「baw」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ACOUSTIC REFLECTOR OF BAW RESONATOR例文帳に追加

ＢＡＷ共振器の音響反射器 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING BAW RESONATOR例文帳に追加

ＢＡＷ共振装置の製造方法 - 特許庁

BAW FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＢＡＷフィルタおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING BAW RESONANCE DEVICE例文帳に追加

ＢＡＷ共振装置の製造方法 - 特許庁

BAW DUPLEXER WITHOUT PHASE SHIFTER例文帳に追加

位相シフタを有しないＢＡＷデュプレクサ - 特許庁

BAW RESONATOR, AND FILTER FOR UWB例文帳に追加

ＢＡＷ共振器およびＵＷＢ用フィルタ - 特許庁

BAW RESONATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＢＡＷ共振装置およびその製造方法 - 特許庁

BAW RESONANCE DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＢＡＷ共振装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a BAW device capable of decreasing the nonlinear characteristics of a BAW resonator, without having to significantly increase the dimensions of the BAW resonator.例文帳に追加

ＢＡＷ共振器の寸法を大幅に増大させる事無く、ＢＡＷ共振器の非線形特性を低減する事の出来るＢＡＷ装置の提供。 - 特許庁

BAW RESONANCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＢＡＷ共振装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a BAW resonance device enabling ruggedization without increasing parasitic capacity, and to provide a manufacturing method of the BAW resonance device.例文帳に追加

寄生容量を増加させることなく堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This BAW device concerns one having a first BAW resonator (72) and a second BAW resonator (74) connected antiparallel with each other, to weaken nonlinear effects in specific harmonic waves.例文帳に追加

特定の調波において非線形効果を低減するために、互いに逆平行に接続された第１のＢＡＷ共振器（７２）と、第２のＢＡＷ共振器（７４）とを有するＢＡＷ装置に関する。 - 特許庁

BULK ACOUSTIC WAVE (BAW) FILTER HAVING REDUCED SECOND HARMONIC GENERATION AND METHOD OF REDUCING SECOND HARMONIC GENERATION IN BAW FILTER例文帳に追加

二次高調波発生が減少されるバルク超音波（ＢＡＷ）フィルタおよびＢＡＷフィルタにおける二次高調波発生を減少させる方法 - 特許庁

This BAW filter comprises a substrate (14), a resonator section (11) and an acoustic mirror section (12).例文帳に追加

ＢＡＷフィルタは、基板（１４）、共振器部（１１）、および音響ミラー部（１２）を含む。 - 特許庁

The BAW filter 1 and plane pattern filter 2 are connected through the signal conductor layer 22.例文帳に追加

ＢＡＷフィルタ１と平面パターンフィルタ２とは信号導体層２２を介して接続される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PZT THIN FILM, BAW RESONATOR, AND UWB FILTER USING THE RESONATOR例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜の製造方法、ＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタ - 特許庁

The function of the acoustic reflector 110 is determined by the reflectivity of longitudinal wave and the reflectivity of traverse wave which exist in the BAW resonator 100 with a resonant frequency of the BAW resonator 100.例文帳に追加

音響反射器１１０の機能は、ＢＡＷ共振器１００の共振周波数でＢＡＷ共振器１００に存在する縦波の反射率と、横波の反射率とにより決定される。 - 特許庁

A bulk acoustic wave (BAW) filter (40) is manufactured from thin film bulk acoustic wave resonators.例文帳に追加

本発明のバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ（４０）は、薄膜バルク弾性波共振器から製造される。 - 特許庁

To provide a BAW resonator capable of improving the mechanical quality factor and the electromechanical coupling factor.例文帳に追加

機械的品質係数および電気機械結合係数を高めることができるＢＡＷ共振器を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a BAW resonator by which the quality of a piezoelectric thin film of the resonator can be improved.例文帳に追加

共振子の圧電体薄膜の品質を向上できるＢＡＷ共振器の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a BAW resonator capable of preventing generation of cracks on a piezoelectric layer, and reducing the cross sectional area of a resonation region.例文帳に追加

