「transition width」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for tracking unauthorized access, a traffic measuring section 101 for logging temporal transition in number of packets from a network traffic as a traffic pattern having a width of a predetermined time T, and a storage section 102 for storing the information of traffic pattern are provided at each observation point.例文帳に追加

各観測点には、ネットワークトラヒックからパケット数の時間的推移を一定時間Tの幅でトラヒックパターンとして切出しを行うトラヒック測定部101と、トラヒックパターンの情報を格納する記憶部102とを有する。 - 特許庁

The other three types of coins have wider '貝' with similar styles of writing and the holes in the center are square shaped; therefore, they are categorized by the width of kaku (frame surrounding the hole of a coin), but some of them cannot be clearly categorized and are considered to have been made during the stage of transition from one type to another. 例文帳に追加

他の三種は「貝」が横広でほぼ字体も同一で郭はほぼ正方形であり、郭の幅により分類されているが中間的なものも存在し、制作上の移行期のものと考えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A phase state monitoring means 14a controls the monitor of the transition of a normal phase state for performing the normal operation of writing/reading for the memory 11 or the rising state to a coincident phase state in which the address values of the writing address and the reading address are made coincident, or the transition to an instable phase state in which phase fluctuating margin width deviates.例文帳に追加

位相状態監視手段１４ａは、メモリ１１に対する書き込み／読み出しの正常動作を行う定常位相状態または立ち上げの状態から、書き込みアドレスと読み出しアドレスのアドレス値が一致した一致位相状態への移行、または位相変動余裕幅が偏った不安定位相状態への移行の監視制御を行う。 - 特許庁

In the rare-earth/transition-metal/nitrogen-based magnet powder with suppressed agglomeration, the surface of the rare-earth/transition-metal/nitrogen-based magnet powder having a particle-size distribution of 1 to 5μm average particle diameter (D50) and ≤5μm (D20-D70 width) is substantially coated with the reactive organopolysiloxane represented by general formula (1).例文帳に追加

平均粒径（Ｄ５０）が１〜５μｍ、かつ（Ｄ２０−Ｄ７０幅）が５μｍ以下の粒度分布を有する希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末の表面が、一般式（１）で示された反応性オルガノポリシロキサンによって実質的に被覆されていることを特徴する凝集が抑制された希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末によって提供。 - 特許庁

The car body sectional area at a rear end of the transition part Z22 is changed linearly from the car body sectional area of the front part Z21 to that of a car body 3A of a third car 3 by the change of the car body width.例文帳に追加

移行部分Ｚ２２の後端の車体断面積は、前側部分Ｚ２１の車体断面積から第３番目の車両３の車体３Ａの車体断面積に、車体幅が変化することで直線的に変化する。 - 特許庁

Edge parts except a breadthwise center part are heated without heating a breadthwise center part among a whole width of the metal strip, a surface temperature of the edge parts is set to the transition temperature of the metal strip or higher before shape straightening with the shape straightening roll.例文帳に追加

金属帯の全幅の内、幅中央部を加熱せずに幅中央部を除いたエッジ部を加熱し、形状調整ロールで形状矯正を行う前におけるエッジ部の表面温度を金属帯の遷移温度以上にする。 - 特許庁

The pulse width modulation(PWM) power supply control system employs a peak current program mode(CPM) control, which can make a smooth transition to a voltage mode control at a low duty ratio close to zero, at a high duty ratio.例文帳に追加

本パルス幅変調（ＰＷＭ）式電力供給制御システムは、ゼロに近い低デューティ・レシオにおける電圧モード制御へ滑らかに移行できるようになったピーク電流プログラム・モード（ＣＰＭ）制御を高デューティ・レシオで採用する。 - 特許庁

(c) In the case of an object having a width exceeding 45 meters at an elevation of 45 meters, or another object having a width of 45 meters at a point that is at a remarkable proximity to an approach surface, transition surface or horizontal plane, said lights shall be installed at points that indicate the approximate outline of the object and the neighboring points do not exceed a horizontal distance of 45 meters. 例文帳に追加

