「xn」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

draw-lines x1,y1,x2,y2 [...,xn,yn] Draws a list of lines. 例文帳に追加

draw-lines x1,y1,x2,y2 [.,xn,yn]複数個の線を描画する。 - XFree86

draw-segments x1,y1,x2,y2 [...,xn,yn] Draws a list of segment lines. 例文帳に追加

draw-segments x1,y1,x2,y2 [.,xn,yn]複数個の線分を描画する。 - XFree86

Formula (1) is expressed by X1≤X2≤ to ≤Xn, and formula (2) is expressed by X1<Xn.例文帳に追加

Ｘ１≦Ｘ２≦…≦Ｘｎ …▲１▼Ｘ１＜Ｘｎ …▲２▼ - 特許庁

The thickness of an InxGa1-xN (0<x<1) well layer is 1.5-4.5 nm, and the thickness of a barrier layer is preferably 1.5-5.0 times the film thickness of the well layer.例文帳に追加

In_xGa_1-xN(0<X<1)well層の膜厚は1.5〜4.5[nm]、 barrier層の膜厚は、In_xGa_1-xN(0<X<1) well層の膜厚の1.5〜5.0倍が良い。 - 特許庁

To improve flatness of a layer below an n-clad layer comprising AlxGa1-xN.例文帳に追加

Al_xGa_1-xNから成るｎクラッド層の下層の平坦度を向上させる。 - 特許庁

clip-rectangles x1,y1,x2,y2 [...,xn,yn] Sets a list of rectangles to the clip mask.例文帳に追加

clip-rectangles x1,y1,x2,y2 [.,xn,yn]マスクでクリップを行う矩形のリストを設定する。 - XFree86

draw-points x1,y1 [...,xn,yn] Draws a list of points at the specified coordinates.Example: 例文帳に追加

draw-points x1,y1 [.,xn,yn]複数個の点を指定された座標に描画する。 - XFree86

Note that this capability is obsolete because screen uses the standard 'xn' instead.例文帳に追加

screen は標準の 'xn' の方を使うようになったので、この機能は obsolete になった。 - JM

AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶基板 - 特許庁

GAXIN1-XN SUBSTRATE AND METHOD OF CLEANING GAXIN1-XN SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａｘＩｎ１−ｘＮ基板とＧａｘＩｎ１−ｘＮ基板の洗浄方法 - 特許庁

An AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 is used as a group III nitride type compound semiconductor element substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１を用いる。 - 特許庁

fill-polygon x1,y1 [...,xn,yn] Like draw-lines, but fills the enclosed polygon and joins the first and last point, if they are not at the same position.Example:例文帳に追加

fill-polygon x1,y1 [.,xn,yn]draw-lines と似ているが、閉じた多角形を塗りつぶす点が異なる。 - XFree86

The light-emitting layer can be characterized by, for example, In_xGa_1-xN, Al_xGa_1-xN, or In_xAl_yGa_1-x-yN.例文帳に追加

発光層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ、又はＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮとすることができる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN CRYSTAL, AND AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法およびＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶基板 - 特許庁

A moving window adaptive decision feedback equalizer (DFE) is given according to Cn(k+1)=Cn(k)-W(k)E(k)Xn(k).例文帳に追加

移動ウインド適応決定フィードバック・イコライザー（DFE）が，Cn(k+1) = Cn(k) - W(k)E(k)Xn(k)にしたがって与えられる。 - 特許庁

METHOD OF GROWING AlxGal-xN CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法 - 特許庁

The adder 14 adds the position data Xn and the deviation amount &utri;Xn of irradiation position of the electron beam, and supplies the added data (Xn+&utri;Xn) to a positioning deflector 3 via a DA converting amplifier 10.例文帳に追加

加算器１４では、パターン位置データＸｎと電子ビームの照射位置ずれ量ΔＸｎとを加算し、加算したデータ（Ｘｎ＋ΔＸｎ）をＤＡ変換増幅器１０を介して位置決め偏向器３に供給する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶の成長方法 - 特許庁

One frame of audio data Xn(i) (i=1 to 1,152) is taken in and audio data Xn(i) of less than a threshold value are set to 0.例文帳に追加

