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「protection region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索
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protection regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 345



例文

In the solar cell 100, a plurality of recesses 4 are formed, piercing an insulating protection film 3, on a main surface of a substrate, while a second conductivity-layer 5 is formed in an inside surface-layer region of each recess 4.例文帳に追加

太陽電池100においては、絶縁保護膜3を貫く形で基板主表面に複数の凹部4が形成され、当該凹部4の内面表層領域が第二導電型層5とされる。 - 特許庁

A semiconductor structure body comprises a pad open region 310, a metal line 301 which is formed in the pad open region with a part of it being exposed, element protection layers 303 and 304 formed on the metal line, a flattening photoresist 306 formed on the element protection layer, a microlens 307 formed on the flattening photoresist, and an oxide film 308 formed over the entire surface of the structure body.例文帳に追加

パッドオープン領域310を有する半導体構造体と、前記パッドオープン領域に形成され、一部分が露出された金属ライン301と、前記金属ライン上に形成された素子保護層303、304と、前記素子保護層上に形成された平坦化フォトレジスト306と、前記平坦化フォトレジスト上に形成されたマイクロレンズ307と、前記構造体全面に形成された酸化膜308とを備えてなる。 - 特許庁

In the semiconductor device including the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, an electrode configured to receive a signal from an external connection terminal is formed on a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection via a thin insulating film.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタを有する半導体装置において、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域上には、薄い絶縁膜を介して前記外部接続端子からの信号を受ける電極が形成されている半導体装置とする。 - 特許庁

The semiconductor device has such an element integrated structure that a Zener diode (protection element) 2 for gate electrode protection against an overvoltage is connected to a DMOS transistor 1 in one element region E2 on one semiconductor substrate structure (P-type semiconductor substrate 10 having an epitaxial layer 11).例文帳に追加

この半導体装置は、一半導体基板構造(エピタキシャル層11を有するP型半導体基板10)上で過電圧に対するゲート電極保護のためのツェナダイオード(保護素子)2が一つの素子領域E2においてDMOSトランジスタ1に接続されて構成された素子一体化構造となっている。 - 特許庁

例文

To enable an interference between a side airbag and a head protection airbag to be restricted while the head protection airbag is being developed up to an overlapping position in a vehicle width direction over a developing region of the side airbag so as to enable them to be adapted for both a side clash of the vehicle and a roll-over.例文帳に追加

車両の側面衝突及びロールオーバの双方に対応できるように、頭部保護エアバッグ袋体をサイドエアバッグ袋体の展開領域と車幅方向に重なる位置まで展開させつつ、該サイドエアバッグ袋体と頭部保護エアバッグ袋体との干渉を抑制できるようにすることを目的とする。 - 特許庁


例文

The substrate treatment apparatus includes: a spin chuck for horizontally holding a substrate W ; a droplet nozzle 5 for generating droplets of a treatment liquid to be sprayed over a jet region T1 in an upper surface of the substrate W; and a protection liquid nozzle 6 for discharging a protection liquid protective of the substrate W at the upper surface of the substrate W.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、基板Wの上面内の噴射領域T1に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル5と、基板Wを保護する保護液を基板Wの上面に向けて吐出する保護液ノズル6とを含む。 - 特許庁

The protection film 15 of a resin system is formed from an external side of the protrusion 141 by the peripheral edge of the electrode pad 12 to a region on the inner side of the protrusion 142 by the guard ring 13 on the passivation film 14.例文帳に追加

パッシベーション膜14上において、樹脂系の保護膜15が電極パッド12周縁による隆起部141の外側からガードリング13による隆起部142の内側の領域にわたって形成されている。 - 特許庁

With the top of the semiconductor substrate 1 formed with a fluorine-contained layer 25 being covered by a protection film 13, heat treatment is conducted to diffuse the fluorine contained in the fluorine-contained layer 25 into a region immediately below a gate insulation film 7.例文帳に追加

