「protection channel」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The non-pattern is removed, the Ga oxide film under the non-pattern is removed together with the removal of the non-pattern making the pattern as a mask, the first protection layer and the second protection layer are formed to obtain a channel protective film.例文帳に追加

この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。 - 特許庁

The installation device is fitted with a handrail 6 having a channel shape on the plan for coupling together the vertical frames 2, and a protection ceiling 7 is installed in the upper part of the handrail 6.例文帳に追加

また、一対の縦枠２を連結する平面視コの字形状の手摺り６を設けると共に、手摺り６の上部に防護天井７を備えてある。 - 特許庁

To enhance protection performance and sealability of a liquid contact face of an adhesive, when bonding a plurality of members arranged highly densely with fine flow channel structure.例文帳に追加

微細な流路構造が高密度に配置されている複数部材を接着する際に、接着剤の接液面の保護性能及びシール性を向上させる。 - 特許庁

Coding parameters, such as channel code rates, error resilience redundancy, unique error protection level, and transmit power level can vary from layer to layer.例文帳に追加

チャネルコードレート、エラー耐性の冗長度、不均一誤り保護レベル、および送信電力レベル等の符号化パラメータはレイヤによって変化することができる。 - 特許庁

The valve includes a gel material, and the access channel can include a protective sleeve for wound protection during insertion and withdrawal of a sharp surgical instrument.例文帳に追加

弁にはゲル材料を設け、アクセスチャネルには、鋭い手術器具の挿入及び引抜き時に創傷の保護を行う保護スリーブを設けることができる。 - 特許庁

In a path switchover method in network where two nodes (#1)1-1 and (#2)1-2 respectively including a high-speed side channel and a low-speed side channel are composed linearly, an unused channel of a protection line is used for a switchover destination of a working line when a transmission fault occurs between two nodes.例文帳に追加

各々高速側チャンネルと低速側チャンネルとを含む２つのノード（＃１）１−１、（＃２）１−２をリニアで構成したネットワークのパス切替方法であって、２つのノード間で伝送路障害が発生した際に、現用回線の切替先に予備回線の未使用チャンネルを使用する。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a thick insulating film is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、厚い絶縁膜を配置した。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, three layers of a gate insulating film, an oxide semiconductor layer, and a channel protection film are continuously film-deposited by a sputtering method out of contact with the atmosphere.例文帳に追加

課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。 - 特許庁

The channel code has a designated rate relating to a corresponding error protection level and is used for the purpose of coding a 1st part 202 of the source coded bit stream 200.例文帳に追加

チャネル符号は、対応する誤り保護のレベルに関連する指定されたレートを有し、ソース符号化ビットストリーム２００の第１部分２０２を符号化するために使用される。 - 特許庁

To improve the yield of a liquid crystal display device by reducing the contact defect of a light shielding layer for channel protection of a pixel TFT and a constat voltage wiring.例文帳に追加

液晶表示装置において、画素ＴＦＴのチャネル保護用遮光層と定電圧配線とのコンタクト不良を低減させ、歩留まりを向上させることを課題とする。 - 特許庁

The drive transistor Tr2 has such structure that area of a part overlapping a channel protection layer 24 in a source electrode S is larger than that in a drain electrode D.例文帳に追加

本発明は、駆動トランジスタＴｒ２を、チャンネル保護層２４と重なり合う部位の面積がドレイン電極Ｄに比してソース電極Ｓで大きな構造とする。 - 特許庁

When the channel protection layer 24 and a source/drain electrode 25 are formed, desorption of oxygen from an oxide semiconductor thin film layer 23 is suppressed, and leakage current is reduced.例文帳に追加

チャネル保護層２４およびソース・ドレイン電極２５の形成時に、酸化物半導体薄膜層２３からの酸素の脱離が抑えられ、リーク電流が低減する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor provided with a protective film for simultaneously achieving both protection of a channel layer and restoration of TFT characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネル層の保護と、ＴＦＴ特性の回復の双方を同時に実現することが可能な保護膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of channels (4) are formed in the shape of a lattice to one principal plane (1a) of a semiconductor wafer (1), a thermally-vaporizing substance (5) vaporized by heat treatment is supplied to a part of the channel (4), and thereafter a protection resin (6) is supplied to fill the channel (4) on the thermally vaporizing substance (5).例文帳に追加

