「transition wiring」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To make a transition to a test mode easily, quickly and reliably by previously forming two electrodes for testing, which are short-circuited to each other in the test mode of a wiring board, and contriving the configuration of the two electrodes for testing.例文帳に追加

配線基板のテストモードで互いに短絡される２つのテスト用電極をあらかじめ基板本体に形成しておくと共に、２つのテスト用電極の構成に工夫を講じることによって、テストモードへの移行を容易かつ迅速に、しかも確実に行う。 - 特許庁

The transition to the bend alignment can be easily expanded to adjacent pixels successively by a simple structure wherein depressions, thin step parts and tapers are formed on respective wiring structures of a scanning signal line, a video signal line, a common electrode, etc., which form a TFT(thin film transistor).例文帳に追加

TFTを形成する、走査信号線、映像信号線、共通電極等、各々の配線構造に、くぼみや膜厚が薄い段差部分、テーパーを形成すると言う簡単な構造により、ベンド配向の広がりが容易に隣の画素へ次々と広がって行く。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having a glass transition temperature increased without applying a cationic polymerization of an epoxy resin with a Lewis acid catalyst and excellent also in HAST resistance and TCT resistance and to provide a method for producing a multilayer printed wiring board by a buildup method using the composition.例文帳に追加

ルイス酸触媒によるエポキシ樹脂のカチオン重合を用いることなく、感光性樹脂組成物を高ガラス転移温度化し、耐ＨＡＳＴ性、耐ＴＣＴ性にも優れる感光性樹脂組成物物及びこれを用いたビルドアップ法による多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient on the surface of the wiring layer can be set at a value corresponding to that of an electronic component, e.g. a semiconductor element, being mounted or it can be set at a value close to the thermal expansion coefficient of the electronic component by selecting the glass transition point Tg of an insulation resin layer.例文帳に追加

また、絶縁樹脂層のガラス転移温度Ｔｇを選択することにより、配線層表面の熱膨張係数を搭載される半導体素子等の電子部品に対応した値、すなわち電子部品の熱膨張係数に近い値に設定することができる。 - 特許庁

To suppress occurrence of an open failure due to fatigue breakdown of a solder bump without causing a crack, or interlayer separation or the like of a semiconductor chip caused by an underfill resin high in glass transition temperature Tg, in a semiconductor device with a wiring substrate connected to a semiconductor chip via solder bumps.例文帳に追加

配線基板と半導体チップとを半田バンプを介して接続した半導体装置において、ガラス転移温度Ｔｇが高いアンダーフィル樹脂に起因する半導体チップのクラックや層間剥離等を招くことなく、半田バンプの疲労破壊によるオープン不良の発生を抑制する。 - 特許庁

At least part of the sloping part 20c of the wiring structure 20 having the first plane part 20a formed on the side arm parts, the second plane part 20b formed on the PAD stage and the sloping part 20c which is the transition portion from the first plane part to the second part is formed on the reinforcing part 18.例文帳に追加

側腕部上に形成された第１平面部20aと、前記PADステージ上に形成された第２平面部20bと、前記第１平面部から第２平面部への移行部分となる傾斜部20cとを有する配線構造体20の前記傾斜部20cの少なくとも一部は前記補強部18上に形成されている。 - 特許庁

In a liquid crystal display device which conducts field sequential color displaying, a superimposing voltage is applied to pixel electrode as well as wiring that forms accumulated capacitors during a signal voltage holding interval of the pixel electrodes and superposition is temporarily made to the voltage that is to be applied to a liquid crystal layer through the capacitors so as to prevent the occurrence of reverse transition.例文帳に追加

フィールド・シーケンシャル・カラー表示を行う液晶表示装置において、画素電極の信号電圧保持期間中に、画素電極と共に蓄積容量を形成する配線に重畳電圧を印加し、一次的に蓄積容量を介して液晶層に印加される電圧に重畳させて、逆転移を防止する。 - 特許庁

The adhesive for the multi-wire wiring board includes: (a) polyamideimide resin with a weight average molecular weight of 80,000 or more; (b) polyamideimide resin with a weight average molecular weight in a range of 10,000 to 50,000; and (c) a thermosetting component, wherein a glass transition point (Tg) of a curing object is 180°C or higher.例文帳に追加