フッ素含有層25が形成された半導体基板1上を保護膜13で覆った状態で、フッ素含有層25のフッ素をゲート絶縁膜7直下の領域に拡散させるための熱処理を行う。 - 特許庁

On a first electrode film pattern formed so that the first electrode film pattern is connected to an impurity region on a semiconductor substrate, a ferroelectric film pattern, a second electrode film pattern, a protection film, and an interlayer insulating film are sequentially arranged.例文帳に追加

半導体基板の不純物領域と接続されるように形成された第1電極膜パターン上に強誘電体膜パターン、第2電極膜パターン、保護膜及び層間絶縁膜が順次配される。 - 特許庁

例文

The protection shall be extended to the graphical or figurative representation of a geographical indication, as well as the geographical representation of a country, city, region or locality in its territory whose name is a geographical indication. 例文帳に追加

地理的表示に係わる保護は,地理的表示の図式的又は象徴的な表現,及びその名称が地理的表示である国,その領土内の都市,地方又は場所についての地理的表現にも及ぶものとする。 - 特許庁

例文

A resin composition 21 having high adhesive power in normal temperature region and also having translucency is projected into a cavity formed among a fixing side template 31, a movable side template 32 and a protection cover 20.例文帳に追加

固定側型板31と、可動側型板32と、保護カバー20との間に形成されるキャビティに、常温域において高い粘着力を有し、且つ透光性を有する樹脂組成物21を射出する。 - 特許庁

An input protection circuit device comprises an MOS active element 3 formed within a well region 12 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11, and first to third wiring layers 16, 17, 18.例文帳に追加

入力保護回路装置は、半導体基板11の主表面に形成されたウェル領域12中に形成されるMOS型能動素子3と、第1乃至第3の配線層16,17,18とを備えている。 - 特許庁

The detector device extends on a substrate 2, including a reflection layer 4 and is provided with a wave guide path 8 formed by protrusions whose range in horizontal direction is demarcated by an oxide a region for protection and containment.例文帳に追加

検出素子は、反射層4 を含む基板2 上に延び、保護及び格納酸化物領域11によって横方向の範囲を画定された突出構造物6 によって形成される導波路8 を備えている。 - 特許庁

To provide a fusible alloy type thermal fuse allowing an operating temperature to be set in a high-temperature region above 260°C and using a low-melting-point fusible alloy which does not contain harmful metal having an environmental problem; and to provide a circuit protection element.例文帳に追加

環境上問題のある有害金属を含まず動作温度を260℃以上の高温領域に設定できる低融点可溶合金を使用した可溶合金型温度ヒューズおよび回路保護素子を提供する。 - 特許庁

Chambers of commerce and industry in each region provided "samples of the written oath of non-contamination" which refer to readings of environmental radioactivity levels of the Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology, and the standard value of the International Commission on Radiological Protection (ICRP).例文帳に追加

各地商工会議所では、文部科学省の環境放射能水準調査結果や国際放射線防護委員会(ICRP)の基準値を引用する形式の「自己宣誓書のひな型」を公開している。 - 経済産業省

To provide a pressure-sensitive adhesive composition and a surface protection film, capable of simultaneously satisfying all of the following required performances: (1) good balance of adhesion in a low-speed peeling region and a high-speed peeling region; (2) prevention of occurrence of an adhesive deposit; (3) excellent antistatic performance; and (4) reworkability performance.例文帳に追加

(1)低速度剥離領域及び高速度剥離領域においての粘着力のバランスを取ること、(2)糊残りの発生防止、(3)優れた帯電防止性能、及び(4)リワーク性能の全ての要求性能を、同時に満たすことが可能な粘着剤組成物及び表面保護フィルムを提供する。 - 特許庁

Furthermore, an IC protection opening 63 is formed in the sheet substrate 61 at a position corresponding to the IC tip 52 of the RFID label 50, and a non adhesive region 64 without the adhesive is formed in a certain region from the end part including the part for printing the two dimensional code 62 on the backside of the sheet substrate 61.例文帳に追加