半導体ウェーハ(1)の一方の主面(1a)に複数の溝(4)を格子状に形成し、加熱により気化する熱気化性物質(5)を溝(4)の一部に供給した後、熱気化性物質(5)の上から溝(4)内に保護樹脂(6)を充填する。 - 特許庁

A thin film transistor 1 is a bottom gate TFT, and includes a gate electrode 12, a gate insulating film 13, an oxide semiconductor layer 14 forming a channel, a channel protection film 16, and source and drain electrodes 15A and 15B over a substrate 11 in this order.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an output terminal 5 through which current flows in or out; an N-channel MOSFET 7 for example, which is connected with the output terminal and makes up a surge protection element; and control circuits 8, 9 capable of controlling an operation of driving the surge protection element in the inspection.例文帳に追加

電流の流入または流出が行われる出力端子５と、出力端子に接続されサージ保護素子を構成する例えばＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ７と、検査時にサージ保護素子を駆動制御することが可能な制御回路８、９とを備える。 - 特許庁

The thin film transistor 1 is a bottom-gate-type TFT and has on a base 11 a gate electrode 12, a gate insulating film 13, an oxide semiconductor layer 14 forming a channel, a channel protection film 16, and source and drain electrodes 15A, 15B in that order.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えるものである。 - 特許庁

An ink supply system is equipped with a cover 70 on whose upper surface a plurality of ink supply needles 25 are provided protrusively, a diaphragm forming member 80, a channel forming plate 90, a film 120 and a protection plate 130.例文帳に追加

インク供給システムは、インク供給針２５が複数本上面に突設されたカバー７０、ダイアフラム形成部材８０、流路形成板９０、フィルム１２０及び保護板１３０と備える。 - 特許庁

A semiconductor film 81 is formed on the gate insulating film 31, a channel protection film 21p is patterned and an insulating film 72 is patterned in such a manner so as to overlap the signal line group Y.例文帳に追加

半導体膜８１をゲート絶縁膜３１上に成膜し、チャネル保護膜２１ｐをパターニングするとともに絶縁膜７２を信号線群Ｙに重ねるようにパターニングする。 - 特許庁

Moreover, the side face of the island 201b can be coated with the channel protection film, and this prevents impurities from entering the semiconductor film by diffusion and an electric field and improves a characteristic of the TFT.例文帳に追加

また、チャネル保護膜によってアイランド２０１ｂの側面が被覆でき、不純物が拡散や電界により半導体膜中に入ることが防止され、ＴＦＴの特性を改善する。 - 特許庁

To suppress the performance deterioration and unstability of a field effect transistor by forming a protection film on the transistor wherein a channel layer is composed of an organic semiconductor film without invading the organic semiconductor film.例文帳に追加

チャネル層が有機半導体膜である電界効果型トランジスタに、有機半導体膜を侵すことなく保護膜を形成することで、トランジスタの性能の劣化や不安定化を抑制する。 - 特許庁

To solve the problem of copy protection in transmitting both audio data of a two-channel system and a narrow band system and high quality audio data of a multichannel system and a broadband system.例文帳に追加

２チャネル方式や狭帯域方式のオーディオデータとマルチチャネル方式や広帯域方式の高品質オーディオデータの両方を伝送する場合にそのコピープロテクトの問題点を解決する。 - 特許庁

After that, hydrogenating anneal processing is executed to introduce hydrogen from a channel protection layer 13a formed by patterning the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 to the microcrystalline silicon thin film 7a.例文帳に追加

その後、水素含有シリコン系絶縁膜１３をパターニングしてなるチャネル保護層１３ａから微結晶シリコン薄膜７ａに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。 - 特許庁

When dry etching using etching gas containing at least COF_2 gas is performed, the silicon nitride film 22 can be favorably dry-etched and a channel protection film is formed under the resist film 23.例文帳に追加

そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a P-type impurity region having a higher concentration than any other region is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、他のチャネル領域より高濃度のＰ型の不純物領域を配置した。 - 特許庁

