「saturation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The transmission loss P when dried and a transmission loss difference L between at the time of saturation water absorption and when dried are in a wavelength region that satisfies at least one of 0≤L/P1≤1, 0<L≤100, and 0<L+P1≤200 in the wavelength regions of 500 to 720 nm and 785 to 810 nm.例文帳に追加

乾燥時の伝送損失Ｐと、飽和吸水時と乾燥時との伝送損失の差Ｌとが、５００〜７２０ｎｍ、７８５〜８１０ｎｍの波長領域では０≦Ｌ／Ｐ１≦１、０＜Ｌ≦１００、０＜Ｌ＋Ｐ１≦２００の少なくともいずれかひとつをみたす波長領域となる。 - 特許庁

Moreover, since the reactor 50 for resonance is a saturable reactor, it is possible to make the switching frequency constant without depending upon load condition by reducing the inductance value of the reactor 50 for resonance using a saturation region at high load, and increasing the switching frequency to the same level as that at the low load.例文帳に追加

また、共振用リアクトル５０は可飽和リアクトルであるので、高負荷時に飽和領域を使用して共振用リアクトル５０のインダクタンス値を低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同等まで増加させることにより、負荷状態に依存せず、スイッチング周波数を一定とすることができる。 - 特許庁

In the case of preliminary imaging, a preliminary imaging section 40 of the solid-state imaging apparatus 10 applies split photometry to a photometry signal 206 from the master photosensitive section, detects an exposure condition wherein photometry data of each split region do not exceed a saturation maximum value of the master photosensitive section, and calculates colors of each photometry data under the exposure condition.例文帳に追加

固体撮像装置10は、予備撮像では、予備撮像部40で主感光部からの測光信号206を分割測光し、分割領域ごとの測光データが主感光部の飽和最大値を超えない露出条件を検出し、この露出条件で各測光データの色味を算出する。 - 特許庁

In this application, a first process for magnetizing at least a partial region of the shaft 2 to the complete saturation state, and a second process for adjusting an operation point defined by the magnetized state for subsequently detecting the magnetic characteristic of the shaft material are periodically repeated.例文帳に追加

本発明では，シャフト２の少なくとも一部の領域を完全飽和状態まで磁化する第１工程と，引き続いてシャフト材料の磁気特性を検出するために前記磁化状態により確定した動作点を調整する第２工程とを周期的に反復する。 - 特許庁

When the NOx absorbed amount of λ fluctuation type catalyst 71 reaches saturation, rich means 76 enriches air-fuel ratio of the exhaust gas flowing in the λ fluctuation type catalyst 71 in a region other than the EGR region.例文帳に追加

ＨＣ変動型触媒７２のＮＯｘ吸着量が飽和に達した場合に、前記ＥＧＲ域でこのＨＣ変動型触媒７２に流入する排気中のＨＣ濃度に変動手段７５が変動を与え、λ変動型触媒７１のＮＯｘ吸着量が飽和に達した場合に、前記ＥＧＲ域でない領域でこのλ変動型触媒７１に流入する排気の空燃比をリッチ化手段７６がリッチ化する。 - 特許庁

In regard to pixels in the blood vessel region, blood vessel depth information U* and oxygen saturation information V* corresponding to a first luminance ratio S1*/S3* between the first and third narrowband image data and a second luminance ratio S2*/S3* between second and third narrowband image data are obtained from the correlation obtained beforehand by an experiment.例文帳に追加

血管領域の画素について、第１及び第３狭帯域画像データ間の第１輝度比Ｓ１^＊／Ｓ３^＊と、第２及び第３狭帯域画像データ間の第２輝度比Ｓ２^＊／Ｓ３^＊とに対応する血管深さ情報Ｕ^＊及び酸素飽和度情報Ｖ^＊を、予め実験等で得られた相関関係から求める。 - 特許庁

The transimpedance amplifier is provided with: a MOS transistor Q1 for receiving an input current and converting the received input current into a voltage depending on the magnitude of the current; and a MOS transistor Q2 connected to the MOS transistor Q1 as a load, and the MOS transistor Q1 is operated in a saturation region.例文帳に追加

この発明は、入力電流を受け取り、この受け取った入力電流の大きさに応じた電圧に変換するＭＯＳトランジスタＱ１と、このＭＯＳトランジスタＱ１の負荷として接続されるＭＯＳトランジスタＱ２とを備え、ＭＯＳトランジスタＱ１を飽和領域で動作させるようにした。 - 特許庁

A transistor of a dual gate structure with two control terminals or a series connection of transistors is employed for at least a first stage amplifier element of the high frequency power amplifier circuit and a current mirror circuit provides a bias to an upper side transistor (Q2) through which a current flows in a manner of causing an operation in its saturation region.例文帳に追加