１フレームの音声データＸ_n （ｉ）（ｉ＝１〜１１５２）を取り込み、閾値以下の音声データＸ_n （ｉ）を０にする。 - 特許庁

By making the Al compsn. of the AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 set near to those of the AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) layers 2, 4 of the group III nitride type compound semiconductor element, a substrate having fewer occurrences of cracks can be obtained.例文帳に追加

窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１のアルミルニウム組成は形成するIII族窒化物半導体素子の窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）層２及び４の組成に近いものとすることでクラックの発生を更に小さいものとすることができる。 - 特許庁

Similar calculation is repeated until a passing estimated time Xn at the spot n, to thereby calculate the arrival estimated time Xg to the destination.例文帳に追加

同様の計算を地点ｎの通過予測時刻Xnまで繰り返し、目的地への到着予測時刻Xgを算出する。 - 特許庁

The ECU 10 detects relative lateral positions Xn of the object targets and corrects the relative lateral positions Xn.例文帳に追加

また、ＥＣＵ１０は、対象物標の相対横位置Ｘｎを検出するとともに相対横位置Ｘｎを補正する。 - 特許庁

AlxGa1-xN SINGLE CRYSTAL AND ELECTROMAGNETIC WAVE TRANSMISSION BODY例文帳に追加

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶および電磁波透過体 - 特許庁

To provide an Al_xGa_1-xN single crystal suitable as an electromagnetic wave transmission body and to provide an electromagnetic wave transmission body containing an Al_xGa_1-xN single crystal.例文帳に追加

電磁波透過体として好適なＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶を含む電磁波透過体を提供する。 - 特許庁

The In_xGa_1-xN layer is made of a multilayer film with a different composition.例文帳に追加

Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層は組成の異なる多層膜とする。 - 特許庁

Then, the composite value computing part 61 computes the difference ΔX (=Xn-Xn-1), ΔY (=Yn-Yn-1), and ΔZ (=Zn-Zn-1) between the acceleration values Xn, Yn and Zn sampled by the sampling part 60 and the acceleration values Xn-1, Yn-1 and Zn-1 of the last time.例文帳に追加

その後、合成値算出部６１は、サンプリング部６０でサンプリングされた各加速度Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎと前回の各加速度Ｘｎ−１，Ｙｎ−１，Ｚｎ−１との差分ΔＸ（＝Ｘｎ−Ｘｎ−１），ΔＹ（＝Ｙｎ−Ｙｎ−１），ΔＺ（＝Ｚｎ−Ｚｎ−１）を算出する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that an AlxGa1-xN layer which contains both Be and P be subjected to thermal treatment, or a current is injected into the AlxGa1-xN layer, or the AlxGa1-xN layer be irradiated with an electron beam to cause Be to activate.例文帳に追加

更に好ましくは、ＢｅとＰの両方を含む前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮに対して、熱処理を施すか、或いは、電流注入または電子ビーム照射またはその両方の組み合わせにより、Ｂｅを活性化させる。 - 特許庁

A plurality of cycles of the beat signals Xn are thereby integrated (S320).例文帳に追加

これより、複数サイクル分のビート信号Ｘｎを積算する（Ｓ３２０）。 - 特許庁

To provide a method for growing Al_xGa_1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be prepared, and to provide Al_xGa_1-xN crystal substrates.例文帳に追加

大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁

An AlxGa1-xN layer (x≥0.2) is turned into a P-AlxGa1-xN layer by injecting impurities containing both Be and P into it or doping it with impurities which include both Be and P.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（ｘ≧０．２）において、ＢｅとＰの両方を含む不純物を注入またはドーピングすることにより、ｐ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮを得る。 - 特許庁

The channel layer is formed by an AlXGa1-XN layer (0<X<1).例文帳に追加

前記チャネル層は、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ層（０＜Ｘ＜１）によって形成されている。 - 特許庁

The calculation result Cn in the sampling position where the polarities of the signal levels Xn, Xn-1 change is outputted as the phase error signal Tn.例文帳に追加

そして、信号レベルＸｎ、Ｘｎ−１の極性が変化するサンプリング位置における演算結果Ｃｎを位相誤差信号Ｔｎとして出力する。 - 特許庁

Since the spontaneous polarization of Al_XGa_1-XN depends on the composition, negative charges are generated in the Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and positive charges are generated in the Al_XGa_1-XN second graded layer 105.例文帳に追加

Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの自発分極が組成に依存するため、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４には負の荷電が発生し、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５には正の荷電が発生する。 - 特許庁

