「a p-portion」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A center region of a semiconductor device 10 includes a p-type surface layer portion semiconductor region 38 provided at a surface layer portion of an n-type semiconductor substrate 20 and electrically connected to an emitter electrode 42, and a carrier shield region 52 provided partially in the surface layer portion semiconductor region 38.例文帳に追加

半導体装置１０の中心領域は、ｎ型の半導体基板２０の表層部に設けられているとともにエミッタ電極４２に電気的に接続されているｐ型の表層部半導体領域３８と、その表層部半導体領域３８内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域５２を備えている。 - 特許庁

The current block layer 18 forming a ridge portion to the upper part of the p-type clad layer 16 and the p-type contact layer 17 is formed of a dielectric material where a part of nitrogen atoms forming the III-V group nitride semiconductor is replaced with oxygen atoms.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６の上部及びｐ型コンタクト層１７にリッジ部を形成する電流ブロック層１８は、III-Ｖ族窒化物半導体を構成する窒素原子の一部を酸素原子で置換した誘電体により形成されている。 - 特許庁

The method includes a process of pressing a welding press P on a sharp edge E for welding thereof while heat energy is given to the folded edge, the edge having been produced at a cut portion by cutting a drinking opening portion of a blow-molded container 1 closed by a mold.例文帳に追加

金型によって型締めされたブロー成形容器１の飲み口部11が切断されることによって切口に生ずる返り縁Ｅに対し、返り縁Ｅに熱エネルギーを与えて溶着せしめる溶着プレス体Ｐを圧接して当該返り縁Ｅを圧潰溶着せしめるという技術的手段を採用した。 - 特許庁

For example, a video encoder or decoder computes a motion vector predictor for a motion vector for a portion of an interlaced P-field (e.g., a block or a macroblock), including selecting between using a same polarity or opposite polarity motion vector predictor for the portion.例文帳に追加

たとえば、映像エンコーダまたはデコーダが、インターレースＰフィールドの一部分（たとえば、ブロックまたはマクロブロック）に対する動きベクトル用の動きベクトル予測子を演算し、この演算は、その部分に対する、同極性または反極性動きベクトル予測子の使用を選択することを含む。 - 特許庁

A phase difference plate stack 7 arranged in the optical path from the illumination optical system 2 to the dichroic prism 5 polarizes a portion of a wavelength band of the illumination light which is transmitted through a reflecting surface of the dichroic prism 5 into a P- polarized light and a portion of a wavelength band which is reflected by the reflecting surface into an S-polarized light.例文帳に追加

照明光学系２からダイクロイックプリズム５に至る光路上に配設された位相差板スタック７が、照明光のうちダイクロイックプリズム５の反射面を透過させる波長帯域の光をＰ偏光とし、反射面により反射させる波長帯域の光をＳ偏光とする。 - 特許庁

This recording paper housing pack 2 is constituted of two portions of a recording device fitting portion 21 being fitted into a mounting portion of the recording device so as to easily achieve a good mounting condition, and a packaging member 22 for covering the periphery of the recording paper P so as to prevent the recording paper P from being stained or touched by a hand.例文帳に追加

記録紙収納パック２は、記録装置の装着部に嵌合し、簡単に良好に装着した状態にすることを可能とする記録装置嵌合部分２１と、記録紙Ｐの周囲を覆い、記録紙Ｐに汚れが付いたり、手が触れたりするのを防止する働きをする包装部材２２との２つの部品から構成されている。 - 特許庁

One oil path L1 extended from the master cylinder MCt is branched into two oil paths L2 and L3 at a branching portion P to be connected to the front and rear wheel brakes Bf1 and Br, and the ABS control unit 15 is disposed not in the branching portion P but in the oil path L1 of the master cylinder MCt.例文帳に追加

