「solid-state diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The floating diffusion layer 103b is formed in an N-type silicon layer 103 of the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

固体撮像装置１のＮ型シリコン層１０３内には浮遊拡散層１０３ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide an all-solid state battery featuring reduced diffusion resistance and improved rate characteristics.例文帳に追加

本発明は、拡散抵抗が低減し、レート特性が向上した全固体電池を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that stabilizes the potential of a floating diffusion region and has a low noise characteristics.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域の電位を安定させ、低ノイズ特性を有する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In the solid-state image sensing element, the peripheries of its pixel regions are surrounded with a scanning circuit or a dummy diffusion.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、画素部の周囲を走査回路、又は、ダミー拡散によって取り囲まれる。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a surface photo diode 5 and the floating diffusion 7, on a front surface side of a semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体基板３の表面側に表面フォトダイオード５とフローティングディフュージョン７とを備えている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which color mixture is prevented by utilizing arrangement of a capacitor region separately provided from a floating diffusion region, and to provide a camera using the solid-state imaging device.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域と別に設けたコンデンサ領域の配置を活用して混色を防ぐことができる固体撮像装置及びその固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device capable of efficiently transferring charge from a photodiode to a floating impurity diffusion area, and to provide its manufacturing method and a solid state imaging unit.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置とその製造方法、及び固体撮像装置ユニットを提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which eliminates possible charge injection from a substrate through a diffusion layer under a carrier pocket.例文帳に追加

キャリアポケット下の拡散層を介して基板からの電荷注入の恐れを防止できる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a first impurity diffusion region and a second impurity diffusion region of a first conductivity type.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板上に設けられた第１の第１導電型不純物拡散領域と第２の第１導電型不純物拡散領域とを有する。 - 特許庁

Further, even if a flooding state occurs due to the product water, the atomic hydrogen can well be moved by the solid-phase diffusion.例文帳に追加

また、生成水によりフラッディング状態が発生しても、固相拡散によって原子状の水素を良好に移動できる。 - 特許庁

A solid state imaging device has a layout in which several structure parts comprising four photo diodes sharing floating diffusion are vertically arranged.例文帳に追加

４つのフォトダイオードで１つのフローティングディフージョンを共有した構成部を垂直方向に複数配置したレイアウトを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus efficiently performing charge transfer from a photodiode to a floating impurity diffusion area.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid state imaging device capable of reducing crosstalk caused by electronic diffusion between adjacent pixel areas.例文帳に追加

隣接する画素領域の間で電子拡散に起因して生ずるクロストークを低減することができる固体撮像装置を得る。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus in which a FD (Floating Diffusion) capacity value is made variable without increasing the number of elements.例文帳に追加

素子数を増加させることなくＦＤ容量値を可変にすることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which a photoelectric conversion element is insusceptible to diffusion of metal, metallic impurities, and the like.例文帳に追加

金属や金属不純物等の拡散により光電変換素子が影響を受けない構成の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus of which the dynamic range can be expanded by fully utilizing the capacity of a capacitor region provided separately from a floating diffusion region, and to provide camera employing the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域と別に設けたコンデンサ領域の容量を十分に活用してダイナミックレンジを拡大することができる固体撮像装置及びその固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell advantageous for achieving further improvement in gaseous diffusion and drainage capability in the downstream region of a gaseous diffusion layer, a gaseous diffusion layer for the polymer electrolyte fuel cell, and a manufacturing method for a solid-state polymer electrolyte type gaseous diffusion layer thereof.例文帳に追加

ガス拡散層の下流領域におけるガス拡散性や排水性の更なる向上を図るのに有利な固体高分子電解質形の燃料電池、固体高分子電解質形の燃料電池用のガス拡散層、固体高分子電解質形のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the impurities are diffused into the semiconductor substrate by rapid heat treatment by a solid-state diffusion method for the formation of a shallow junction.例文帳に追加

