のカソード領域を構成するｎ領域７とｎ^+ 領域８をループ状のトレンチ１９の底部に形成することで、動作抵抗を低減できて、ＥＳＤ耐量を高くすることができる。 - 特許庁

A protection film 6 consisting of a resin having negative charge is formed on the oblique side 10 of a semiconductor substrate 1 comprising an n^+-type semiconductor region 7, an n-type semiconductor region 8, and a p-type semiconductor region 9.例文帳に追加

ｎ^＋形半導体領域７とｎ形半導体領域８とｐ形半導体領域９とから成る半導体基板１の傾斜側面１０に、負電荷を有する樹脂から成る保護膜６を形成する。 - 特許庁

A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.例文帳に追加

ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁

Then the p-type well diffusion region 11 of the protection element 41 included in the electrostatic protection circuit 2 is configured to have higher p-type impurity density than the p-type well diffusion region 4 of the NMOS transistor 31 included in the internal circuit 1.例文帳に追加

そして、静電気保護回路２に含まれる保護素子４１のｐ型ウェル拡散領域１１が、内部回路１に含まれるＮＭＯＳトランジスタ３１のｐ型ウェル拡散領域４よりもｐ型不純物濃度が高くなるように構成されている。 - 特許庁

A tubular protection material 21 is put through the connecting part of the core wires, and the outer circumference of the protection material is taped to ensure a hollow region 23 around the connecting part; a vulcanizing agent is injected into the surrounding of the hollow region to make the connecting part harden; and a sheath equivalent to the outer cover of the cable is formed.例文帳に追加

芯線の接続部にチューブ状の保護材２１を通してその外周をテーピングし、接続部の周囲に中空域２３を確保したうえ、その周囲に加硫剤を注入して硬化させ、ケーブル外皮と同等のシースを形成する。 - 特許庁

The protection circuit 25 includes an n^- layer 26 laminated on a p^- layer 27, a p^+ base region 29 formed on an n^- layer, an n^+ collector region 33 etc. formed on the p+ base region, and an npn transistor 30 etc. which is formed on the n^- layer and is formed on an n+ emitter region 37 etc. overlapped with the p+ base region.例文帳に追加

保護回路２５は、ｐ^−層２７上に積層されたｎ^−層２６、ｎ^−層に形成されたｐ^＋ベース領域２９、ｐ^＋ベース領域に形成されたｎ^＋コレクタ領域３３等、及びｎ^−層に形成されｐ^＋ベース領域とオーバラップしたｎ^＋エミッタ領域３７等で形成されたｎｐｎトランジスタ３０等を含む。 - 特許庁

To obtain a lubricating oil composition imparting effective cylinder liner protection in a cylinder region susceptible to corrosive abrasion.例文帳に追加

腐食性摩耗を受け易いシリンダ領域において、効果的なシリンダライナ保護を付与する潤滑油組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a system for simply and easily lead a visitor to a region whose safety protection is managed.例文帳に追加

本発明の課題は、安全保護管理された領域に、外来者を、簡単に、容易に、引率できるシステムを提供することである。 - 特許庁

A heat radiating region 27 including a heat conduction layer 28 is formed on the organic electroluminescent element 13 through a protection layer 26.例文帳に追加

有機電界発光素子１３上に、保護層２６を介して、熱伝導層２８を含む熱放散領域２７を形成する。 - 特許庁

The protection film forming step (S18) is a step of forming SiO_2 film on the dicing region after the characteristic check step.例文帳に追加

保護膜形成工程（Ｓ１８）は、上記の特性チェック工程後に、ダイシング領域上にＳｉＯ_２膜を形成する工程である。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 17 is formed deeper than an LDD diffusion layer 15a in a formation region of an ESD protection element, for example.例文帳に追加

たとえば、ＥＳＤ保護素子の形成領域に、ＬＤＤ拡散層１５ａよりも深く、Ｎ型拡散層１７を形成する。 - 特許庁

To reduce an etching damage by a photoelectric conversion part to improve an offset control accuracy in a protection region of the photoelectric conversion part.例文帳に追加

光電変換部がエッチングダメージを低減し、光電変換部における保護領域のオフセットの制御精度を向上する。 - 特許庁

The protective structure of a wire harness covers the region of wire harness to be protected using a protection material of the above composition.例文帳に追加

また、そのような組成物からなる保護材でワイヤハーネスの保護すべき領域を被覆してなるワイヤハーネスの保護構造である。 - 特許庁

A protection film is partially formed on a substrate, and is subjected to heat treatment, thus forming a nitrogen-containing region at an exposure section in the substrate.例文帳に追加

基板上に保護膜を部分的に形成し、熱処理をすることで基板の露出部に窒素含有領域を形成する。 - 特許庁

The air bag 122 is deployed and inflated while being protruded toward a rider protection region 140 in frontal collision of the motorcycle.例文帳に追加

エアバッグ１２２は、自動二輪車の前方衝突の際、乗員保護領域１４０に向かって突出しつつ展開膨張する。 - 特許庁

Next, an Mo/Si multilayer film is formed in an (optical) effective region that is one size smaller than the protection layer 2.例文帳に追加

次に、この保護層２よりも一回り小さい（光学的な）有効領域内へ、マグネトロンスパッタリングによりMo/Si多層膜を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection with a shallow trench structure for element separation, an N-type region having sides and bottom surrounded by a P-type region contacting a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection, and receiving a signal from an external connection terminal, is formed.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域に接したＰ型の領域に側面および底面を囲まれた前記外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

In the MIS transistor of the protection circuit region, the low-concentration drain region 6b suppresses deterioration in hot carrier resistance, and the source-side extension region 8a which contains high-concentration impurities as compared with the low-concentration drain 6b reduces an operation starting voltage in a parasitic bipolar transistor, thus improving a protection function.例文帳に追加

保護回路領域のＭＩＳトランジスタにおいて、低濃度ドレイン領域６ｂによりホットキャリア耐性の劣化が抑制され、低濃度ドレイン６ｂよりも高濃度の不純物を含むソース側エクステンション領域８ａにより寄生バイポーラトランジスタの動作開始電圧が低下して、保護機能が向上する。 - 特許庁

Transisitors N2 and P2, constituting an ESD protection element formed in an input circuit region 28, are of LDD structure such as transistors N1 and P1 in an internal circuit region 27.例文帳に追加

入力回路領域２８に形成されたＥＳＤ保護素子を構成するトランジスタＮ２、Ｐ２は、内部回路領域２７のトランジスタＮ１、Ｐ１と同様にＬＤＤ構造とされている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