また、シート基体61には、RFIDラベル50のICチップ52に対応する位置に、IC保護開口63が形成されていると共に、シート基体61の裏面の2次元コード62が印字される箇所を含む端部からの一定領域は、粘着材が塗布されていない非粘着領域64が形成されている。 - 特許庁

A contact hole 22a made in the chip region for protecting the IC chip region of a glass protection board is filled with a conduction plug 26a and a relief groove 24a surrounding the contact hole 22a, a bump electrode 28a connected with the plug 26a, and an adhesion layer 30 of thermoplastic adhesive are provided on the lower surface side.例文帳に追加

ガラス等の保護基板においてICチップ領域保護用の保護チップ領域に設けた接続孔22aに導電プラグ26aを埋設すると共に下面側に接続孔22aを取囲む逃がし溝24aと、プラグ26aに接続されたバンプ電極28aと、熱可塑性接着剤からなる接着層30とを設ける。 - 特許庁

This device is characterized, in that the device is provided with a register specifying the propriety of erasure for each divided region provided in a flash EEPROM and a erasure control circuit controlling erasion by a value of a register, and the erasion protection region can be varied, and flexible measure for the coping with the change in program size of software can be performed.例文帳に追加

フラッシュEEPROM内に設けられた分割された領域毎に消去の可否を指定するレジスタとレジスタの値により消去の制御をする消去制御回路を備えたことを特徴とし、消去保護領域を可変にでき、ソフトウェアのプログラムサイズの変更に柔軟に対応できるという作用が得られる。 - 特許庁

An I/O cell 14 includes a pad 2, an output buffer and input buffer connected to the pad 2, a power supply wiring 3 formed by using the same wiring layer as that of the pad 2, and a clamp diode (an anode region 29 and a cathode region 31) being the protection element connected between the pad 2 and the power supply wiring 3.例文帳に追加

I/Oセル14は、パッド2と、それに接続する出力バッファおよび入力バッファ、およびパッド2と同じ配線層を用いて形成された電源配線3と、パッド2と電源配線3との間に接続する保護素子であるクランプダイオード(アノード領域29およびカソード領域31)とを備える。 - 特許庁

To provide a garment reducing influence from external environment such as open air temperature even in a severely cold climate region such as the South Pole or the Siberian region exposed to the temperature bellow the freezing point or in high-temperature environment such as the scene of the fire, excellent in protection of the human body and having excellent followability to the movement of the human body.例文帳に追加

本発明は、南極やシベリア地方の氷点下を下回る極寒地域でも、火事場等の高温環境下においても、外気温度等の外部環境の影響を抑えることができ、人体の保護に優れるとともに、人体動作への優れた追従性を有する衣類を提供する。 - 特許庁

In a partial electric wiring layer of multilayer wiring including electric wiring for pads for electrically connecting pad electrodes to a static protection element, and electric wiring for power electrically connected to a power source, and used as the electric wiring for power, the electric wiring for pads and the electric wiring for power are arranged at the center of a region with the static protection element formed therein without being superposed on each other on the static protection element.例文帳に追加

パッド電極と静電気保護素子とを電気的に接続するパッド用電気配線と、電源と電気的に接続する電源用電気配線とを、有し、当該電源用電気配線として用いられている多層配線の一部の電気配線層において、パッド用電気配線と、電源用電気配線とが、静電気保護素子上では重ならないように、静電気保護素子が形成されている領域の中央に配置する。 - 特許庁

This method of forming a CMOS device having improved electrostatic-discharge protection characteristics contains a step of preparing a silicon substrate, a step of forming an n-well for a pMOS active region, a step of forming a p-well for an nMOS active region, and a step of implanting ions to at least one active region to form a lightly-doped drain series resistor.例文帳に追加

改善された静電気放電保護特性を有するCMOSデバイスを製造する方法は、シリコン基板を用意する工程と、pMOS活性領域のためのnウエルを形成する工程と、nMOS活性領域に対するpウエルを形成する工程と、少なくとも1つの活性領域において少量ドープされたドレイン直列レジスタを形成するためにイオンを注入する工程とを含む。 - 特許庁