ハ　四十五メートル以上の高さにおいて四十五メートルを超える幅を有する物件又は進入表面、転移表面若しくは水平表面に著しく近接した部分の幅が四十五メートルを超える物件にあつては、その概形を示す位置であつて、かつ、隣り合つた位置が水平距離で四十五メートルを超えない位置 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The regulator circuit 100 inputs the address transition detect signals (ATD) and adjusts the pulse width of the signals ATDEQ 32 to output following the level variations of the voltages Vp and Vn supplied from the voltage Vp generator circuit 142 and the voltage Vn generator circuit 132, respectively.例文帳に追加

調整回路100は、アドレス推移検出信号（ATD）を入力し、電圧Vp生成回路142と電圧Vn生成回路132とからそれぞれ供給される電圧Vpおよび電圧Vnのレベル変動に応じて、信号ATDEQ 32のパルス幅を調整して出力する。 - 特許庁

A reference signal is produced with a CLOCK signal of a prescribed frequency and a control signal formed with a binary signal composed of two values of (0, 1) controlling a level transition state, a driving signal of the analogue signal is produced by a pulse width modulation of the reference signal.例文帳に追加

所定周波数のＣＬＯＣＫ信号と、レベルの遷移状態を制御する、［０，１］の２値からなる制御信号に基づいて基準信号を生成し、該基準信号をパルス幅変調することにより、アナログ信号の駆動信号を生成する。 - 特許庁

To reduce occurrence of SBS, restrict occurrence of distortion and prevent deterioration in C/N brought about by a radical drop in the optical modulation degree of an optical signal, reduction in the chirping of a wavelength spectrum and an extreme narrowing down of line width when analog broadcasting is terminated following a transition to digital broadcasting.例文帳に追加

デジタル放送への移行に伴うアナログ放送終了時の光信号の光変調度の極端な低下、光波長スペクトルのチャーピングの減少、線幅の極端な狭幅化に伴うSBSの発生の軽減、歪発生の抑制、C/Nの悪化を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor epitaxial wafer, capable of producing and supplying a semiconductor epitaxial wafer in which an epitaxial film has uniform resistivity distribution and a transition width is narrow, with high quality and productivity, and to provide the semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャル膜の抵抗率分布が均一であり、また遷移幅の狭い半導体エピタキシャルウエーハを、高品質かつ高生産性で製造し供給する事のできる半導体エピタキシャルウエーハの製造方法やそのような半導体エピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is formed of a III-V compound semiconductor such as InAs, and ferromagnetic fine wires 2 of ferromagnetic transition metal such as Fe, preferably each being 0.2 to 3 μm in width, 1 to 4,000 μm in length, and 10 to 100 nm in height, are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１上に、Ｆｅなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線２を、好ましくは幅０．２〜３μｍ、長さ１〜４０００μｍ、高さ１０〜１００ｎｍに形成する。 - 特許庁

This complex is provided by adopting an europium complex exhibiting an especially excellent light-emitting characteristic, making the complex structure as an asymmetric structure, and further using the europium complex expressed by formula (1) or (2) having a narrow half width of emitted light spectrum caused by an f-f transition.例文帳に追加

ランタノイド錯体のうち、特に優れた発光特性を示すユーロピウム錯体を採用し、更に、錯体構造を非対称構造とし、ｆ−ｆ遷移に起因するその発光スペクトルの半値幅が狭い、一般式（１）又は一般式（２）のユーロピウム錯体を用いる。 - 特許庁

Energy inspecting width is widely taken with respect to a measuring spectrum to perform rough qualitative analysis to temporarily select elements becoming candidates and the transition beam markers of the temporarily selected candidate elements are superposed to be displayed to select a candidate element highest in relevant possibility (S 22).例文帳に追加

測定スペクトルに対してエネルギー検索幅を広くとって粗い定性分析を行い候補となる元素を仮選出し、仮選出された候補元素の遷移線マーカーを重ねて表示して最も該当可能性の高い候補元素を選出する。 - 特許庁

The crystal grains having a uniform particle size and a uniform interval r are formed and the grain boundary width (the magnetization transition region width W) between grains is accurately adjusted by appropriately setting the distance between a substrate 1 plated with metal of NiP or the like and a copper member 2, depositing Cu deposits 4 on the substrate 1 at a uniform interval r and replacing the Cu deposits 4 with magnetic particles 10.例文帳に追加