マスタシリンダＭＣ_Lから延びる１本の油路Ｌ_1 は分岐部Ｐで２本の油路Ｌ_2 ，Ｌ_3 に分岐して前輪ブレーキＢｆ_1 および後輪ブレーキＢｒに連なっており、前記分岐部ＰよりもマスタシリンダＭＣ_L 側の油路Ｌ_1 に前記ＡＢＳ制御ユニット１５が配置される。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer (n-type contact layer 20) of one PIN structure and the p-type semiconductor layer (p-type contact layer 19) of the other PIN structure both come into contact with a connection portion 30 and are electrically connected.例文帳に追加

一方のＰＩＮ構造のｎ型半導体層（ｎ型コンタクト層２０）と他方のＰＩＮ構造のｐ型半導体層（ｐ型コンタクト層１９）とは共に、連結部３０と接すると共に電気的に接続されている。 - 特許庁

The active ray sensitive or radiation sensitive resin composition includes: a resin (P) having a recurring unit (A) including a portion decomposed by irradiation with an active ray or a radiation and generating an acid anion in a side chain of the resin, wherein the recurring unit (A) has a ≥7C aromatic ring on a portion except the acid anion generating portion on the side chain having the acid anion generating portion.例文帳に追加

活性光線または放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸アニオンを発生する部位を含む繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含み、繰り返し単位（Ａ）が炭素数７以上の芳香環を、少なくとも、該酸アニオン発生部位を有する側鎖上であって該酸アニオン発生部位以外に有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

A paper feed tray 2 has a first tray 11 arranged oppositely to a transfer mechanism 3 in the rear portion of a housing 6, a second tray 12 extended from the first tray 11 and holding the rear end of the recording paper P.例文帳に追加

給紙トレイ２は、筐体６の後部において搬送機構３に対向配置された第１トレイ１１と、第１トレイ１１から延出され、記録紙Ｐの後端を保持する第２トレイ１２を有する。 - 特許庁

A contact point of the tip 21a of the oscillating arm and a recessed portion 13c of the nut is located at P when a central shaft of the oscillating arm 21 is located at a vertical position with respect to the shaft center of a ball screw shaft 12.例文帳に追加

ボールねじ軸１２の軸心に対して揺動アーム２１の中心軸が垂直位置にあるとき、揺動アームの先端部２１ａとナットの凹部１３ｃとの接触点はＰにある。 - 特許庁

The electronic apparatus disposes the selected image P in a whole display region and further displays an image on which thumbnail image groups P11 having been deformed are disposed in ascending order of page number from a right side to a left side of the display region by superimposing the thumbnail image groups P11 on a lower portion of the selected image P.例文帳に追加

電子機器は、選択画像Ｐを表示領域の全体に配置し、且つ、変形されたサムネイル画像群Ｐ１１を表示領域の右から左へページ番号の昇順で選択画像Ｐの下部に重ねて配置した画像を表示する。 - 特許庁

The lamp device has a ceramic light-emitting tube having a small diameter tube portion and comprises a lamp that satisfies the relationship of V≥0.071P-7.6 where P is the space volume (mm^3) inside the small diameter tube and P is the lamp power (W), and a suppressing means for suppressing the lamp voltage to the starting time.例文帳に追加

細管部を有するセラミック製発光管を備え、細管部内の空間容積（ｍｍ３）の値Ｖ及びランプ電力（Ｗ）の値Ｐが、Ｖ≧０．０７１Ｐ−７．６の関係を満足するランプと立ち上がり時のランプ電圧を抑制する抑制手段を備える。 - 特許庁

An N--type impurity region 132 is formed on a P-type well layer 130, provided in the deep portion of a N-type Si substrate 110 and an N-type photoelectric conversion region 34 and a P+-type impurity region 36, both of which constitute a photodiode section 112 are successively formed on the region 132.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ基板１１０の深層に設けたＰ型ウエル層１３０の上にＮ^^- 型不純物領域１３２を形成し、その上にフォトダイオード部１２を構成するＮ型光電変換領域１３４とＰ^+ 型不純物領域１３６を形成する。 - 特許庁

