「word selection」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

After a word line WL functioning as a gate electrode of a selection MISFET in a DRAM is formed on the main surface of a semiconductor substrate, a plug (to be formed on a connection plug BP and a pattern SNCT) is formed to be connected with the source/drain of an MISFET is formed on an insulating film covering the word line WL.例文帳に追加

半導体基板の主面上にＤＲＡＭの選択ＭＩＳＦＥＴのゲート電極として機能するワード線ＷＬを形成した後、ワード線ＷＬを覆う絶縁膜にＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインとと接続するプラグ（接続プラグＢＰおよびパターンＳＮＣＴに形成されるプラグ）を形成する。 - 特許庁

A memory cell array is disclosed in which a voltage level of a common plate line of the memory cell connected to a word line WLO is made to change from a voltage VPL to a voltage (VPL-ΔVPL) lower than the VPL in a period T6, while a voltage level of the word line WLO lies in a voltage VPA which is the selection state of the memory cell.例文帳に追加

本発明のメモリセルアレイでは、期間Ｔ６において、ワード線ＷＬ０の電圧レベルがメモリセルの選択状態である電圧ＶＰＡにある間に、このワード線に接続されたメモリセルの共通プレート線の電圧レベルを電圧ＶＰＬからそれよりも低い電圧（ＶＰＬ−ΔＶＰＬ）に変化させる。 - 特許庁

The terminal N1 is connected to the bit lines BBL, BL through block selection transistors BST0, BST1, the terminal N2 is connected to plate lines BPL, PL, a gate of each cell transistor is connected to a word line WL.例文帳に追加

端子Ｎ１はブロック選択トランジスタＢＳＴ０，ＢＳＴ１を介してビット線ＢＢＬ，ＢＬに接続され、端子Ｎ２はプレート線ＢＰＬ，ＰＬに接続され、各セルトランジスタＴのゲートがワード線ＷＬに接続される。 - 特許庁

When binary data is read out from one page of the memory cell array 21, a voltage generating circuit 31 generates read-out voltage being lower than read-out voltage when multi-level data is read out, and supplies it to a word line of a non-selection page.例文帳に追加

電圧発生回路３１は、メモリセルアレイ２１の１つのページから２値データを読み出すとき、多値データを読み出すときの読み出し電圧より低い読み出し電圧を発生し、非選択ページのワード線に供給する。 - 特許庁

Since address information is not used for selecting a redundant memory cell, a time required for selecting a redundant memory cell after selection of a word line can be shortened, delay of access time can be prevented in relieving a memory cell.例文帳に追加

冗長メモリセルの選択にアドレス情報を使用しないため、ワード線が選択された後、冗長メモリセルが選択されるまでの時間を短縮でき、メモリセルの救済時にアクセス時間が遅くなることを防止できる。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a memory cell array on which a memory cell MC is disposed and a control circuit 104 for applying a voltage to a bit line 4 and a word line 3 so that a predetermined potential difference is given to the selection memory cell MC.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣが配置されたメモリセルアレイと、選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう、ビット線４及びワード線３に電圧を印加する制御回路１０４とを備える。 - 特許庁

A row address decoder 22 constituting the address specifying section 20 is provided with a row selection latch circuit 23 holding a selected word line WL at a start state even after change of a row address XA.例文帳に追加

アドレス指定部２０を構成する行アドレスデコーダ２２には、選択されたワード線ＷＬを行アドレスＸＡの変化後においてもさらに立ち上げ状態に保持する行選択ラッチ回路２３が備けられている。 - 特許庁

In the first operation, a bit line to which a nonvolatile memory cell which is made an on-state by applying first voltage in which read is performed in read operation and made non-selection, to a plurality of word lines is connected, is detected.例文帳に追加

第１動作では、読出し動作において読出し非選択とする第１電圧を複数のワード線に印加することによってオン状態にされる不揮発性メモリセルが接続するビット線を検出する。 - 特許庁

Also, a sense amplifier reset control circuit 105 controls a sense amplifier reset circuit, so that reset of the sense amplifier 111 is finished within the time from the start of the read-out cycle to the selection of the word line.例文帳に追加

また、センスアンプリセット制御回路（１０５）は、上記読み出しサイクルの開始から上記ワード線が選択されるまでの間に上記センスアンプのリセットが完了するよう上記センスアンプリセット回路を制御する。 - 特許庁

An RSSI minimum position determination unit 106 outputs the RSSI value minimum position information of each synchronous word section of a current frame and a next frame to a frequency offset estimation value selection unit 108, and an RSSI comparison unit 107 outputs the RSSI threshold comparison information indicating comparison of the RSSI value and the threshold to the frequency offset estimation value selection unit 108.例文帳に追加

