「solid-state diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetic member 1 is provided with an axis element 200, containing metal and a core element 110 attached to the axis element 220 through solid-state diffusion in relation to the axis element 220 containing soft magnetic particle.例文帳に追加

磁性部材１は、金属を含む軸体２００と、軟磁性粒子を含み、軸体２００に対して固相拡散することで軸体２００に取付けられたコア体１１０とを備える。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device of a CMD pixel, capable of accurately setting a relative position of an impurity diffusion layer and then setting a reset voltage for resetting stored charges low.例文帳に追加

不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるＣＭＤ画素の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that is not required to connect capacitance to a power source voltage while reducing an afterimage by increasing a potential of floating diffusion using the capacitance.例文帳に追加

容量を利用してフローティングディフュージョンのポテンシャルを持ち上げて残像を低減しつつ、前記容量を電源電圧に対して接続しなくてすむ固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high accuracy, high sensitivity solid state image sensor in which the loss of light utilization efficiency due to the absorption or diffusion of light in an intermediate layer can be reduced.例文帳に追加

中間層での光の吸収や拡散による光利用効率のロスを低減できる高精度、高感度の固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state image sensing device capable of reducing the entry of an impurity metal from a metal film to a silicon substrate by diffusion of metal, and of suppressing white spot noise.例文帳に追加

金属膜からシリコン基板への金属拡散による不純物金属の浸入を低減し、白点ノイズを抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes an antireflection film 106 which contains hydrogen and is arranged above a photodiode 102, and a hydrogen diffusion preventing film 107, arranged above the reflection preventing film 106.例文帳に追加

フォトダイオード１０２の上方に配置された、水素を含有する反射防止膜１０６と、反射防止膜１０６の上方に配置された水素拡散防止膜１０７とを備える。 - 特許庁

Normally, as shown by a solid line, both the diffusing parts 10a and 10b are made into a horizontal state, air is supplied to all diffusion parts to be diffused over the whole area of the tank 1, and the overall aeration is carried out.例文帳に追加

通常は、実線のごとく、両散気部１０ａ、１０ｂを水平状態にして全ての散気部に空気を供給して槽１内全域に散気して全面曝気を行う。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

In an electric charge section of a solid-state imaging device, a plurality of unit pixels 131, each of which has a photodiode 141, a first CCD 142, a second CCD 143 and a floating diffusion region 145, are arranged two-dimensionally.例文帳に追加

固体撮像装置の電荷部には、フォトダイオード１４１と、第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３、浮遊拡散領域１４５とを備える複数の単位画素１３１が、２次元に配列される。 - 特許庁

The solid-state imaging device 100 further includes a controller 110 for turning OFF the switching transistor 114 in a transfer period during which the signal charge is transferred from the photodiode PD1 to the floating diffusion FD1.例文帳に追加

また、固体撮像装置１００は、さらに、フォトダイオードＰＤ１からフローティングディフュージョンＦＤ１に信号電荷を転送する転送期間においてスイッチトランジスタ１１４をオフする制御部１１０を備える。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device has an electrode 53 which is formed on the first semiconductor region 23 existing between the floating diffusion region FD and the element isolation region 28, and to which a necessary bias voltage is applied.例文帳に追加

さらに、フローティングディフージョン領域ＦＤと素子分離領域２８の間に存在する第1の半導体領域２３上に形成され、所要のバイアス電圧が印加される電極５３とを有する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a solid state image sensor in which a diffusion layer can be formed at a light receiving part without requiring any additional fabrication step while preventing a semiconductor substrate from being cut through etching and poly-Si from being left.例文帳に追加

製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Ｓｉ残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus for both range finding and imaging purposes the sensitivity and the saturated electric charge amount of which are improved by decreasing the capacitance of a floating diffusion part and increasing the area of a photoelectric conversion part.例文帳に追加

測距・撮像兼用の固体撮像装置において、浮遊拡散部の容量の減少、および光電変換部の面積の増加によって感度および飽和電荷量を向上させる。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device and the manufacturing method of the device having a constitution capable of preventing the diffusion of a metallic element out of an electrode even when the electrode containing a metallic element is employed.例文帳に追加