次いで、急速熱処理を通じて半導体基板に固体状態拡散法でｉｍｐｕｒｉｔｙを拡散させて浅い接合を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device wherein a dynamic range of floating diffusion can be ensured while suppressing noise induced from an electric field.例文帳に追加

フローティングディフュージョンのダイナミックレンジの確保と電界起因ノイズの抑制とを両立して実現可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce noise caused by leak current generated by floating diffusion in low illuminance or dark time, in a solid-state imaging element.例文帳に追加

固体撮像素子において、低照度時または暗時に、フローティングディフュージョンで生じるリーク電流に起因するノイズを低減できるようにする。 - 特許庁

The carburizing inhibiting material is made into a solid-liquid coexistent state upon carburizing treatment, and is made into a dense film, so as to inhibit the infiltration and diffusion of carbon.例文帳に追加

浸炭抑制材は、浸炭処理時において、固液共存状態となり、緻密な被膜となって、炭素の浸透、拡散を抑制する。 - 特許庁

To solve the problem wherein transfer efficiency from a horizontal CCD register to the floating diffusion deteriorates in a CCD solid-state imaging element since the reset potential of the floating diffusion becomes shallow when the driving voltage is lowered for the output part.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、出力部の駆動電圧を下げると、フローティングディフュージョンのリセット電位が浅くなり、水平ＣＣＤレジスタからフローティングディフュージョンへの転送効率が劣化する。 - 特許庁

To provide a small, sensitive solid-state imaging device in which the occupied area of a flowing diffusion area in a photo diode area is small in sharing the floating diffusion area among multiple photo diode areas.例文帳に追加

複数のフォトダイオード部がフローティングディフュージョン部を共有する場合に、フローティングディフュージョン部がフォトダイオード部に占める割合が小さく、小型で高感度の固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The solid-state photographic apparatus has a primary pixel and a secondary pixel, wherein both the pixels have a p-type diffusion layer 301 formed in a semiconductor substrate 300 and an n-type diffusion layer 302 formed on the p-type diffusion layer 301, respectively.例文帳に追加

固体撮像装置は、第１画素と第２画素とを備えており、両画素は、半導体基板３００内に形成されたｐ型拡散層３０１と、ｐ型拡散層３０１上に形成されたｎ型拡散層３０２とをそれぞれ有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device for efficiently transferring electric charges from a photodiode to a floating impurity diffusion region.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove reset noise according to a small signal and a large signal by providing a plurality of floating diffusion parts in a CMOS solid state imaging device.例文帳に追加

ＣＭＯＳ固体撮像装置において、複数のフローティングディフュージョン部を有する画素を備え、小信号、大信号に対応して、リセットノイズの除去を可能にする。 - 特許庁

To provide a structure that prevents the generation of color mixture in a solid-state imaging device where the depth of an n-type diffusion layer that serves as a light-receiving region for each color is changed.例文帳に追加

色毎に受光領域となるｎ型拡散層の深さを変化させた固体撮像装置において、混色の発生を防止した構造を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第１導電型の第１、第２不純物拡散層206-10,206-12と、第１、第２トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a floating diffusion region and variations in the amount of leakage current between pixels in a CMOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＣＭＯＳ固体撮像装置において、フローティングディフージョン領域のリーク電流を少なく、かつ画素間のリーク電流量ばらつきを少なくする。 - 特許庁

To improve efficiency of charge transfer from a charge holding part to an FD (floating diffusion) in a solid-state imaging device having the charge holding part in a pixel.例文帳に追加

画素内に電荷保持部を有する固体撮像装置において、電荷保持部からＦＤへの電荷転送効率を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which forms a minute impurity diffusion region, and to provide the semiconductor apparatus and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

微細な不純物拡散領域を形成することが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that prevents noise from being generated by a floating diffusion layer while preventing a decrease in sensitivity, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

感度の低下を防止しながら浮遊拡散層におけるノイズの発生を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A 90° polarization rotator 12 is held between two solid-state laser media 11, 13 and unified by diffusion coupling and the composite laser crystal 10 is manufactured, and the crystal 10 is arranged between optical resonators 31, 32, and the solid-state laser device is constituted.例文帳に追加