高周波電力増幅回路の少なくとも初段の増幅用素子に２つの制御端子を有するデュアルゲート構造のトランジスタまたは直列形態のトランジスタを使用し、上側のトランジスタ（Ｑ２）にカレントミラー回路でこのトランジスタを飽和領域で動作させるような電流を流すようにバイアスを与える。 - 特許庁

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

To provide a light receiving device which prevent saturation of a pixel storing region caused by an external light, and can isolate and extract only signal light, thereby enhancing a dynamic range for the signal light, and to provide a method for controlling the same, and also to provide the inexpensive light receiving device of a simple structure without using a special process.例文帳に追加

外光による画素蓄積領域の飽和を防止し信号光のみ分離抽出できるようにすることで、信号光に対するダイナミックレンジを向上させる受光デバイス及びその制御方法を提供し、特殊プロセスを用いず安価で構造が単純な受光デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic shield device that achieves reduction in manufacturing costs by reducing an amount of steel sheets used in the magnetic shield device, and prevents the occurrence of magnetic-flux leakage due to a magnetic-flux density of the steel plate reaching a magnetic saturation region, so as to prevent adverse effects on control equipment or the like installed in the magnetic shield device.例文帳に追加

磁気シールド装置に使用する鋼板量を低減して製造コストを安くできるうえ、鋼板の磁束密度が磁気飽和領域に達することによる磁束漏れを防止することができ、磁気シールド装置内に設置された制御機器などへの悪影響を防止することができる磁気シールド装置を提供する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

In the recording head board provided with a plurality of recording elements and a plurality of MOS transistors operating as drivers corresponding to the plurality of recording elements, respectively, the MOS transistor is reduced in size by decreasing at least any one of the channel width and channel length and the MOS transistor is operated in a saturation region.例文帳に追加

複数の記録素子とそれら複数の記録素子夫々に対応した複数のドライバとして動作するＭＯＳトランジスタとを備えた記録ヘッド基板において、ＭＯＳトランジスタはチャネル幅とチャネル長との内、少なくともいずれかを小さくすることで小型化を図り、そのＭＯＳトランジスタを飽和領域で動作させるようにする。 - 特許庁

The image processor has a means for using a plurality of reference colors to divide a color region, and a means for regarding a specific color as the extension of reference colors of both sides of the specific color and representing a regarding degree by a weighting coefficient of the reference colors, and adjusts the lightness, saturation and hue of the specific color by using adjustment parameters of the both reference colors.例文帳に追加

複数基準色を用いて色領域を分割する手段と、特定な色をその両側の基準色の延長と見做し、見做す程度は基準色の重み係数で表する手段と有し、両基準色の調整パラメータを用いて特定色の明度、彩度及び色相の調整を行う。 - 特許庁

Thereby, in the stage when the second developing step is finished, a second exposure area not covered with the second photoresist film 3' is formed, as shown in (c), within the first exposure area that is not covered with the first photoresist film 3 but exposed in the stage when the first developing step is finished, because the saturation sensitization region d' is formed in a tapered figure.例文帳に追加

その結果、第２現像工程を終えた段階においては、(ｃ)に示すように、第２フォトレジスト膜３´で被われていない第２露出エリアは、飽和感光領域ｄ´が先窄み形状に形成されていた為、第１現像工程を終えた段階において第１フォトレジスト膜３で被われずに露出していた第１の露出エリア内に形成されている。 - 特許庁

The source or drain of the transistor is electrically connected to an electrode of the light emitting element, and the transistor operates the light emitting element in a saturation region upon emitting light.例文帳に追加

基板上に設けられたトランジスタと、発光素子とを具備する画素を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタが飽和領域で動作させる。 - 特許庁

A short SW43 is provided for short-circuiting between the input side and the output side of a booster circuit 42 boosting a power supply voltage VCC supplied from the positive electrode side of a battery cell Vc5 to a drive voltage VCC1 for driving a MOS transistor in a buffer amplifier 30 in a saturation region to be supplied as a drive voltage.例文帳に追加

電池セルＶｃ５の正極側から供給される電源電圧ＶＣＣをバッファアンプ３０内のＭＯＳトランジスタを飽和領域で駆動させることができる駆動電圧ＶＣＣ１に昇圧して駆動電圧として供給する昇圧回路４２の入力側と出力側とを短絡させるショートＳＷ４３を備える。 - 特許庁

An output circuit 2 having a switching timing delay mechanism made of a delay circuit 3 by connecting a plurality of output circuits 1 and 2 for supplying currents to an output terminal A of a former stage circuit is switched at timing when a current supplied from the output circuit 1 not having the switching timing delay mechanism having the circuit 3 arrives at the saturation region.例文帳に追加

前段回路の出力端Ａに、電流を供給する複数の出力回路１、２を接続し、遅延回路３からなるスイッチングタイミング遅延機構を設けた前記出力回路２は、前記スイッチングタイミング遅延機構を設けない前記出力回路１から供給される電流が飽和領域に達するタイミングでスイッチングする。 - 特許庁