Thus, the output circuit can be operable at a higher speed and a source-drain voltage between a third P-channel MOS transistor 71 and a third N-channel MOS transistor 72 of the over-voltage protection circuit caused at a change in an output signal OUT can be decreased.例文帳に追加

これにより，より高速に動作することが可能になり，さらに，出力信号ＯＵＴの変化時にかかる過電圧保護回路の第３のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ７１，および第３のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ７２のソース−ドレイン間電圧を小さくできる。 - 特許庁

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

To solve problems about the copy protection of audio data of a two-channel system and a narrow band system and of high quality audio data of a multichannel system and a wide band system in the case of transmitting both the audio data and the high quality audio data.例文帳に追加

２チャネル方式や狭帯域方式のオーディオデータとマルチチャネル方式や広帯域方式の高品質オーディオデータの両方を伝送する場合にそのコピープロテクトの問題点を解決する。 - 特許庁

To surely obtain time information required for reproduction from data streams including object streams without narrowing a frequency band of a transmission channel nor being affected by the protection of intellectual properties.例文帳に追加

伝送路の帯域を狭めることなく、また、知的財産の保護による影響を受けることなく、確実に複数のオブジェクトのストリームを含むデータストリームから、再生に必要となる時間情報を得ること。 - 特許庁

In the case that the MOSFET for the trigger and the MOSFET for the protection are N-channel type MOS transistors, gate electrodes for triggers 5, 5a, source dispersion layers 6, 6a or the like are connected to earth potential.例文帳に追加

なお、トリガー用ＭＯＳＦＥＴと保護用ＭＯＳＦＥＴとがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合には、トリガー用ゲート電極５，５ａ、ソース拡散層６，６ａ等は接地電位に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes: the channel protection layer 15 provided on a semiconductor layer 14 of a thin-film transistor TFT; and a carbon insulation film 16 provided between the source and drain electrodes 18 and an impurity semiconductor layer 17.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１４上に設けられるチャネル保護層１５と、ソース、ドレイン電極１８及び不純物半導体層１７との間に、カーボン絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

To avoid a problem of excess overhead due to a tail bit required for termination of a sub block in a conventional ununiform error protection(UEP) technology while avoiding error propagation in a channel decoder.例文帳に追加

チャネル復号器における誤り伝搬を回避しながら、従来の不均一誤り保護（ＵＥＰ）技術におけるサブブロックの終端に必要なテールビットによる過剰オーバーヘッドの問題を回避する。 - 特許庁

In order to compensate the transmission quality in a stage of a radio link, this ATM device employs an affirmative response and a re-transmission device suitable for a characteristic of a synchronous radio channel and has a data protection device set for connection of each ATM depending on the service quality.例文帳に追加

無線リンクの段階で或る伝送品質を保証するために、本装置は、同期式無線チャネルの特性に適合した肯定応答と再伝送機構（ＡＲＱ）を用いる。 - 特許庁

To solve the problem of copying protection of both of audio data of a two-channel system or narrow-band system and high-quality audio data of a multichannel system or a broad-band system when both of the data are transmitted.例文帳に追加

２チャネル方式や狭帯域方式のオーディオデータとマルチチャネル方式や広帯域方式の高品質オーディオデータの両方を伝送する場合にそのコピープロテクトの問題点を解決する。 - 特許庁

For instance, a real amorphous silicon film 21 and a silicon nitride film (channel protection film forming film) 22 are formed on the upper surface of a gate insulating film 3, and a resist film 23 is formed on the silicon nitride film.例文帳に追加

例えば、ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１および窒化シリコン膜（チャネル保護膜形成用膜）２２が成膜され、その上にはレジスト膜２３が形成されている。 - 特許庁

Path opening and closing protection switches 13a to 13n are connected to a channel at a rear step, close when the fault occurs to the signal processing means at the rear step when the fault occurs to the signal processing step at the rear step, and open at the normal time or the fault is restored.例文帳に追加

経路開閉プロテクションスイッチ１３ａ〜１３ｎは、後段のチャンネルと接続し、後段の信号処理手段に障害が発生した場合は閉結、正常時及び障害が復旧した場合は開放する。 - 特許庁