ＮｉＰ等の金属めっきされた基板１と銅部材２との距離を適切に設定して、基板１上にＣｕ析出物４を均等間隔ｒで析出させ、Ｃｕ析出物４を磁性粒子１０に置き換えることにより、均一な粒径と均等間隔ｒとをもつ結晶粒を形成し、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整する。 - 特許庁

Furthermore, the central control part 12 makes an approximation formula which expresses time transition based on detected data or the time transition of average value, variation width and stability about the detected data, calculates time when value of the approximation formula reaches a prescribed value and thereby estimates stable operation establishing time of an electron source, and displays the estimated stable operation establishing time on a display 18.例文帳に追加

また、中央制御部１２は、前記検出データ、または、その検出データについての平均値、変動幅、安定度などの時間推移に基づき、それらの値の時間推移を表す近似式を求め、その近似式の値が所定の値に達する時刻を算出することによって電子源の安定稼働到達時刻を推定し、その推定した安定稼働到達時刻を表示装置１８に表示する。 - 特許庁

A drum maintenance unit 28 covering the width of a drum 12 is provided directly under the revolution means 48 and when transition is made from sheet discharge operation to sheet feed operation of one drum 12, drum maintenance unit 28 cleans the surface of the drum 12 during revolving movement by the revolution means 48.例文帳に追加

公転手段４８の直下にはドラム１２の幅をカバーするドラムメンテナンスユニット２８が設けられ、ひとつのドラム１２の排紙動作から給紙動作に移行する間に、公転手段４８にて公転移動中、ドラムメンテナンスユニット２８によってドラム１２の表面の清掃が行われる。 - 特許庁

The frame synchronous detecting circuit composed of a frame synchronous pattern detecting circuit 41, a reception-side frame counter 42, and a state transition decision circuit 43 is provided with an in-device phase frame counter 51, and generates a receive frame enable signal 52 having a pulse width of '2δ+α' (nsec) around in-device FP 54.例文帳に追加

フレーム同期パタン検出回路４１、受信側フレームカウンタ４２および状態遷移判定回路４３からなるフレーム同期検出回路に、装置内位相フレームカウンタ５１を設け、装置内ＦＰ５４を中心に“２δ＋α”［ｎｓｅｃ］のパルス幅の受信フレームイネーブル信号５２を生成させる。 - 特許庁

To provide a wavelength filter, overcoming the performance limit of a conventional flat multi-coated wavelength filter regarding a remaining transmission rate due to the refractive index of a used coated film material and a transition wave band width between a transmission wavelength band and a cut-off wavelength band.例文帳に追加

従来型の平坦多層膜型波長フィルターの有していた、使用する膜材料の屈折率に起因する残留透過率及び透過波長帯から遮断波長帯に切り替わる遷移波長帯の幅の性能限界を打破することが可能な波長フィルターを提供することである。 - 特許庁

To provide a silicon wafer for epitaxial wafer in which the transition layer width and particle of the epitaxial wafer can be uniformly controlled over whole surface of the epitaxial wafer, and which improves the production yield of the epitaxial wafer and the production yield and the reliability of a final product or a device.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの遷移層幅およびパーティクルをエピタキシャルウェーハ全面に亘って均一に制御でき、エピタキシャルウェーハの製造歩留、さらには、最終製品のデバイスの製造歩留及び信頼性を向上させたエピタキシャルウェーハ用シリコン基板を提供するものである。 - 特許庁

To realize a wavelength selective phase converter such that a transition band width is narrow and the ratio of transmissivity to a polarization-converted light component to transmissivity to a polarization unconverted light component is high in a polarization-conversion band and low in a polarization non-conversion band, and an optical system having the same.例文帳に追加

遷移帯域幅が狭く、非偏光変換光成分の透過率に対する偏光変換光成分の透過率の比が偏光変換帯域で高く、非偏光変換帯域で低い波長選択性位相変換子を実現すること、及びそれを有する光学系を得ること。 - 特許庁

A stripe-shaped lamination resin film 4 with the same width dimension as that of a semiconductor chip 2 is cut from a lamination resin film 4, and is joined onto a specific region 1R of a lead frame 1 by heating to a temperature lower than the transition temperature of a resin ribbon 4b for pressurization.例文帳に追加