In laminating AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) as clad layers 2, 4, even if a thick clad layer is formed, it will hardly crack.例文帳に追加

発光ダイオードやレーザダイオードにおいては、クラッド層２及び４として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）を積層する際、厚膜のクラッド層を形成してもクラックが発生しにくくなる。 - 特許庁

To provide a method for growing a large-size, high-quality Al_xGa_1-xN single crystal.例文帳に追加

大型で高品質のＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

In this wafer, an In composition x of the In_xGa_1-xN low-temperature deposit layer is set to 0<x<0.4.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ低温堆積層のＩｎ組成ｘは０＜ｘ＜０．４にする。 - 特許庁

The emission layer 3 includes a quantum well layer comprising InxGa1-xN (0.1≤x≤0.6).例文帳に追加

発光層３は、Ｉｎ_XＧａ_1-XＮ（０．１≦ｘ≦０．６）からなる量子井戸層を含む。 - 特許庁

In composition x of the low- temperature-deposited In_xGa_1-xN layer is adjusted to 0<x<0.3.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ低温堆積層のＩｎ組成ｘは０＜ｘ＜０．３の範囲にする。 - 特許庁

Furthermore, (3) a mixture of polypeptide Pn', labeled by stable isotope made of the amino acid array X1-X2-...-Xn determined in (1), using an synthesizing amino acid cocktail x1', x2', ... xn' that corresponds to the amino acids X1, X2, ... Xn, respectively.例文帳に追加

３）更に、アミノ酸Ｘ１、Ｘ２、・・・Ｘｎにそれぞれ対応する合成用アミノ酸カクテルｘ１’、ｘ２’、・・・ｘｎ’を用いて、１）で決定したアミノ酸配列Ｘ１−・・・−Ｘｎからなる安定同位体元素によりラベル化されたポリペプチドＰｎ’の混合物を合成する。 - 特許庁

In addition, the Al_xGa_1-xN layers 3, 4, and 5 may be formed in the structure including therein an n-type Al_xGa_1-xN layer 4 or in the structure including therein an AlN layer between the GaN layer 2 and the Al_xGa_1-xN layers 3, 4, and 5.例文帳に追加

また、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層３，４，５として、内部にｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層４を有する構造としても良いし、あるいは、ＧａＮ層２とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層３，４，５との間に、ＡｌＮ層を有する構造としても良い。 - 特許庁

An n-clad layer 104, comprising AlxGa1-xN, is not formed directly at a high carrier-density n+-type GaN layer 103 forming a negative electrode but through a low carrier-density n-type GaN layer 103L.例文帳に追加

負電極を形成する高キャリア密度のｎ^+型GaN層１０３に直接Al_xGa_1-xNから成るｎクラッド層１０４を形成するのではなく、低キャリア密度のｎ型GaN層１０３Ｌを介在させる。 - 特許庁

The light-emitting layer of a light-emitting diode, which is represented by a general expression InxGa1-xN (0<x<1) is doped with other V-group atoms as an isoelectron trap formation element substituting for an N atom.例文帳に追加

一般式In_xGa_1-xN（0＜x＜1）で表される発光層を有する発光ダイオードの該発光層に、N原子に置き換わるべき等電子トラップ形成元素として他のＶ族原子をドープする。 - 特許庁

The pigment composition for the toner for development of an electrostatic charge image comprises two or more kinds of monoazo pigments (X) in such a manner that at least a part of pigments (Xn+1), (Xn+2), etc., is uniformly adsorbed to the surface of primary particles of a pigment (Xn) or is included in the crystal structure of the pigment.例文帳に追加

モノアゾ顔料（Ｘ）の２種以上とからなり、顔料（ｘn+1）、（ｘn+2）…の少なくとも一部が顔料（ｘn）の一次粒子表面に均一に吸着しているか、或いは結晶構造中に含まれていることを特徴とする静電荷像現像用トナーのための顔料組成物。 - 特許庁

An m surface of the hexagonal In_XGa_1-XN faces towards the predetermined Ax axis.例文帳に追加

六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮのｍ面が所定の軸Ａｘの方向に向いている。 - 特許庁

The well layer 19a is formed of In_XGa_1-XN (0.15≤X<1, where X is a distortion composition).例文帳に追加

井戸層１９ａはＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．１５≦Ｘ＜１、Ｘは歪み組成）からなる。 - 特許庁