A channel block 1 is provided with a precast concrete bottom wall 2 and a pair of side walls 3 and the inside and the outside of the side walls 3 used as a cover mounting regions are fitted with a protection cover 11 in a removal manner.例文帳に追加

水路用ブロック１は、プレキャストコンクリートよりなる底壁２と一対の側壁３とを備え、カバー取付部位としての側壁３の内面及び外面には保護カバー１１が取外し可能に取付けられる。 - 特許庁

The method of installing the electrode for cathode protection for the concrete structure is characterized by cutting a longitudinal channel having angles of 90° and 45° or more against the surface of the concrete into the depth direction, and installing a flexible mesh strip electrode in a longitudinal direction of the channel so as to form a wavy or linear shape.例文帳に追加

コンクリート面に直角及び４５度以上の角度をもった深さ方向に縦長の溝部を切り込み、該溝部の長手方向に可撓性メッシュ帯状電極を波形状又は直線形状に設置させたことを特徴とするコンクリート構造物への電気防食用電極の設置方法。 - 特許庁

In the input/output protection circuit which is provided with a P-channel MOS transistor 34 connected between an input terminal 30 and a power source line 32, and an N-channel MOS transistor 35 connected between the input terminal 30 and a grounding wire 33, both gate electrodes 34a and 35a of the transistors 34 and 35 are in floating states.例文帳に追加

入力端子３０と電源線３２との間に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタ３４と、入力端子３０と接地線３３との間に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ３５とを備えた入力／出力保護回路において、トランジスタ３４，３５のゲート電極３４ａ，３５ａがともにフローティング状態にある。 - 特許庁

A first N-channel MOS (metal oxide semiconductor) transistor 20 of a first buffer circuit and a second P-channel MOS transistor 41 of a second buffer circuit are added to an output circuit provided with a first control circuit 50, a level conversion circuit 11, the first buffer circuit 20, the second buffer circuit 40, and an over-voltage protection circuit 70.例文帳に追加

第１の制御回路部５０と，レベル変換回路１１と，第１のバッファ回路２０，第２のバッファ回路４０，過電圧保護回路７０とを備えた出力回路において，第１のバッファ回路の第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ２２，および第２のバッファ回路の第２のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ４１を付加した。 - 特許庁

The data interface particularly enables collection of data transferred from each end of the link via the link, provides link management and control information, encodes error protection, and provides logic for processing data via the communication channel.例文帳に追加

データインタフェースは、特に、リンクの各終端からリンクを介して転送されるデータの収集を可能にし、リンク管理および制御情報を提供し、誤り保護を符号化し、通信チャネルを介してデータを処理するロジックを提供する。 - 特許庁

A photosensitive organic system insulating film which serves as a second protection layer is formed on the Ga oxide film, the portion which matches a channel region in the photosensitive organic system insulating film is made to be a pattern, the portion other than that is made to be a non-pattern.例文帳に追加

Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。 - 特許庁

The plasma treatment is applied to the first region 20, second region 22 and channel protection film 26 using gas containing a dopant to increase an impurity concentration of a surface layer 28 of the first region 20 and second region 22.例文帳に追加

第１領域２０及び第２領域２２並びにチャネル保護膜２６に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、第１領域２０及び第２領域２２の表層２８の不純物濃度を高める。 - 特許庁

The link information advertising means is configured to advertise vacant band information of each protection class for each line class within the link and vacancy/occupancy information for each channel that is a minimum unit line, as the link information.例文帳に追加

前記リンク情報広告手段は、前記リンク内の回線種別毎の各保護種別の空帯域情報と、最小単位の回線であるチャンネル毎の空塞情報とを前記リンク情報として広告するように構成する。 - 特許庁

As both electrical source line 1 (L1) and that 2 (L3) are switched on, an n-channel transistor 3 serving as an ESD protection element is fixed in an off state by an inverter circuit 2 (5) and that 1 (4) at the time of a normal operation.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子であるＮチャネルトランジスタ３は、通常動作時には、電源ライン１（Ｌ１）および電源ライン２（Ｌ３）ともに電圧が投入されているので、インバータ回路２（５）およびインバータ回路１（４）によりオフに固定されている。 - 特許庁