金属元素を含有させた電極を採用した場合でも、電極から金属元素が拡散することを防止することが可能な構成の固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Solid-state imaging devices are arranged in a matrix form; and has multiple unit pixels 21 for outputting pixel signals according to incident radiations, and multiple floating diffusion areas 22 for receiving the pixel signals.例文帳に追加

固体撮像装置は、それぞれが行列状に配置され、入射光に応じた画素信号を出力する複数の単位画素２１と、画素信号を受ける複数のフローティングディフュージョン部２２とを備えている。 - 特許庁

To prevent unnecessary charges from flowing into a photoelectric conversion part in a charge accumulation period when driving a CMOS solid-state image pickup device wherein an element isolation means comprises a diffusion layer and an insulating film thereon.例文帳に追加

素子分離手段を拡散層とその上の絶縁膜で構成したＣＭＯＳ固体撮像素子の駆動において、電荷蓄積期間の光電変換部に不要な電荷が流れ込まないようにする。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

An electrode 11 is formed by installing a catalyst layer 7 on one face of a gas diffusion layer 9, and this electrode 11 is superposed on a solid polyelectrolyte membrane 5 in a state the catalyst layer 7 is on the solid polyelectrolyte membrane 5 side, and the membrane/electrode assembly 1 is constructed.例文帳に追加

ガス拡散層９の一方の面に触媒層７を設けて電極１１を形成し、この電極１１を、触媒層７が固体高分子電解質膜５側となる状態で、固体高分子電解質膜５に重ね合わせて膜・電極接合体１を構成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the characteristics change of a semiconductor substrate due to impurity diffusion and reducing the electrical resistance of a wiring layer, and to provide a solid-state imaging element and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散による半導体基板の特性変化を防止し、且つ配線層の電気抵抗を低減することができる半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 1A includes a diode (sensor) D made of an impurity diffusion layer formed on a surface layer of a semiconductor substrate 101 and an oxide insulating film 9A formed on the diode D and containing carbon.例文帳に追加

半導体基板１０１の表面層に形成された不純物拡散層からなるダイオード（センサ）Ｄと、ダイオードＤ上に設けられた炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａとを備えた固体撮像装置１Ａ。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided.例文帳に追加

固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。 - 特許庁

Thereby, the valve forming member 15 and the valve receiving member 14 can be successfully bonded with solid state diffusion bonding using comparatively inexpensive material such as stainless without using the adhesive, and does not come into an annealing state to reduce the pretension.例文帳に追加

これにより、接着剤を用いなくてもバルブ形成部材１５とバルブ受け部材１４とをステンレスなどの比較的安価な材料を用いて固相拡散接合工法などにより良好に接合できるとともに、焼きなまし状態となってプリテンションが減少することがない。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of achieving a decrease in number of saturation electrons of a light receiving element and prevention against color mixing due to spreading of an element isolation diffusion layer of a surface layer of a semiconductor substrate even when micromanufactured to a smaller size.例文帳に追加

微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a semiconductor substrate 100 having a pixel region and a peripheral region, and plural diffusion layers 102, 103 formed in the pixel region of the semiconductor substrate 100 and arranged in a matrix form.例文帳に追加

固体撮像素子は、画素領域と周辺領域とを有する半導体基板１００と、半導体基板１００の画素領域に形成され、行列状に配置された複数の拡散層１０２、１０３とを備えている。 - 特許庁

To provide a friction stir welding method and a friction stir welding apparatus capable of promoting the solid state diffusion of a material to be welded by a simple means, reducing occurrence of residual stresses, and obtaining a sound and consistent weld part.例文帳に追加

簡単な手段で被接合材料の固相拡散を促進できるとともに、残留応力の発生も低減でき、より健全で安定した接合部を得ることが可能な摩擦撹拌接合方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To prevent blooming of the readout gate section of a solid-state image pickup device, in which an impurity region for potential barrier is formed in the deep portion of a photodiode section, by suppressing the influence of thermal diffusion in the impurity region on the adjacent readout gate section.例文帳に追加

フォトダイオード部の深部にポテンシャルバリア用の不純物領域を形成する固体撮像装置において、不純物領域の熱拡散が隣接する読み出しゲート部に及ぶことを抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which a plurality of pixel cells are arranged in the line direction or the column direction, each pixel cell includes: a photoelectric conversion part; a transfer transistor; a floating diffusion part; a source follower transistor; a selection transistor; and a rest transistor.例文帳に追加