A thermal protection system includes at least one seal containing the ceramic matrix composite material, and has at least one region less in inter-layer bonding at a selected position so as to form the seal.例文帳に追加

耐熱装置は、セラミックマトリックス複合材料を含んでいる少なくとも1つのシールを含んでおり且つシールを形成するために層間の選択された位置に層間結合が少ない少なくとも1つの領域を有している。 - 特許庁

To provide a printing method which can reproduce a wider color-rendering region having been incapable of being reproduced with conventional inks and uses each color ink not using, as a raw material, a formaldehyde compound being undesirable from the view point of environmental or sanitary protection.例文帳に追加

従来のインキでは再現できなかったより広い演色領域を再現可能にし、さらに、環境衛生保全上、好ましくないホルムアルデヒド類を原料として使用しない各色インキを用いた印刷方法の提供。 - 特許庁

A photosensitive organic system insulating film which serves as a second protection layer is formed on the Ga oxide film, the portion which matches a channel region in the photosensitive organic system insulating film is made to be a pattern, the portion other than that is made to be a non-pattern.例文帳に追加

Ga酸化物膜上に第2の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。 - 特許庁

To accelerate reduction in cost, size and power consumption through reduction in number of parts by eliminating a space heater from a device utilizing a stepping motor, such as an electronic valve to be used in the cold region for the protection with heating under the electronic control.例文帳に追加

寒冷地等で使用する電子バルブなどのステッピングモータを用いた機器からスペースヒータをなくし、電子制御による加熱保護を行うことにより、部品点数を削減してコストダウンや小型化,省電力を促進する。 - 特許庁

To provide a self-adhesive tape for circuit protection upon semiconductor member polishing wherein polymerization reaction of the self-adhesive is generated by a small integrated light quantity of energy ray in a narrow wavelength region, which is cured to obtain peelability and which has long service life.例文帳に追加

狭い波長域で少ない積算光量のエネルギー線でも粘着剤の重合反応が起こり、硬化して剥離性が得られてかつ寿命に優れた半導体部材研磨時の回路保護用粘着テープを提供する。 - 特許庁

Then the titanium film 8 is formed on the silicon substrate 1 across the protection film 72, and then heat-treated as specified to subject the silicon substrate 1 and titanium film 8 to reaction, thereby forming a silicide layer 9 on the source/drain region 6.例文帳に追加

次に、この保護膜72を介して、シリコン基板1上にチタン膜8を形成した後、所定の熱処理を行って、シリコン基板1とチタン膜8を反応させて、ソース/ドレイン領域6上にシリサイド層9を形成する。 - 特許庁

To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加

静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、MOSトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁

Michitomo HORIKAWA, who was the son of Nagaie TAKAKURA and had been adopted to Chikauji MINASE, was alienated from the Minase family after the adoptive father had a biological son, left the family, became a monk calling himself 'Saiun,' went to Togoku (Kanto region), and stayed under the protection of Ieyasu TOKUGAWA. 例文帳に追加

高倉永家の子で水無瀬親氏の養子となっていた堀河親具は、養父に実子が生まれた後に疎んじられて家を追われたために出家して「西雲」と号して東国に下り徳川家康のもとに身を寄せた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

If FTAs are strictly understood to eliminate import duties on goods or liberalize trade in services within the region, the EPA concept may more widely include maintenance of the investment environment, reinforcement of intellectual property protection, technical cooperation, and the like.例文帳に追加

狭義の自由貿易協定(FTA)が、域内での物品関税の撤廃やサービスの自由化を行うものであるとすると、EPAはさらに広く、投資環境の整備や知的財産保護の強化、技術協力等を含み得る概念である。 - 経済産業省

This section conducted a multilateral analysis centered on the division of labor within the East Asian region, as well as the trade structure established between East Asia and the United States and Europe by utilizing Protection Stage Classification data which classifies the trade goods by production stage.例文帳に追加