積層樹脂フィルム４Ｆより半導体チップ２の幅寸法と同一幅寸法を有する短冊状積層樹脂フィルム４を切り出し、リードフレーム１の所定領域１Ｒ上に同フィルム４を樹脂リボン４ｂの転移温度未満の温度に加熱しつつ加圧することによって接合する。 - 特許庁

In the electrophoretic front plate inspection device, an imaging means applies pulse with its pulse width which is sufficiently shorter than a pulse width saturated with movement of displayed material twice or more in an electrical signal output means for imaging the state of displaying/keeping a transition state from white display to black display, which characterizes the electrophoretic front plate inspecting device.例文帳に追加

電気泳動型前面板検査装置において、前記撮像手段が、前記電気信号出力手段において、印加するパルス幅が表示材料の移動が飽和するパルス幅より十分に短いパルスを２回以上印加し、白表示から黒表示途中の遷移状態を表示保持した状態を撮像するものであることを特徴とする電気泳動型前面板検査装置を提供する。 - 特許庁

(d) In the case of an object having a width exceeding 45 meters at an elevation of 45 meters or more, or another object having a width of 45 meters at a point that is at a remarkable proximity to an approach surface, transition surface or horizontal plane, said lights shall be installed at points that indicate the approximate outline of the object and the neighboring points do not exceed a horizontal distance of 90 meters. 例文帳に追加

ニ　四十五メートル以上の高さにおいて四十五メートルを超える幅を有する物件又は進入表面、転移表面若しくは水平表面に著しく近接した部分の幅が四十五メートルを超える物件にあつては、その概形を示す位置（イに規定する位置に設置する低光度航空障害灯にあつては、隣り合つた位置が水平距離で九十メートルを超えない位置） - 日本法令外国語訳データベースシステム

A temperature-sensitive magnetic member 64 includes a plurality of components arranged along the width direction of a fixing belt 61, and a transition region where the magnetic property changes between ferromagnetism and paramagnetism according to the temperature includes a temperature region different from that of a second component in one or more components.例文帳に追加

感温磁性部材６４は、定着ベルト６１の幅方向に沿って配列された複数の構成部分により構成され、磁気特性が温度に応じて強磁性と常磁性との間で遷移する遷移領域が、一または複数の構成部分において他の構成部分とは異なる温度領域からなる。 - 特許庁

The plastic structure having an inductive structure part is formed by irradiating a plastic material to be processed with an ultrashort pulse laser with a pulse width of 10^-12 s or less in a temperature atmosphere exceeding a room temperature and below the glass transition temperature (Tg) of the plastic material to be processed.例文帳に追加

プラスチック構造体の形成方法、室温を超え且つ被加工プラスチック材料のガラス転移温度（Ｔｇ）未満の温度雰囲気中、被加工プラスチック材料にパルス幅１０^-12秒以下の超短パルスのレーザーを照射することにより、誘起構造部を有するプラスチック構造体を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the thin film solar cell including a deformation processing process S102 that simultaneously impresses a first vertical tension in a longitudinal direction and a first horizontal tension in a width direction of the flexible substrate, while letting the temperature of the belt-shaped flexible substrate reach equal to or higher than the glass transition point of the substrate material.例文帳に追加

帯状の可撓性基板をその基板の材質のガラス転移点以上の温度に到達させながら、可撓性基板の長手方向の第１の縦張力と幅方向の第１の横張力とを同時に印加する変形処理工程Ｓ１０２を含む薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁

This plastic material for laser processing is processed by being externally irradiated by the laser having the pulse width of ≤10^-12 sec, wherein the plastic material for laser processing has two or more glass transition temperatures and a total light transmittance of ≥10% in the visible light wavelength range.例文帳に追加

レーザー加工用プラスチック材料は、パルス幅が１０^-12秒以下のレーザーを外部から照射することにより加工するレーザー加工用プラスチック材料であって、ガラス転移温度を２つ以上有するとともに、可視光波長領域における全光線透過率が１０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the oriented film wherein the film oriented in one direction at least is thermally fixed at a glass transition temperature or above, a time for the thermal fixation is made longer from the central part of the film toward the end part in the direction of the width thereof.例文帳に追加