複数の画素セルを行方向または列方向に並べた固体撮像素子において、各画素セルは、光電変換部と、転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部と、ソースフォロアトランジスタと、選択トランジスタと、リセットトランジスタとを備える。 - 特許庁

To simultaneously prevent a crosstalk between pixels in a solid-state image sensing device owing to reflection (cause (I)) on the surface of a semiconductor chip or on metal wirings arranged on the outside of the surface, and owing to lateral diffusion (cause (II)).例文帳に追加

固体撮像素子において、半導体チップ表面、又は表面の外側の金属配線での反射に起因する画素間のクロストーク（原因（Ｉ））と、横方向拡散（原因（ＩＩ））に起因する画素間クロストークを同時に防ぐ。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

A solid-state image pickup device is provided with a photodiode 1 where the n-type impurity region is formed in an active region 9, a transfer switch 2 transferring the optical signal charge and FD 3 (floating diffusion region) being a transfer destination of the optical signal charge.例文帳に追加

固体撮像装置は、アクティブ領域９にＮ型不純物領域を形成してなるフォトダイオード１と、光信号電荷を転送する転送スイッチ２と、光信号電荷の転送先であるＦＤ（浮遊拡散領域）３とを有する。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

According to one embodiment, the thermal cycle includes a solid state diffusion sintering process wherein the substrate 10 and the densified plating 16 are heated to a temperature of at least about 1,300°F (about 704°C) but below the melting temperature of the electroless nickel plating.例文帳に追加

一つの実施態様では、熱サイクルは、基体１０及び緻密化されためっき１６を、少なくとも約１３００°F（約７０４℃）の温度であって、しかし無電解ニッケルめっきの融解温度未満の温度に加熱する固相拡散焼結プロセスを含む。 - 特許庁

To provide an improved design for a solid state X-ray detector that decrease the moisture diffusion amount occurring through seals used to attach a cover 58 to a glass panel substrate 52 capable of protecting a scintillator 54 from moisture damage.例文帳に追加

カバー５８をガラス基材パネル５２に取り付けるのに用いられる封止を透過して生ずる湿分拡散の量を減少させ、これによりシンチレータ５４を湿分損傷から保護する固体Ｘ線検出器１０用の改善型設計を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.例文帳に追加

固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

Heat and pressure are applied to the substrate (12), the interlayer (16), and the porous tantalum structure (10) to achieve solid-state diffusion between the substrate (12) and the interlayer (16) and between the interlayer (16) and the porous tantalum structure (10).例文帳に追加

前記基板（１２）と前記中間層（１６）との間、及び、前記中間層（１６）と前記多孔性のタンタル構造体（１０）との間に固体状態の拡散を実現するために、前記基板（１２）、前記中間層（１６）及び前記多孔性タンタル構造体（１０）に熱及び圧力が加えられる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a plurality of unit pixels arrayed which consist of: a storage well 2 for accumulating electric charges generated by a photoelectric conversion element with incident light; a transfer control element region TT for transferring electric charges to a floating diffusion region; and an output transistor Tm for outputting pixel signals amplified using the electric charges transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

There is formed a solid-state imaging apparatus which comprises an imaging region in which a plurality of pixels are arranged in the shape of a two dimensional array, and in which the imaging region comprises effective pixels 36 and black reference pixels 38, and the floating diffusion portions 44 and 54 of the effective pixel 36 and the black reference pixel 38 have shapes different from each other.例文帳に追加

複数の画素が２次元アレイ状に配列された撮像領域を有し、前記撮像領域は、有効画素３６と黒基準画素３８からなり、前記有効画素３６と黒基準画素３８のフローティング・ディフフュージョン部４４、５４は夫々異なる形状を有する固体撮像素子を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out through a manner where specially selected dissimilar metal thin pads arranged on a chip and a board are connected together through a solid-state diffusion bonding method instead of that solder bumps mounted on the pads of a chip and a board are made to reflow for making electrical and physical connections such as flip-chip bonding.例文帳に追加

フリップ−チップ結合にて行われるようなチップ及び基板のパッドに取付けられたはんだバンプをリフローさせることによる電気的及び物理的結合を形成させることに代わり、チップ及び基板上に配置された特別に選択された異種金属薄型パッドが固体拡散ボンディング方法により接続される。 - 特許庁