When the image is recorded on the bottom portion of the paper P, the ink is ejected from a part of the nozzles at the side near the pair of the paper discharge rollers.例文帳に追加

用紙Ｐの後端部に画像を記録する際、インクは、記録ヘッド３１の複数のノズルのうち、排紙ローラ対に近い側の一部から吐出される。 - 特許庁

At the cell portion C, a P-type base layer 14 is formed on the epitaxial layer 12, and an N-type source layer 15 is formed at part on the base layer 14.例文帳に追加

セル部Ｃにおいては、エピタキシャル層１２上にＰ型のベース層１４を形成し、ベース層１４上の一部にＮ型のソース層１５を形成する。 - 特許庁

Emission regions of the dummy element portions 30A, 30B are shielded by a p-side electrode and thermally coupled to the laser element portion 20 through the substrate 100.例文帳に追加

ダミー素子部３０Ａ、３０Ｂの出射領域は、ｐ側電極により遮蔽されかつ基板１００を介してレーザ素子部２０に熱的に結合される。 - 特許庁

Then, ink of each color is delivered from an delivery nozzle 6b to a portion delivered with the ink for the separation layer, out of the upper face of the base material P.例文帳に追加

続いて、基材Ｐの上面のうちの、剥離層用インクが吐出された部分に対して、吐出のズル６ｂから各色のインクを吐出する。 - 特許庁

An epitaxial layer 3 has an N-type region 4 formed at its base portion, and a P-type body region 5 is formed to be in contact with the N^--type region 4.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、その基層部にＮ^-型領域４が形成され、Ｐ型のボディ領域５がＮ^-型領域４に接して形成されている。 - 特許庁

An inflection point p located more inside than an outer edge 3a' of the flange 3a is provided on a boundary between the inclined portion 3c and the body part 1 of the container.例文帳に追加

そして、前記傾斜部3cと容器の本体部分１との境界に前記フランジ3aの外縁3a′よりも内側に位置する変曲点ｐを設ける。 - 特許庁

When a seated person P sitting on the seat portion 11 puts his/her hands on the armrests 15, the heads 16A are positioned in the vicinities of or under the hands.例文帳に追加

座部１１に着座した着座者Ｐが肘掛け１５に肘を乗せたときに、手の近傍や手の平の下側に打面１６Ａが位置するようになっている。 - 特許庁

An N-type drain region 205 is provided in a surface portion of the P-well 201 on the side opposite to the surface shield layer 206 when viewed from the gate electrodes 204.例文帳に追加

ゲート電極２０４から見て表面シールド層２０６とは反対側のＰウェル２０１の表面部にＮ型のドレイン領域２０５が設けられている。 - 特許庁

The collector electrode of the vertical p-type semiconductor element 4 is connected directly with a copper pattern 3b provided on the other ceramic substrate 2 (left-side portion).例文帳に追加

縦型のｐ型半導体素子４は、コレクタ電極が、他方（左側部分）のセラミック基板２上に設けられた銅パターン膜３ｂと直接接続されている。 - 特許庁

The regulating section 22a is formed in the first movable member 22 and the lift of the sheet P from a paper guide front portion 36 is regulated by the regulating section 22a.例文帳に追加

第１可動部材２２には規制部２２ａが形成され、この規制部２２ａにより、用紙Ｐの紙案内前３６からの浮き上がりが規制される。 - 特許庁

The p-type GaAs base layer 34 and the metal electrode 18 are electrically connected by a connecting portion 40 outside the semi-insulating region 38.例文帳に追加

半絶縁性領域３８よりも外側において、ｐ型ＧａＡｓベース層３４と金属電極１８は接続部４０により電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a cathode layer 3 made of an n-type impurity region; and an anode layer 1 made of a p-type impurity region provided at the upper portion of the cathode layer 3.例文帳に追加

Ｎ型の不純物領域からなるカソード層３と、カソード層３の上部に設けられたＰ型の不純物領域からなるアノード層１とを備える。 - 特許庁

A difference (ΔLp) between the first process difference and the second difference is calculated, and the obtained difference is used to correct a P gate portion extracted from design data.例文帳に追加