本発明の延伸フィルムの製造方法は、少なくとも一方向に延伸されたフィルムを、ガラス転移温度以上で熱固定する延伸フィルムの製造方法において、該熱固定において、フィルムの幅方向で、フィルムの中央部からフィルムの端部に向かって、該熱固定時間を長くすることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer including a process of performing vapor-phase growth of a silicon single-crystal thin film on the surface of a silicon single-crystal substrate, wherein variation in resistivity in a depth direction between the silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal thin film is steep and the transition width of the resistivity is small.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In an apparatus for generating a circulation flow in the flow duct 18 constituting the flue gas outlet 10 of an incineration plant, two wall parts 26 are formed in the transition region 20 from a combustion chamber 12 to the flue gas outlet 10 while facing each other at a wall width b for defining the flow duct wherein the wall part 26 has a first wall part of length l1.例文帳に追加

焼却プラントの煙道ガス出口（１０）を構成するフローダクト（１８）内に循環流を生成する装置であって、燃焼室（１２）から煙道ガス出口（１０）への遷移領域（２０）には、フローダクトを区画する壁幅ｂで対向する二つの壁部（２６）が形成されており、この壁部（２６）は長さｌ_1の第１壁部を有している。 - 特許庁

Subsequently, the transition beam marker position of the selected candidate element is moved to the peak position of the spectrum concerned or the peak position is moved to the marker position along an energy axis (S 23) to eliminate or minimize the energy shift of the spectrum peak concerned and energy inspecting width is reduced to again perform qualitative analysis to perform highly accurate elemental identification.例文帳に追加

次いで、該選出候補元素の遷移線マーカー位置を該当するスペクトルのピーク位置に、あるいはピーク位置をマーカー位置にエネルギー軸に沿って移動させることによって、該当するスペクトルピークのエネルギーシフトをなくすか最小限度に抑え、エネルギーシフトをなくすか最小限度にして、且つエネルギー検索幅を狭くして再度定性分析を行い高精度の元素同定を行う。 - 特許庁

A biaxially oriented polyester film comprises a polyester (A) and a polyether imide (B) and has a single glass transition temperature, wherein the diffraction peak of the crystal face in the main chain direction of the biaxially oriented polyester has a half-width in the range of 55-85 degrees in the circumference direction when the film is rotated about its normal line in crystal orientation analysis by diffractometry of wide angle X-ray diffraction.例文帳に追加

ポリエステル（Ａ）とポリエーテルイミド（Ｂ）とを含んでなる単一のガラス転移温度を有する二軸配向ポリエステルフィルムであって、広角Ｘ線回折のディフラクトメータ法による結晶配向解析で該フィルムをその法線を軸として回転した時に得られる該二軸配向ポリエステル主鎖方向の結晶面の回折ピークの円周方向の半値幅が５５〜８５度の範囲であることを特徴とする二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

This method for producing the subject catalyst comprises mutually contacting a microparticle composition, a group IV, V or VI transition metal compound having at least one conjugated five-membered cyclic ligand and an organoaluminum compound; wherein the microparticle composition is prepared by mutually contacting in water a compound containing an alkali or alkaline earth metal and a microparticulate support ≥2.0 in the half-value width of the diffraction peak in the powder X-ray diffractometry.例文帳に追加

アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む化合物と、粉末Ｘ線回折測定における回折ピークの半値幅が２．０以上の微粒子担体とを水中で接触させて得られた微粒子組成物と、共役五員環配位子を少なくとも１個有する周期律表ＩＶ〜ＶＩ族遷移金属化合物と、有機アルミニウム化合物とを接触させてオレフィン重合用触媒を製造する。 - 特許庁

The contact pin plug-in opening 8 includes a path width smaller than that between side walls adjacent to a transition part of the contact pin plug-in opening 8, and facing to a conductor connection space 4 over a length in an extending direction heading from the first housing side toward the second housing side in a range placed above a fastening end 12 in the second housing side direction and lower than the fastening end 12 in the first housing side direction.例文帳に追加

接触ピン差込み開口８が、第１のハウジング側から第２のハウジング側へ向くその延在方向における長さにわたって、第２のハウジング側の方向において締付け端部１２より上にありかつ第１のハウジング側の方向において締付け端部１２より下にある範囲に、接触ピン差込み開口８への移行部に隣接して導体接続空間４の対向する側壁の間の幅より小さい通路の幅を持っている。 - 特許庁