本節では、貿易財を工程別に分類した貿易産業分類データ等を活用して、東アジア域内の分業関係や東アジアと欧米との間で成立する貿易構造を中心に多面的な分析を行った。 - 経済産業省

We affirmed that APEC should remain at the forefront of strengthening protection and enforcement of IPR in the region, underscoring that trade in counterfeit and pirated goods continues to stifle investment, innovation and economic development.例文帳に追加

模造品や海賊品の貿易が引き続き投資、イノベーション及び経済発展の阻害要因となっていることを強調し、APECは知的財産権の保護と執行の強化の最前線にあるべきであるということを再確認した。 - 経済産業省

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース/ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース/ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes: a main electrode 24 of a main switching element region 26; a sensor electrode 25 of a sensor switching element region 27; and a protection element 30 that is formed between the main electrode 24 and sensor 25 and that makes both of them conductive when a predetermined potential difference is formed between the main electrode 24 and the sensor electrode 25.例文帳に追加

メインスイッチング素子領域26のメイン電極24と、センサスイッチング素子領域27のセンサ電極25と、メイン電極24とセンサ電極25の間に形成されており、メイン電極24とセンサ電極25の間に所定の電位差が形成されたときに両者間を導通する保護素子30を備えていることを特徴とする半導体装置10。 - 特許庁

This semiconductor device 10 is provided with a main electrode 24 of a main switching element region 26, a sensor electrode 25 of a sensor switching element region 27, and a protection element 30 formed between the main electrode 24 and the sensor electrode 25 for conducting the main electrode 24 and the sensor electrode 25 when a predetermined potential difference is formed between the main electrode 24 and the sensor electrode 25.例文帳に追加

メインスイッチング素子領域26のメイン電極24と、センサスイッチング素子領域27のセンサ電極25と、メイン電極24とセンサ電極25の間に形成されており、メイン電極24とセンサ電極25の間に所定の電位差が形成されたときに両者間を導通する保護素子30を備えていることを特徴とする半導体装置10。 - 特許庁

The memory chip of a semiconductor device, especially a DRAM, etc., has a region 15 where a protection film 8 (a first insulation layer) is removed for tests (electrical characteristics test such as a function test), the fine control of characteristics (such as salvation of a fuse), and corrections, etc.例文帳に追加

メモリチップ、特にDRAMなどの半導体装置であって、検査(機能テスト等の電気的特性検査)や特性微調整(ヒューズ救済等)・修正等の目的のために保護膜8(第1の絶縁層)を除去した領域15を有する。 - 特許庁

When the surface side of the non-terminal-side substrate 300 is polished first while the terminal-side substrate 200 and non-terminal-side substrate 300 are stuck together, a protection tape 600 is stuck covering a wiring region on the terminal-side substrate 200.例文帳に追加

まず、端子側基板200と反端子側基板300とが貼り合わされた状態で反端子側基板300の表面側を研磨する際に、端子側基板200上の配線領域を覆うように保護テープ600を貼り付ける。 - 特許庁

Since the projecting face 15a of each floodlight 12 is covered by the center wall 12b having a pair of opening parts 17, 17 of the protection cover 21, the projecting face 15a can be protected from the collision of the objects passing in the detecting region.例文帳に追加

各投光器12の投光面15aは、保護カバー21の前記一対の開口部17,17を有する中央壁12bで覆われているから、検出領域内を通過する物体の衝突に対して投光面15aを保護することができる。 - 特許庁

Consequently, the first protection film 27 has higher oxygen density in an upper region above in a stacking direction than in other regions, and serves as a diffusion preventive film which prevents a reductive substance such as hydrogen and water from penetrating the ferroelectric capacitor 31.例文帳に追加

これによって、第1保護膜27は、積層方向上側の上部領域の酸素濃度が他の領域に比べて高くなり、水素や水などの還元性物質が強誘電体キャパシタ31に透過することを防止する拡散防止膜となる。 - 特許庁