ＲＳＳＩ最小位置判定部１０６は現フレームと次フレームの各同期ワード区間のＲＳＳＩ値最小位置情報を、ＲＳＳＩ比較部１０７はＲＳＳＩ値と閾値とを比較したＲＳＳＩ閾値比較情報を、それぞれ、周波数オフセット推定値選択部１０８へ出力する。 - 特許庁

This memory is provided with a driver unit, and a column selection line is connected to a plate type line segment through this driver unit, The driver unit forms a potential of a prescribed value for respective operation state of memories depending on a potential of a belonging column selection line and a word address of a connected plate type line segment.例文帳に追加

ドライバユニットが設けられており、このドライバユニットを介して列選択線路とプレート形線路セグメントとが接続されており、ドライバユニットは所属の列選択線路の電位および接続されたプレート形線路セグメントのワードアドレスに依存してメモリのそれぞれの動作状態に対して定められた値の電位を形成する。 - 特許庁

When the clock signal is extracted by any one of clock extraction circuits 30-36, the clock signal is selected as a word clock by a selection switch 38; and its frequency is stored in a memory as a current frequency CUR-WC.例文帳に追加

クロック抽出回路３０〜３６のうち何れかによってクロック信号が抽出されると、当該クロック信号が選択スイッチ３８によってワードクロックとして選択され、その周波数はカレント周波数CUR_WCとしてメモリに記憶される。 - 特許庁

Even in the case of burn-in test for which the test signal T4 becomes 'H' level, concerning a redundant row selector circuit 2, the word line selection inhibit signal RDE becomes 'L' level, a redundant cell and a normal cell are simultaneously selected and the burn-in test is performed at the same time.例文帳に追加

テスト信号T4が「H」レベルとなったバーンインテストの場合にも、冗長行選択回路2は、ワード線選択禁止信号RDEが「L」レベルとなり、冗長セルとノーマルセルとは一括して選択され、バーンインテストが同時に行われる。 - 特許庁

A gate of a selection transistor STR is connected to a write word line WWL, one side of source/drain is connected to a write bit line WBL, and the other side of source/drain is connected to a gate of the ferroelectric transistor.例文帳に追加

選択トランジスタＳＴＲは、書き込みワード線ＷＷＬにゲートが接続され、書き込みビット線ＷＢＬにソース／ドレインの一方が接続され、強誘電体トランジスタのゲートにソース／ドレインの他方が接続されている。 - 特許庁

A bit line load controller 13 of an SRAM generates control signals ϕA, ϕB in response to internal read/write signal int/WE, internal chip selection signal int/CS and a word line activation signal WLE.例文帳に追加

ＳＲＡＭのビット線負荷制御回路１３は、内部読出／書込制御信号ｉｎｔ／ＷＥ、内部チップ選択信号ｉｎｔ／ＣＳおよびワード線活性化信号ＷＬＥに応答して、制御信号φＡ，φＢを生成する。 - 特許庁

To provide a row decoder circuit of a NAND type flash memory capable of supplying a normal operating voltage to a word line or a selection line also in the case of low voltage operation, and to provide an operating voltage supplying method using the same.例文帳に追加

低電圧動作の際にもワードラインまたはセレクトラインへ正常的な動作電圧を供給することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリのロウデコーダ回路およびこれを用いた動作電圧供給方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel insulating film 14 and a charge storage film 15 are formed on the active areas AA, a block insulating film 18 is so formed as to cover the STI 17, and a word electrode WL and a selection gate electrode SG are provided thereon.例文帳に追加

また、アクティブエリアＡＡ上にトンネル絶縁膜１４及び電荷蓄積膜１５を設け、ＳＴＩ１７を覆うようにブロック絶縁膜１８を設け、その上にワード電極ＷＬ及び選択ゲート電極ＳＧを設ける。 - 特許庁

A plurality of DRAM 200,... are provided with one timing selection signal generating part 100 and one timing signal generating part 150, and common clock signals CLK1 to 4 for generating a word line enable signal or the like are generated.例文帳に追加

複数のＤＲＡＭ２００…に対して、１つのタイミング選択信号発生部１００とタイミング信号生成部１５０とが設けられ、ワード線イネーブル信号等を生成するための共通のクロック信号ＣＬＫ１〜４が生成される。 - 特許庁

The disambiguating system simultaneously interprets the inputted key stroke sequence as a two-stroke sequence or a plurality of stroke sequences as a word, and automatically and simultaneously provides a plurality of interpretations for the user in a selection list.例文帳に追加