次に、第１の加工差と第２の加工差との差分（ΔＬｐ）を算出し、算出した差分を用いて、設計データから抽出したＰ型ゲート部を補正する。 - 特許庁

A source pad 17a and a p-type diffusion region 25 adjacent to the connection portion of the filed plate 19 and the floating limiter ring 20 have notches 17b, 25a.例文帳に追加

フィールドプレート１９とフローティングリミッティングリング２０との接続部分に隣接するソースパッド１７ａ及びＰ形拡散領域２５は、切欠部１７ｂ、２５ａを有する。 - 特許庁

A P-type body region 5 is formed in an epitaxial layer 3, and an N+ type source region 9 which contacts the body region 5 is formed in a surface layer portion of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

エピタキシャル層３にＰ型のボディ領域５を形成し、エピタキシャル層３の表層部にボディ領域５に接するＮ^+型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

A first heat conductor 7 exposed on a side surface of the nitride semiconductor laminate structure portion is formed between the n^--type GaN layer 4 and p-type GaN layer 5.例文帳に追加

ｎ^−型ＧａＮ層４とｐ型ＧａＮ層５との間には、窒化物半導体積層構造部２の側面から露出する第１熱伝導体７が形成されている。 - 特許庁

To properly assign an accommodation portion A to articles P with different weights without increases in time and labor of data management and to save consuming energy of a crane 17.例文帳に追加

データ管理の手間を増大させることなく、様々な重量の物品Ｐに対して収納部Ａを適切に割り当て、クレーン１７の消費エネルギーを節約できるようにする。 - 特許庁

A protruded portion 19 for separating the rear end of the mail P relatively weak in firmness contacted closely with the guide plate 18 is protruded in a midway of the guide plate 18.例文帳に追加

ガイド板１８の中途部には、ガイド板１８に貼り付いた比較的腰の弱い郵便物Ｐの後端を剥離させるための突出部分１９が突設されている。 - 特許庁

Thus, the solder 4 is prevented from sticking to a portion of the side face of the nitride semiconductor laser element 1 and the occurrence of a p-n short circuit by the sticking is prevented.例文帳に追加

これにより、半田４が窒化物半導体レーザ素子１の側面の一部に付着しないようにして、その付着によるｐ−ｎ短絡の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

In the VCSEL, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constricting layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contacting layer 114 are laminated on a substrate 102; and a p-side upper electrode 130 including an opening portion 132 specifying the outgoing region of its laser beam is formed on the contacting layer 114.例文帳に追加

本発明に係るＶＣＳＥＬは、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型上部ＤＢＲ１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１４を積層し、コンタクト層１１４上にレーザ光の出射領域を規定する開口部１３２を含むｐ側上部電極１３０が形成されている。 - 特許庁

The visible light signal P of the light source portion 2 is received by the light receiving portion 31 to read the identification information, the positional information corresponding to a condition of the combination of the identification information, and the directional information of the light receiving portion of the receiver 3 at that time, is selected from the database portion 33, and the selected positional information is outputted by an output portion 35.例文帳に追加

受光部３１で光源部２の可視光信号Ｐを受信して識別情報を読み取り、その識別情報とそのときの受信機３の受光部方向情報とを組み合わせた条件に対応する位置情報をデータベース部３３から選択し、選択された位置情報を出力部３５で出力するようにした。 - 特許庁

The transfer fixing device includes: the heating member 87 which heats the transfer fixing surface of the recording medium P conveyed toward the nip portion formed by a transfer fixing member 27 and a pressure member 68 and guides the recording medium P conveyed toward the nip portion; and an biasing member 91 which biases the recording medium P guided by the heating member 87 toward the heating member 87.例文帳に追加