To prevent sensitivity failure and characteristic deterioration with time, due to deterioration of a surface protection film provided on an upper layer of the environmental sensor in a display device provided with the environmental sensor formed in the peripheral region of the active matrix substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサを備えた表示装置において、環境センサの上層に設けられた表面保護膜の変質に基づく、環境センサの感度不良および特性の経時劣化を防止する。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第2のP型高濃度不純物領域6がP型半導体基板1と接触するため、P型半導体基板1におけるP型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

Moreover, the width of a P-type region of each Zener diode is narrowed to reduce the protective level voltage for each Zener diode, and thus a protector for MOSFET where the total protection level voltage can be kept within specifications, even if increase in the number of the Zener diodes can be realized.例文帳に追加

さらにツェナーダイオードのP型領域の幅を狭めて、ツェナーダイオードの個々の保護レベル電圧を低減しているので、数を増やしてもトータルの保護レベル電圧は規格内に収めることができるMOSFETの保護装置を実現できる。 - 特許庁

Then, the electrode layer 6 in a formation region of the insulating protection layer 5 (excluding the openings 5A, 5B) is irradiated with a laser beam L, and the electrode layer 6 is selectively removed by laser ablation to form a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

こののち、絶縁性保護層5の形成領域(開口部5A,5Bを除く)における電極層6にレーザLを照射し、その電極層6をレーザアブレーションにより選択的に除去してソース電極およびドレイン電極を形成する。 - 特許庁

ESD protection is provided in a first polarity, by a bipolar transistor 4C formed in an n-well (64; 164), having a collector contact (72; 172) to one signal terminal (PIN1) and its emitter region (68; 168) and base (66; 166) connected to a second signal terminal (PIN2).例文帳に追加

ESD保護は、第1の極性において、第1の信号端子(PIN1)に接続されたコレクタコンタクト(72;172)、及び第2の信号端子(PIN2)に接続されたそのエミッタ領域(68;168)とベース(66;166)を有する、nウエル(64;164)に形成されたバイポーラトランジスタ4Cによって、設けられる。 - 特許庁

Moreover, the contact area with a gate pad electrode can be gained by further increasing the depth of the N+ type region at the central part of the Zener diode, stable ohmic performance can be obtained, and a protection device of MOSFET capable of reducing the leakage current can be realized.例文帳に追加

さらにツェナーダイオードの中心部のN^+型領域を掘り下げることにより、ゲートパッド電極との接触面積を稼いで、安定したオーミック性が得られ、且つリーク電流を低減できるMOSFETの保護装置を実現できる。 - 特許庁

A transparent protection member 40 has: a first part 44a covering the display screen 31; and a second part 44b projected to a region deviating from the display screen 31 from the peripheral part of the first part 41a and connected to the casing 20.例文帳に追加

透明な保護部材40は、表示画面31を覆う第1の部分44aと、この第1の部分44aの外周部から表示画面31を外れた領域に張り出すとともにケース20に結合される第2の部分44bとを有している。 - 特許庁

For example, the quantization control unit determines a 3D object and a boundary thereof as the protection region by using at least either one of a parallax vector detected by the parallax prediction and error when parallax compensation is performed using the parallax vector.例文帳に追加

例えば、量子化制御部は、視差予測によって検出した視差ベクトルと、該視差ベクトルを用いて視差補償を行ったときの誤差の少なくとも何れかを用いて、3Dオブジェクトや3Dオブジェクトの境界を保護領域として判別する。 - 特許庁

例文

As explained above, the need for forming a seal ring in the surrounding of a circuit forming region of the semiconductor device is eliminated to reduce the size of the semiconductor chip by controlling penetration of water from the side surface of the semiconductor device with the side wall protection film 22.例文帳に追加

こうして、半導体装置の側面からの水分の浸入を側壁保護膜22によって抑制することにより、半導体装置の回路形成領域の周囲にシールリングを形成する必要を無くし、半導体チップの縮小化を図る。 - 特許庁




  
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