曖昧さ除去システムは、入力されたキーストロークシーケンスを、同時に、ワードとして、２ストロークシーケンスとして、あるいは複数ストロークシーケンスとして解釈し、複数の解釈を自動的かつ同時に選択リストにおいてユーザに対して提供する。 - 特許庁

A synthesis selection unit 209 selects speech synthesis processing performed by a rule-based synthesis unit 204 or speech synthesis processing performed by a prerecorded-speech-based synthesis unit 206 for a word of interest extracted from the language analysis result.例文帳に追加

合成選択部２０９は、上記言語解析の結果から抽出される注目単語に対して、規則合成部２０４による音声合成処理、又は、録音合成部２０６による音声合成処理のいずれかを選択する。 - 特許庁

During reading data from any one phase change memory cell chosen among the phase change memory cells in the columns, the first and second bit line selection circuits electrically connect the first and second edges of the local bit line with a global word line.例文帳に追加

カラムの相変化メモリセルのうち選択された何れか一つの相変化メモリセルからデータを読み出す間に、第１及び第２ビットライン選択回路は、ローカルビットラインの第１及び第２端をグローバルワードラインに電気的に連結する。 - 特許庁

In addition, a write bit line current and a write word line current are selected so as to form a synthetic magnetic field on a curve between a point H1 and a point H2 on the asteroid curve AC_out in order to prevent multi-selection.例文帳に追加

さらに、マルチセレクションを防止するため、アステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔ上の点Ｈ１と点Ｈ２との間の曲線上に合成磁界を形成するような書込ビット線電流及び書込ワード線電流を選択する。 - 特許庁

Corresponding to a specified example to occasionally require the omission of a word or phrase in the case of translation as shown in a figure 4, for example, plural translation patterns and selection conditions thereof are described in a dictionary for syntax analysis.例文帳に追加

構文解析用辞書に、例えば図４に示すように、訳出の際に単語又は句の省略が必要となる場合がある特定の用例に対応させて、複数の翻訳パタンと、その選択条件を記述しておく。 - 特許庁

To provide a NOR type EEPROM flash memory in which sure data erasing operation can be performed without using negative voltage for a non- selection word line at the time of verifying over-erasing, therefore, without preparing a complex row decoder.例文帳に追加

過消去ベリファイ時に非選択ワード線に対して負電圧を用いることなく、従って複雑なロウデコーダを用意することなく、確実なデータ消去動作を可能としたＮＯＲ型のＥＥＰＲＯＭフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

Data to be stored are stored in a pair of memory cells by complementary data and a pair of these memory cells are connected to a pair of bit lines BL and /BL connected to a common sense amplifier SA in response to the selection of a word line WL.例文帳に追加

記憶すべきデータを相補データで１対のメモリセルに記憶し、その１対のメモリセルが、ワード線WLの選択に応答して共通のセンスアンプSAに接続される１対のビット線BL、/BLに接続されるように構成することを特徴とする。 - 特許庁

A CPU 1 instructs the reproduction circuit 55 to reproduce the explanation of the word A which becomes a link destination determined based on the link information according to the operation of a link selection switch from a switch part 6 during reproduction of the audio data, and to reproduce the audio data which becomes a link source during reproduction of the explanation of the word A.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、オーディオデータの再生中に、スイッチ部６からのリンク選択スイッチの操作に応じて、リンク情報によって決定されるリンク先となる単語Ａの解説を再生するように再生回路５５に対して指示し、単語Ａの解説の再生中に、リンク元となるオーディオデータを再生するように再生回路５５に対して指示する。 - 特許庁

When registration to the wordbook is instructed for a word retrieved from a dictionary, a registration system selection window W1 is displayed, and when "yes" is selected in the registration in a bookmark system in the window W1, the word whose registration is instructed, its dictionary name and a reading system "bookmark" are associated with one another to be registered in a wordbook data memory.例文帳に追加

辞書検索された単語について単語帳への登録を指示すると、登録方式選択ウインドウＷ１が表示され、同ウインドウＷ１にてブックマーク方式での登録「はい」を選択すると、単語帳データメモリに前記登録指示された単語とその辞書名および読み出し方式“ブックマーク”とが対応付けられて登録される。 - 特許庁

When the retrieval keyword is supplied from the user, the word relating to the retrieval keyword is acquired from a general purpose web retrieval engine 12 by a query development part 204, the matching of the word acquired by the part 204 and the words stored in the DB selection index is performed and the retrieval engine for the specified topic of a high matching degree is presented to the user.例文帳に追加