（ａ）重量平均分子量８０，０００以上のポリアミドイミド樹脂と、（ｂ）重量平均分子量が１０，０００から５０，０００の範囲にあるポリアミドイミド樹脂と、（ｃ）熱硬化性成分とを含む接着剤であって、硬化物のガラス転移点（Ｔｇ）が１８０℃以上である、マルチワイヤ配線板用接着剤。 - 特許庁

In an insulated wire for wiring multi-wires having a core wire being a conductor, an insulation layer for coating the core wire and an adhering layer for coating the insulated layer, the softening point of the adhering layer in the stage of a stage B is 30 to 100°C and the glass transition point of the adhering layer after hardening is equal to or higher than 180°C.例文帳に追加

導体である芯線と前記芯線を被覆する絶縁層と、さらに前記絶縁層を被覆する接着層とを有するマルチワイヤ配線用絶縁被覆電線（ワイヤ）において、接着層を、Ｂステージ状態での軟化点を３０〜１００℃とし、かつ硬化後のガラス転移点が１８０℃以上とする。 - 特許庁

In the semiconductor device which comprises a wafer, a semiconductor layer formed on the wafer and an electrode layer comprising wiring or an electrode, the semiconductor device includes a portion wherein the semiconductor layer and the electrode layer are directly bonded, and the electrode layer is formed from the aluminum alloy thin film containing transition metals such as nickel, cobalt, iron and the like.例文帳に追加

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。 - 特許庁

This modified polyvinyl acetal is a copolymer including a 1- methylvinyl acetate unit, a 1-methylvinyl alcohol unit, and an acetal unit, which has a high glass transition temperature and superiority in both heat resistance and thermostability, and cosequently is preferably used for applications which require heat resistance, such as thermal transfer ribbons, adhesives for printed wiring boards, or the like.例文帳に追加

本発明の変性ポリビニルアセタールは、１−メチル酢酸ビニルユニットと１−メチルビニルアルコールユニットとアセタールユニットとを含有する共重合体であるので、高いガラス転移温度を有し耐熱性に優れているとともに熱安定性にも優れ、よって、熱転写リボン、プリント基板用接着剤等の耐熱性を必要とする用途に好適に用いることができる。 - 特許庁

When a semiconductor device is bonded to a glass epoxy board by an ultrasonic welding manufacturing of a mounted board is made by applying ultrasonic vibrations to the semiconductor device and bonding by ultrasonic welding while heating at a lower temperature than a glass transition temperature of a bond which bonds a wiring pattern on a glass epoxy resin and at a temperature higher than a softening point of the glass epoxy resin.例文帳に追加

ガラスエポキシ基板へ半導体装置を超音波圧着接合する場合に、配線パターンをガラスエポキシ樹脂へ接着している接着剤のガラス転移温度より低い温度で、かつガラスエポキシ樹脂の軟化点以上の温度で加熱しながら半導体装置に超音波振動を印加し超音波圧着接合を行い実装体の製造を行う。 - 特許庁

The printed wiring board 1 includes a metallic substrate 2, an insulating layer 3 formed on the surface of the metallic substrate 2, an adhesive layer 6 formed on the surface of the insulating layer 3 and composed of polyimide resin having a glass transition temperature of 20 to 300°C and thermoplasticity, and a metallic foil layer 8 formed on the surface of the adhesive layer 6.例文帳に追加

本発明のプリント配線板１は、金属基板２と、金属基板２の表面上に設けられた絶縁層３と、絶縁層３の表面上に設けられ、ガラス転移温度が２０℃〜３００℃であって熱可塑性を有するポリイミド樹脂により形成された接着層６と、接着層６の表面上に設けられた金属箔層８とを備えている。 - 特許庁

The die bonding film 2 is for bonding and fixing a semiconductor element 1 and a base 4 with wiring or a semiconductor element, and contains a star-shaped acrylic copolymer, which has a glass transition temperature of 30 to 70°C and a weight-average molecular weight of 1 to 1,000,000.例文帳に追加

半導体素子１と配線付き基材４又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルム２であって、かつダイボンディングフィルムが星型アクリル共重合体を含むダイボンディングフィルムであり、星型アクリル共重合体のガラス転移温度が３０〜７０℃及び重量平均分子量が１〜１００万の範囲であるダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置。 - 特許庁