「region of body」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A vertical conductive body 2 consists of a solidified metal body filled in a region 20 surrounded by the insulating filling layer 3.例文帳に追加

縦導体２は、絶縁物充填層３によって囲まれた領域２０内に充填された凝固金属体でなる。 - 特許庁

The blood pressure measuring device has the device body 1 with an arm insertion tube part 5 for inserting an arm of a human body as a measured region.例文帳に追加

被測定部位である人体の腕を挿入するための腕挿入筒部５を設けた装置本体１を備える。 - 特許庁

The brake disk is provided with at least the annular braking body 1 and the mounting member 2 mounted to the center region of the braking body 1.例文帳に追加

ブレーキディスクは、環状の制動体１と、その中心域に装着される取付部材２とを少なくとも具備する。 - 特許庁

a condition in which cancer is spread widely throughout the body, or, in some cases, to a relatively large region of the body. 例文帳に追加

がんが全身に拡がった状態、あるいは、身体の比較的大きな領域に拡がった状態をいうこともある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The body region (5) is provided with another semiconductor region (5b) which is jointed to the drain region (6) and is mainly composed of a semiconductor material except for SiGe and with a SiGe region (5a) which is arranged between the other semiconductor region (5b) and the source region (4) and which is mainly composed of SiGe.例文帳に追加

ボディ領域（５）は、ドレイン領域（６）に接合され、ＳｉＧｅ以外の半導体材料を主成分とする他半導体領域（５ｂ）と、他半導体領域（５ｂ）とソース領域（４）との間に介設され、ＳｉＧｅを主成分とするＳｉＧｅ領域（５ａ）とを備えている。 - 特許庁

The silicon semiconductor layer 13 includes an emitter region 14 in contact with an emitter electrode 20, a collector region 15 in contact with a collector electrode 21, and a center semiconductor region composed of a body region 17, a part of a buffer region 19, and a drift region 16.例文帳に追加

シリコン半導体層１３は、エミッタ電極２０に接しているエミッタ領域１４と、コレクタ電極２１に接しているコレクタ領域１５と、ボディ領域１７及びバッファ領域１９の一部とドリフト領域１６とからなる中央半導体領域とを備えている。 - 特許庁

If the movable body 3 is arranged at the side part of the game region 1a, the balls can be guided inside from the side part of the game region.例文帳に追加

可動体３が遊技領域１ａの側部に配置されれば、遊技領域１ａの側部から内側に球を誘導することができる。 - 特許庁

To properly adjust the external pressure applied to a region in the body cavity by the leading end of the insertion part of an electron endoscope corresponding to a patient or region.例文帳に追加

体腔内において電子内視鏡の挿入部の先端が部位に与える外圧を、患者や部位に応じて適切に調整する。 - 特許庁

An elastically deformable region 65 is formed at a part of the outer case 9 of an ink cartridge and an engaging body 66 is provided in that region.例文帳に追加

インクカートリッジの外郭ケース９の一部に弾性変形しやすい領域６５を形成して、この領域に被係合体６６を設ける。 - 特許庁

In the laminated body 12, a thickness D3 of a region A3 in the z-axis direction is smaller than a thickness D2 of a region A2 in the z-axis direction.例文帳に追加

積層体１２において、領域Ａ３のｚ軸方向の厚みＤ３は、領域Ａ２のｚ軸方向の厚みＤ２より小さい。 - 特許庁

As a result, the pelvis region of the occupant 12 is to be the first region of the passenger where the load is dynamically applied by the side closure structure body 42.例文帳に追加

結果として、乗員12の骨盤領域が、側部閉止構造体42により動的に荷重がかかる最初の乗員領域となる。 - 特許庁

The water shielding screen body 13 prevents the flow of water 16 from one region 2 out of the two regions 2, 3 into the other region 3.例文帳に追加

遮水膜体１３が、二つの領域２，３のうちの一方の領域２から他方の領域３への水１６の流動を防止する。 - 特許庁

A top face 171a of the oxide film 171 is located on the lower side than a boundary surface B1 of the drift region 112 and the body region 141.例文帳に追加

酸化膜１７１の上面１７１ａは、ドリフト領域１１２とボディ領域１４１との境界面Ｂ１よりも下方側に位置している。 - 特許庁

A first conductivity type source diffusion region 6 and a first conductivity type drain diffusion region 7 are formed, respectively, on the surface of the body diffusion region and the drift region corresponding to the opposite sides of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の両側に相当するボディ拡散領域の表面、ドリフト領域の表面にそれぞれ形成された第１導電型のソース拡散領域６、第１導電型のドレイン拡散領域７を備える。 - 特許庁

The active elements are arranged in a region on the substrate except for the region where the movable face of the micro structural body overlaps with the substrate and in the region extended from the above region along the direction where the angle of the movable face varies with respect to the substrate.例文帳に追加