ユーザから検索キーワードが与えられた場合、その検索キーワードに関連する単語をクエリ展開部２０４によって汎用ウェブ検索エンジン１２から取得し、ここで取得された単語とＤＢ選択インデックスに格納されている単語とマッチングを行い、一致度が高い特定トピック向け検索エンジンをユーザに提示する。 - 特許庁

The memory array has nonvolatile memory cells, in which a write voltage is applied from a write selection word line according to an address signal in the write operation and also a write current is supplied from a transistor (TR6) switching controlled by a write selection bit line and the parallel write restriction circuit according to logical values of write data.例文帳に追加

メモリアレイは、書き込み動作においてアドレス信号に従って書き込み選択とされるワード線から書き込み電圧が印加され、且つ、書き込みデータの論理値に従って書き込み選択ビット線と並列書き込み制限回路によりスイッチ制御されるトランジスタ（ＴＲ６）から書き込み電流が供給される不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁

A column decoder RD generates block selection signals BSE0-BSE3 and address signals X0 and X1, in response to a column address signal and selects main word lines MWLi0 and MWLi1 (i=0-7) in response to the column address signal.例文帳に追加

ＳＤ信号線ＳＤｉ０（ｉ＝０−３），ＳＤｉ１（ｉ＝４−７）はグローバル入出力線ＧＩＯｊ０に、ＳＤ信号線ＳＤｉ０（ｉ＝４−７），ＳＤｉ１（ｉ＝０−３）は、グローバル入出力線ＧＩＯｊ１に隣接して配置される。 - 特許庁

Input half word and byte selection are possible for four independent 8×8 multiplication or two 16×16 multiplication, a real part/imaginary part of complex multiplication, a pair of partial addition of 32×32 multiplication and partial sum of 16×32 multiplication.例文帳に追加

独立した４回の８ｘ８乗算または２回の１６ｘ１６乗算、複素乗算の実部／虚部、３２ｘ３２乗算の部分加算の対、１６ｘ３２乗算の部分和について、入力半ワードおよびバイト選択が可能である。 - 特許庁

If, meanwhile, no clock signal can be extracted by any extraction circuit 30-36, an output frequency of an internal clock generator 48 is set to CUR-WC; and its output signal is selected as a word clock in the selection switch 38.例文帳に追加

一方、何れの抽出回路３０〜３６によってもクロック信号が抽出できなかった場合は、内蔵クロック・ジェネレータ４８の出力周波数がCUR_WCに設定され、その出力信号が選択スイッチ３８においてワードクロックとして選択される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of stably detecting current of a memory cell of readout object in the nonvolatile memory adopting a diode as a selection element of the memory cells which are laminated so as to share word lines and bit lines.例文帳に追加

ワード線とビット線を共有するようにして積層化されたメモリセルの選択素子としてダイオードを採用する不揮発性メモリにおいて、読み出し対象のメモリセルの電流を安定的に検出することを可能とする不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

In a first test operation mode, a row control circuit 121 and a column control circuit 131 in synchronization with an external clock after fetching the column address output a WORD control signal and a YSW control signal and perform memory cell selection operation.例文帳に追加

第１のテスト動作モードにおいては、ロウコントロール回路１２１及びカラムコントロール回路１３１は、カラムアドレスを取り込んだ後の外部クロックに同期して、ＷＯＲＤ制御信号、ＹＳＷ制御信号を出力し、メモリセル選択動作を行う。 - 特許庁

The column selecting circuit 16 can be non-activated prior to non-activation of the word lines WL by keeping an address access time from transition of the address CAn to selection of the column selecting signal CLn to at an access time tAAC0 of the shortest.例文帳に追加

アドレスＣＡｎの遷移からコラム選択信号ＣＬｎの選択までのアドレスアクセスの時間を最短のアクセス時間ｔＡＡＣ０に維持して、ワード線ＷＬが非活性化されるのに先立ちコラム選択回路１６を非活性化することができる。 - 特許庁

For example, when plates 11020, 11021 are selected by a main word line, the plate 11020 is selected by the sense amplifier activation control circuit 1601A, and the plate 11021 becomes in a non-selection state by the sense amplifier activation control circuit 1601B.例文帳に追加

例えば、メインワード線によりプレート１１０２０、１１０２１が選択された場合、センスアンプ活性化制御回路１６０１Ａによりプレート１１０２０を選択し、センスアンプ活性化制御回路１６０１Ｂによりプレート１１０２１を非選択状態とする。 - 特許庁

When selection of two different head words associated and registration of new head words are received, the new head word is registered in the field specifying an additional column between the columns for each of the two different head words.例文帳に追加

また前記関連性によって関連する２つの異なる見出し語の選択と新たな見出し語の登録とを受け付けた場合には、当該２つの異なる見出し語それぞれの欄の間の追加欄を特定するフィールドへ新たな見出し語を登録する。 - 特許庁

