「transition metal contamination」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To prevent deterioration of conductivity with phosphor at a sealing process due to oxidation of a metal film black matrix of Cr/Cr_2O_3 or the like and contamination of electron sources due to vaporization of transition metal oxide.例文帳に追加

封着工程でのＣｒ/Ｃｒ_2Ｏ_3等の金属膜ブラックマトリクスの酸化による蛍光体との導電性劣化、遷移金属酸化物の揮発による電子源の汚染を防止する。 - 特許庁

A transfer mechanism is provided between a metal film preparation unit and a measurement unit; by enabling a speedy transition to measurement, immediately after the preparation of a probe coated with a metal film, contamination of the probe due to the atmosphere is alleviated.例文帳に追加

金属膜作製ユニットと測定ユニットの間に搬送機構を設け、金属膜をコートしたプローブを作製し次第、迅速に測定に移る事を可能にすることにより、大気によるプローブの汚染を軽減する。 - 特許庁

To provide an industrially useful cleaning fluid and method that can achieve a clean substrate surface, without contamination or corroding a metal member made of transition metal such as tungsten and copper, existing on the surface of a substrate for manufacturing a semiconductor device or a transition metal compound, and without applying any ultrasonic waves.例文帳に追加

半導体デバイス製造用基板の表面にあるタングステン、銅などの遷移金属又は遷移金属化合物などからなる金属部材を腐食することなく、超音波の照射を行わなくても、汚染のない高清浄な基板表面を達成することができ、工業的に非常に有用な洗浄液および洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor substrate for evaluating contamination, which is used so that contaminant of transition metal impurities in a semiconductor silicon substrate manufacturing process or a semiconductor device manufacturing process is exactly evaluated, and to provide a method for evaluating contaminant of metal impurities or the like by using the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体シリコン基板の製造或いは半導体デバイス製造工程に於ける遷移金属不純物等の汚染物質を正確に評価するのに用いる汚染評価用半導体基板の構造、及び該半導体基板を用いた金属不純物等の汚染物質の汚染評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of melting and solidifying a semi-volatile metal contaminated material to stably fixing a semi-volatile metal without complicating the post treatment of an off-gas and occurring secondary contamination by suppressing the transition of the semi-volatile metal under the melting treatment to a gas phase in the melting treatment method of the semivolatile contaminated material in which the semi-volatile metal contaminated material is melted and solidified.例文帳に追加

本発明は、半揮発性金属汚染物を溶融固化する半揮発性金属汚染物の溶融処理方法において、溶融処理中の半揮発性金属のガス相への移行を抑え、その結果、オフガスの後処理を煩雑にすることなく、更には二次汚染も発生させることなく、該汚染物を溶融固化して半揮発性金属を安定的に固定化できる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