The impurity density of a p-base region of each cell which constitutes each IGBT chip is increased, the threshold voltage of the gate is set high, and a collector saturation current of each IGBT chip is suppressed to three times as high as rated current or below in order to increase the breaking current of an IGBT pack 20 (semiconductor device) for performing turn-off wherein the IGBT chips 1 are stored.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップを構成する各セルのｐベース領域の不純物濃度を高くして、ゲートしきい値電圧を高く設定し、ＩＧＢＴチップのコレクタ飽和電流値を定格電流の３倍以下に抑制し、ＩＧＢＴチップ１が収納されたＩＧＢＴパック２０（半導体装置）のターンオフ可能遮断電流の向上を図る。 - 特許庁

Since the saturation output is 15 dBm or above, linear region of the amplifier IC is expanded sharply, impact of nonlinear distortion (especially, third-order intermodulation distortion) for the amplification output spectrum of the multicarrier modulation signal of OFDM system digital terrestrial television broadcast is lessened dramatically and a reception C/N ratio can be enhanced sharply.例文帳に追加

飽和出力を１５ｄＢｍ以上とすることで、アンプＩＣの線形領域が大幅に拡大し、ＯＦＤＭ方式地上波デジタルテレビ放送のマルチキャリア変調信号の増幅出力スペクトラムに対する非線形歪（特に、３次相互変調歪）の影響を劇的に軽減し、受信Ｃ／Ｎ比を大幅に向上することができる。 - 特許庁

Although a limiting resistor for preventing inrush current to the capacitor C which is in discharge state at the time of start is not provided in a load driver 100, the controller 20 controls the gate voltage of a power MOSFET 40 in the system main relay SMR3 in a saturation region within such a range as the power MOSFET 40 does not exceed the maximum rated power.例文帳に追加

ここで、この負荷駆動装置１００においては、起動時に放電状態にあるコンデンサＣへの突入電流を防止するための制限抵抗が設けられていないところ、制御装置２０は、システムメインリレーＳＭＲ３のパワーＭＯＳＦＥＴ４０が最大定格電力を超えない範囲であって、かつ、飽和領域で動作するようにパワーＭＯＳＦＥＴ４０のゲート電圧を制御する。 - 特許庁

The electrochemical display device is provided with electrodeposition display elements 13 to 15, and driving transistors 19 to 21 for supplying charges to the electrodeposition display elements 13 to 15, and drives the driving transistors 19 to 21 at a constant current in a saturation when writing an image, and operates the driving transistors 19 to 21 in a linear region when deleting the image.例文帳に追加

エレクトロデポジション表示素子１３〜１５と、エレクトロデポジション表示素子１３〜１５に電荷を供給するための駆動トランジスタ１９〜２１とを備え、画像の書き込みを行うときには、駆動トランジスタ１９〜２１を飽和領域で定電流駆動し、画像の消去を行うときには、駆動トランジスタ１９〜２１を線形領域で動作させることを特徴とする電気化学表示装置。 - 特許庁

In a second exposure step subsequent to first exposure and developing steps, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that, in an area of a second photoresist film 3' irradiated with the irradiation light R2, a saturation exposure region d`exposed enough to be dissolved and removed in the subsequent second developing step has a tapered trapezoid cross section as shown in the figure.例文帳に追加

第１の露光、現像工程に引き続くの第２露光工程において、照射光Ｒ2の光度を、第２フォトレジスト膜３´の照射光Ｒ2により照射されたエリアにおいて後順の第２現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域ｄ´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。 - 特許庁

In a second exposure step following a first exposure and development step, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that a region d' with saturation exposure in the area irradiated with the irradiation light R2 in a second photoresist film 3' to be dissolved and removed in the succeeding second development step has a trapezoidal converged profile in the cross section as shown in the figure.例文帳に追加

第１の露光、現像工程に引き続くの第２露光工程において、照射光Ｒ2の光度を、第２フォトレジスト膜３´の照射光Ｒ2により照射されたエリアにおいて後順の第２現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域ｄ´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。 - 特許庁

The front surface and back surface of a document are read out to acquire read image data, and each of local regions existing at the opposite positions on the front and back surfaces of the read image data, where a difference of at least one of the hue, intensity and saturation between the front face and rear face falls within a predetermined range is extracted as a specific image region.例文帳に追加

原稿の表面及び裏面を読み取って得られた読取画像データを取得し、該読取画像データの表面と裏面との相対する位置に存在する局所領域の各々における色相、明度、及び彩度の少なくとも１つの表面と裏面との相違量が、予め定められた範囲内にある局所領域の各々を特定画像領域として抽出する。 - 特許庁

In the CMOS image sensor provided with photodiodes PD and a plurality of transistors for transferring electric charges stored in the photodiodes to one column line, a gate electrode of at least one of the transistors is provided with a voltage drop means for dropping a gate voltage received by the gate electrode of the transistor to extend the saturation region of the transistor.例文帳に追加

フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