Resistive elements R5-8 connected to a non-selection potential 1/2 VDD of the word line are connected to terminals of bit lines BL1-4, and potential reflection from each terminal when potentials of the word lines WL1-4 or the bit lines BL1-4 are varied are suppressed.例文帳に追加

ワードラインＷＬ１〜４の終端にワードラインの非選択電位１／２ＶＤＤに接続された抵抗素子Ｒ１〜４が接続し、また、ビットラインＢＬ１〜４の終端にビットラインの非選択電位１／２ＶＤＤに接続された抵抗素子Ｒ５〜８が接続し、ワードラインＷＬ１〜４、あるいはビットラインＢＬ１〜４の電位が変化した時の各々の終端からの電位反射を抑える。 - 特許庁

Music feature quantities of each of a plurality of pieces of music is preserved as data, a property of a person is set in accordance with input operation, a sensitivity word for music selection is set in accordance with input operation, and music having music feature quantities corresponding to the set property of a person and the set sensitivity word is detected in accordance with music feature quantities of each of the plurality of pieces of music.例文帳に追加

複数の楽曲各々の楽曲特徴量をデータとして保存し、入力操作に応じて人物特性を設定し、入力操作に応じて選曲用の感性語を設定し、設定した人物特性と設定した感性語とに対応した楽曲特徴量を有する楽曲を複数の楽曲各々の楽曲特徴量に応じて検出する。 - 特許庁

An extended word selection part 21 calculates a score to speech of a user concerning a phoneme string consisting of one or more phonemes, and words of which the scores match or analogize with the phoneme string and phonemes in a prescribed value or more are retrieved from a dictionary with a large vocabulary.例文帳に追加

拡張単語選択部２１において、１以上の音韻からなる音韻列について、ユーザの音声に対するスコアが計算され、そのスコアが所定値以上の音韻列と音韻が一致または類似する単語が、大語彙辞書から検索される。 - 特許庁

Selection means preliminarily limits a word set for considering an order, for example onomatopoeia expressing the texture of foods and a prefecture name in Kyushu district, and concretely compares two or more concepts by the feature degrees obtained by the feature degree computing section 15.例文帳に追加

選択手段が、順位を考慮する単語集合を、例えば、食感を表すオノマトペや、九州の県名として、予め限定しており、特徴度演算部１５により求められた特徴度によって、二つ以上の概念を具体的に比較することができる。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage is provided with a cell bias circuit 1 (constant voltage output section), a memory cell array 3, a column switch group 4, a non-selection source line equalizing transistor group 5, a detecting circuit 6, a sub-memory cell array selecting circuit 7, a word line selecting circuit 8, and a column address decoder 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は，セルバイアス回路１（定電圧出力部），メモリセルアレイ３，カラムスイッチ群４，非選択ソースラインイコライズトランジスタ群５，検出回路６，サブメモリセルアレイ選択回路７，ワードライン選択回路８，カラムアドレスデコーダ９を備えている。 - 特許庁

A collation processing selection means 32 selects a search method related to collation processing of acquiring position information of the retrieval term in the document having the retrieval term by collation of the position information of each word corresponding to the acquired identifier based on information related to a position information list of each word in the transposition list having the identifier acquired by the combination processing.例文帳に追加

照合処理選択手段３２は、前記併合処理によって取得された識別子を有する転置リストにおける各単語の位置情報リストに係る情報に基づき、前記取得された識別子に対応した前記各単語の位置情報の照合により前記検索語を有する文書における当該検索語の位置情報を取得する照合処理に係る探索法を選択する。 - 特許庁

After that, corresponding word in translation selection part 12 selects most probable corresponding words for the best translation between each morpheme of original language and each morpheme of target language and outputs it by referring to the similarity of appearance.例文帳に追加

次いで、対応訳語選択部１２は、形態素行列メモリ２３に記憶された出現類似度付き形態素行列に基づいて、上記出現類似度を参照して、原言語の各形態素と、目標言語の各形態素との間で最尤の訳語対応関係を選択して出力する。 - 特許庁

A word selection section 166 selects the morpheme having the largest number of occurrences calculated for the each Chinese character stored in the detailed reading dictionary 2b, and a detailed reading information generation section 167 generates detailed reading information for each Chinese character based on the selected morpheme.例文帳に追加

単語選択部１６６は、詳細読み辞書２ｂに格納してある各漢字について、算出された出現回数が最多の形態素を選択し、詳細読み情報生成部１６７は、選択された形態素に基づいて、各漢字に対する詳細読み情報を生成する。 - 特許庁