転写定着部材２７と加圧部材６８とによって形成されるニップ部に向けて搬送される記録媒体Ｐの転写定着面を加熱するとともにニップ部に向けて搬送される記録媒体Ｐを案内する加熱部材８７と、加熱部材８７に案内される記録媒体Ｐを加熱部材８７に向けて付勢する付勢部材９１と、を備える。 - 特許庁

A drain region D of the pixel transistor TFT is overlapped with a signal line portion XX between the TFT and the first auxiliary capacitance line portion CY1 of the auxiliary capacitance line CY to hold the potential of the pixel electrode P, the first auxiliary capacitance line portion CY1, and a second auxiliary capacitance line portion CY2 of the auxiliary capacitance line CY.例文帳に追加

当該画素トランジスタＴＦＴのドレイン領域Ｄが、当該画素電極Ｐの電位を保持するための補助容量線ＣＹの第１補助容量線部分ＣＹ１までの間の信号線部分ＸＸと、当該第１補助容量線部分ＣＹ１と、当該補助容量線ＣＹの第２補助容量線部分ＣＹ２とに重なっている。 - 特許庁

This mounting gauge 20 comprises an abutting portion 29 abutting on an opening edge E of the frame 2 and a supporting portion 21 for supporting the lock device body 3 to be mounted on the inner face S1 of the frame 2 at a preset depth position P in the direction of the depth of the frame 2 from the abutting portion 29.例文帳に追加

本発明の取付ゲージ２０は、フレーム２の開口縁Ｅに当接する当接部２９と、フレーム２の内面Ｓ１に取り付けられるロック装置本体３を当接部２９から当該フレーム２の奥行き方向所定深さ位置Ｐにおいて支持する支持部２１と、を備えている。 - 特許庁

An outer end point P in a radial direction of the projection portion 14 is positioned at an outer side in a radial direction than an opening edge 11a at an outer side in a radial direction of the opening part 11.例文帳に追加

前記はみ出し部分１４の半径方向外端点Ｐは、前記開口部１１の半径方向外側の開口縁１１ａよりも半径方向外側に位置する。 - 特許庁

The end part of the inner side of the taper-shape enlarged part 3 is a portion corresponding to the boundary of a sleeve electrode p4 and an insulating collar z3 of a plug p inserted into the plug insertion hole 2.例文帳に追加

テーパ状拡大部３の奥側の端部は、プラグ挿入孔２に挿入するプラグｐのスリーブ電極ｐ４と絶縁カラーｚ３との境界に対応する部位とした。 - 特許庁

In addition, the irradiation device 3 is a thin type having a length short in the direction of a rotation-axial line P and the portion with the maximum width of the irradiation device 3 is arranged along the maximum width of the installation space 8.例文帳に追加

そして、照射装置３は、回転軸Ｐ線方向での長さが短い薄型とし、照射装置３の最大幅となる部分を設置スペース８の最大幅に沿って配置する。 - 特許庁

A predetermined portion including a scar 17 is removed by a dicer or the like, the scar 17 formed in an outer circumferential part of the n-type GaN substrate 1 while the light emitting device structure and the p-side electrode are formed.例文帳に追加

発光素子構造およびｐ側電極を形成する際にｎ型ＧａＮ基板１の外周部に形成される傷１７を含む所定の部分をダイサーなどにより切除する。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 20 is etched into a mesa shape for a gate electrode 24, and has an end (etching surface) ED creating a stepped portion S against the third p-type semiconductor layer 18.例文帳に追加

第４の半導体層２０は、ゲート電極２４のためにメサ状にエッチングされ、第３の半導体層１８との間に段差部Ｓを生じさせる端部（エッチング面）ＥＤを有する。 - 特許庁

A seam 23 for restricting inflation in the vehicle width direction is formed on a portion of the airbag 22 corresponding to the berry part of the occupant P in the vertical direction of a vehicle in inflating of the airbag 22.例文帳に追加

エアバッグ２２の膨張時に車両上下方向において乗員Ｐの腹部と対応するエアバッグ２２の部位に車幅方向の膨張を規制するシーム２３を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