アクティブ素子は、マイクロ構造体の可動面と基板面とが重なる領域と、該可動面が基板に対して角度を変える方向に該領域を延長した領域と以外の基板上に配置される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域１０と、ＥＳＤ保護素子領域３０とからなり、第１導電型の半導体層からなるドレイン領域１１と、ドレイン領域１１上に形成された第１導電型半導体領域から成るドリフト領域１２と、ドリフト領域１２に形成された第２導電型半導体領域から成るボディ領域１４，３４とを備える。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

To prevent the loss of retention data of a plurality of memory cells caused by a charge accumulated in a body region of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのボディ領域に蓄積された電荷により生じる複数のメモリセルの保持データの消失を防ぐ。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device for inhibiting the fluctuation of the potential of a body region caused by the fluctuation of the potential of power supply wiring.例文帳に追加

電源配線の電位の変動に起因するボディ領域の電位の変動を抑制し得る半導体装置を得る。 - 特許庁

Since the insulating region 22 reduces a connecting area between base/emitter of a parasitic NPN transistor constituted of the source region 23, the body region 21 and a drift region 25, the amount of electron, poured from the source region 23 after the parasitic NPN transistor turns ON, is reduced.例文帳に追加

絶縁領域２２は、ソース領域２３とボディ領域２１とドリフト領域２５で構成される寄生のnpnトランジスタのベース・エミッタ間の接合面積を小さくするので、寄生のnpnトランジスタがオンした後にソース領域２３から注入される電子量を低減する。 - 特許庁

Then, the semiconductor device 1 has, in an LDMOS region 5, an LDMOSFET (Lateral Double diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) composed of a body region 8, a drain buffer region 9, a source region 11, a gate electrode 14 etc.例文帳に追加

そして、半導体装置１は、ＬＤＭＯＳ領域５に、ボディ領域８、ドレインバッファ領域９、ソース領域１１およびゲート電極１４などからなるＬＤＭＯＳＦＥＴを備えている。 - 特許庁

The complete-depletion type SOI semiconductor device includes an nMOS-type element having a p-type polycrystalline SiGe gate electrode 15, a body region (channel region) 13B made of an n-type semiconductor, a source region 13S, and a drain region 13D.例文帳に追加

ｐ型多結晶ＳｉＧｅゲート電極１５並びにｎ型半導体からなるボディ領域（チャネル領域）１３Ｂ、ソース領域１３Ｓ、ドレイン領域１３Ｄを備えたｎＭＯＳ型素子が含まれる。 - 特許庁

A detection value of the acceleration of each user is acquired from a detector which is attached to a body region of each of the plurality of users.例文帳に追加

複数人のユーザそれぞれの身体部位に装着した検出器から、各ユーザの加速度の検出値を取得する。 - 特許庁

A body variation measurement part 20 calculates a moving distance of each region of the virtual worker's body as an absolute moving distance from the amount of movement of the position of each region calculated by the work operation measuring part 15d.例文帳に追加

身体変動計測部２０は、作業動作計測部１５ｄが計算した各部位の位置の移動量に基づいて、仮想作業者の身体の各部位の移動距離を絶対移動距離として計算する。 - 特許庁

The transistor includes a gate semiconductor region 253 formed on an inner face of the groove 360, an N-type embedded channel region 262 formed in an epitaxial region 221 becoming an outer side of the P-type gate semiconductor region 253, and a channel region 382 formed of a P-type body semiconductor region 254 formed on an outer side of the embedded channel region 262.例文帳に追加

更に、溝３６０の内面に形成されるゲート半導体領域２５３と、該Ｐ型ゲート半導体領域２５３の外側となるエピタキシャル領域２２１に形成されるＮ型の埋込チャネル領域２６２と、この埋込チャネル領域２６２の外側に形成されるＰ型のボディ半導体領域２５４からなるチャネル領域３８２を備える。 - 特許庁

Then, a well layer 5 made of an n-type impurity region is formed between the body layer 2 and the n^- layer 6 in a region included in the body layer 2 in a plan view.例文帳に追加

そして、平面視においてボディ層２に含まれる領域内の、ボディ層２とＮ^-層６との間には、Ｎ型不純物領域からなるウエル層５が形成されている。 - 特許庁

A revolution detecting body (10) is fixed to the rolling motion roller (4) and a microphotosensor (3) is arranged in the revolution region of the revolution detecting body (10) in the state that its detecting part exists in this region.例文帳に追加

転動ローラ(４)に回転検出体(10)を固定するとともに、回転検出体(10)の回転領域に検出部が位置する状態にマイクロフォトセンサー(３)を配置する。 - 特許庁

An image picked up with deep field depth is input and the external edge part of a human body region is searched by detecting a human body region including the face and the lower section.例文帳に追加

深い被写界深度で撮像された画像を入力して、顔及びその下方部分を含む人体領域を検出して人体領域の外縁部を求める。 - 特許庁

The protective film 35 has a separable portion 37 at a border position between a display region protective part 35a covering a display region 33a of the main body 33 and a bezel contact region protective part 35b covering a bezel contact region 33b of the main body 33.例文帳に追加