２個の固体レーザ媒質１１，１３の間に９０゜偏光ローテータ１２を挟み、拡散結合によって一体化してコンポジットレーザ結晶１０を製造し、それを光共振器３１，３２の間に配置して固体レーザ装置を構成する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels.例文帳に追加

半導体基板３３表面の第１の絶縁膜４０と、拡散層４３とその上の第２の絶縁膜４４によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段８６を有する。 - 特許庁

Then, the carbon powder is heated at 300-1,600°C in this state so that the carbon is subjected to solid solution diffusion into pure platinum, and thereafter, the pure platinum is heated at 300-1,600°C in an electrical furnace retaining an oxygen-containing atmosphere so as to remove carbon, subjected to solid solution diffusion, on the surface of the platinum.例文帳に追加

そして、この状態で３００度〜１６００度の温度下で加熱して炭素を純白金内に固溶拡散させるとともに、その後に純白金を、有酸素雰囲気を保った電気炉中で、３００度〜１６００度で加熱して、固溶拡散させた表面の炭素を取り除いた。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid state imaging device (semiconductor device), which keeps a diffusion profile of impurities sharp and surely keeps insulating layers from each other.例文帳に追加

不純物の拡散プロファイルが急峻に保たれ、かつ層間の絶縁性が確実に保たれた固体撮像装置（半導体装置）の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a plurality of modulation transistors Tm which output a pixel signal according to the optical generation charge held to a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element which can improve the transfer characteristics between an embedded photo diode and a surface diode, and a floating diffusion, while maintaining sensitivity.例文帳に追加

感度を維持しつつ埋込フォトダイオードおよび表面ダイオードとフローティングディフュージョンとの間の転送特性の向上を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a pixel including a buried photodiode 23, a buried floating diffusion 16, and a buried gate electrode 22.例文帳に追加

埋め込み型フォトダイオード２３と、埋め込み型フローティングディフュージョン１６と、埋め込み型ゲート電極２２とから構成される画素を有する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a floating diffusion region FD of the second conductivity type formed in a region isolated by the element isolation region 28 in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型のフローティングディフージョン領域ＦＤを有する。 - 特許庁

Each pixel 20 of a solid-state imaging element has a photodiode 51, a floating diffusion 54, a transfer transistor 55, a pixel amplifier 58, a reset transistor 59 and a selection transistor 60.例文帳に追加

固体撮像素子の各画素２０は、フォトダイオード５１、フローティングディフュージョン５４、転送トランジスタ５５、画素アンプ５８、リセットトランジスタ５９及び選択トランジスタ６０を有する。 - 特許庁

The core element will obtain improvement in high-frequency characteristics, because it contains soft magnetic particles, and the core element will be free of strains by undergoing solid-state diffusion in relation to the axis element.例文帳に追加

コア体１１０が軟磁性粒子を含むことで高周波特性が向上し、コア体が軸体に対して固相拡散することでコア体に歪みがなくなる。 - 特許庁

To eliminate image non-uniformity due to characteristic variations among a plurality of floating diffusion amplifiers in a CCD solid-state imaging device having a charge transfer line for output divided into a plurality of parts.例文帳に追加

出力用の電荷転送路が複数に分割されたＣＣＤ型固体撮像素子において、複数のフローティングディフュージョンアンプの特性差による画像ムラを無くす。 - 特許庁

To provide an amplifier for charge transfer devices and a solid-state imaging element, capable of preventing the charge detection sensitivity of an amplifier from decreasing, by preventing an impurity diffusion layer from being formed on a semiconductor substrate where a floating diffusion amplifier has been formed.例文帳に追加

フローティングディフュージョンアンプを形成した半導体基板に不純物拡散層が形成されることを防止することで、アンプの電荷検出感度の低下を防止できる電荷転送素子用アンプ及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