保護フィルム３５のうち、本体部３３における表示領域３３ａを覆う表示領域保護部３５ａと、本体部３３におけるベゼル当接領域３３ｂを覆うベゼル当接領域保護部３５ｂとの境界位置には、分離可能部３７が設けられている。 - 特許庁

In the field effect transistor, a rectangular body 2 composed of an insulating material is provided on an insulating substrate 1, and a first electrode 3 is formed on the rectangular body 2 in a region from the top surface of the body 2 to the surface of the substrate 1 on both sides of the body 2 through the side faces of the body 2.例文帳に追加

絶縁性基板１上に、絶縁性材料からなる矩形体２を設け、この矩形体の上面と、側面と、この矩形体２の両側の絶縁性基板１の表面とに渡って、第１の電極３を形成する。 - 特許庁

A groove determination section 17 determines a region falling under a shadow of the groove formed by being clamped between the body cavity and an organ wall from the concave lesion candidate region, as a groove region.例文帳に追加

溝判定部１７は、凹病変部候補領域から体腔器官壁に挟まれて発生した溝の陰影に該当する領域を溝領域として判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a SOI structure, in which an electric potential of a body region in an element-forming region isolated by a partial isolation region can be fixed with high stability.例文帳に追加

部分分離領域によって素子分離された素子形成領域におけるボディ領域の電位を安定性の良く固定できるＳＯＩ構造の半導体装置を得る。 - 特許庁

For this, an active area ratio in this region 12 is set almost equal to that in a circuit forming region 16 of a chip main body region 10.例文帳に追加

このために、このスクライブライン領域１２におけるアクティブ面積率は、チップ本体領域１０の回路形成領域１６におけるアクティブ面積率と略等しくなっている。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed through an insulating film 4 at a position covering from the body diffusion region to a drift region on the outside of the diffusion region.例文帳に追加

ボディ拡散領域上からこの拡散領域の外側のドリフト領域上まで覆う位置に、絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５を備える。 - 特許庁

A connection part 12 is formed under the second impurity diffusion layer in the element forming film, and electrically connects a body region of the first element with a body region of the second element.例文帳に追加

接続部１２は、素子形成膜における第２の不純物拡散層の下方に形成され、第１の素子のボディ領域と第２の素子のボディ領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

A fuel discharging port 31 is formed on the front face of the container body 2, and an internal space of the body 2 is partitioned by a follower 5 into a front region and a rear region.例文帳に追加

容器本体２の前面には燃料排出口３１が設けられ、容器本体２の内部空間は追従体５によって前側の領域と後ろ側の領域に区切られている。 - 特許庁

After an N type epitaxial layer 6 is formed, a recess 33 for body region is formed in a part on the surface of the epitaxial layer 6 becoming the body region 9 of a VDMOSFET 3.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層６が形成された後、そのエピタキシャル層６の表面におけるＶＤＭＯＳＦＥＴ３のボディ領域９となる部分に、ボディ領域用凹部３３が形成される。 - 特許庁

A movable wall 15 sunken toward the inside of the tubular body 12 is provided in an end tip member region 14 of the tubular body 12.例文帳に追加

管状体１２の先端部領域１４に管状体１２の内側方向に凹んだ形状の可動壁１５が設けられる。 - 特許庁

To sufficiently improve the stiffness of a car body within the region between rear wheel houses and rear pillars arranged in a rear portion of the car body with a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成で車体後部に設置されたリヤホイールハウスとリヤピラーとの間における車体剛性を充分に向上させる。 - 特許庁

The gate length of a gate electrode 37 in the ESD protective element region 10 is less than twice as large as the channel region length of the main-body transistor region 10.例文帳に追加

そして、ＥＳＤ保護素子領域１０におけるゲート電極３７のゲート長が、本体トランジスタ領域１０におけるチャネル領域長の２倍以下である半導体装置を構成する。 - 特許庁

A body region 25 of the channel region 10A includes an emitter region 26 which is in contact with a side surface of a trench gate 30 and electrically connected to an emitter electrode 28.例文帳に追加

チャネル区域１０Ａのボディ領域２５には、トレンチゲート３０の側面に接するとともにエミッタ電極２８に電気的に接続しているエミッタ領域２６が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

To provide an annular body whose first region is more excellently detected over a long period of time, when the annular body is used in an image forming apparatus, as compared to a case when the annular body does not have the first region.例文帳に追加

本発明における第１の領域を有さない場合に比べて、画像形成装置で使用した際に、長期間に渡って該第１の領域が良好に検出される環状体を提供する。 - 特許庁

The whole region where sensor elements 18 of a sensor body 12 are arranged is partitioned into a plurality of partition regions S.例文帳に追加

センサ本体12のセンサ素子18が配列された全領域を複数の分割領域Ｓに分割する。 - 特許庁

To provide a vibration applier capable of applying various impulsions to an object region of a living body.例文帳に追加

生体の対象部位に対して多様な刺激を与えることのできる振動付与装置を提供する。 - 特許庁