圧電層へのクラックの発生を防止し、かつ、共振領域の断面積を小さくすることができるＢＡＷ共振器を提供する。 - 特許庁

To provide a BAW resonance device capable of improving crystallinity and piezoelectric characteristics in a piezoelectric layer made of a lead-based piezoelectric material.例文帳に追加

鉛系圧電材料からなる圧電層の結晶性および圧電特性を向上させることが可能なＢＡＷ共振装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a BAW resonance device for improving crystallinity in piezoelectric layers and manufacturing yields.例文帳に追加

圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a BAW resonator in which both an electromechanical coupling coefficient and Q value are made large, and to provide a filter for UWB using the same.例文帳に追加

電気機械結合係数とＱ値を両方共に大きくしたＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供することにある。 - 特許庁

To provide a BAW resonator capable of suppressing an increase in a resistance value of an upper electrode, even if a parasitic capacity is not increased by thinning the film thickness of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の膜厚を薄くして寄生容量を増大させなくとも、上部電極の抵抗値の増大を抑制できるＢＡＷ共振器を提供する。 - 特許庁

A BAW filter 1 has a structure in which a piezoelectric substance layer 10 is sandwiched between an upper electrode 12 and a lower electrode 11, and is designed to have a target pass band.例文帳に追加

ＢＡＷフィルタ１は、圧電体層１０を上部電極１２および下部電極１１の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。 - 特許庁

A plane pattern filter 2 has a transmission line 23 formed by stacking a ground layer 21 and a beltlike signal conductor layer 22 across a dielectric layer 20 formed on a substrate 3 common to the BAW filter 1 and a stub circuit 24 formed of a conductor layer connecting consecutively with a portion of the signal conductor layer 22, and attenuates a stop band of the BAW filter 1.例文帳に追加

平面パターンフィルタ２は、ＢＡＷフィルタ１と共通の基板３に形成され誘電体層２０を介して地導体層２１および帯状の信号導体層２２を積層した伝送線路２３と、信号導体層２２の一部に連続する導体層により形成されたスタブ回路２４とを有しＢＡＷフィルタ１の阻止帯域を減衰させる。 - 特許庁

A duplexer for connection with an antenna comprises an antenna port, a transmitting filter comprising bulk acoustic wave (BAW) resonators having a first antenna side impedance coupled with the antenna port, a receiving filter comprising BAW resonators having a second antenna side impedance coupled with the antenna port, and a shunt inductance coupled between the antenna port and ground.例文帳に追加

アンテナに接続されるデュプレクサは、アンテナポートと、アンテナポートに結合された第１アンテナ側インピーダンスを有するバルク弾性波（ＢＡＷ）共振器を含む送信フィルタと、アンテナポートに結合された第２アンテナ側インピーダンスを有するＢＡＷ共振器を含む受信フィルタと、アンテナポートとグランドとの間に結合された分路インダクタンスとを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bulk acoustic wave (BAW) resonator capable of improving the crystallinity of a piezoelectric layer, recycling a piezoelectric layer formation substrate and simplifying its manufacturing processes.例文帳に追加

圧電層の結晶性を向上できるとともに圧電層形成基板の再利用が可能で且つ製造工程の簡略化を図れるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The BAW resonance device has: an acoustic mirror layer 2 formed at one surface side of a support substrate 1 made of MgO or SrTiO_3; and a resonator 3 formed on the acoustic mirror layer 2.例文帳に追加

ＭｇＯもしくはＳｒＴｉＯ_３からなる支持基板１の一表面側に形成された音響ミラー層２と、音響ミラー層２上に形成された共振子３とを備える。 - 特許庁

To provide a BAW resonator capable of improving a Q value and an electromechanical coupling coefficient while broadbanding a bandwidth at a high frequency band of 3GHz or more.例文帳に追加

３ＧＨｚ以上の高周波帯における帯域幅の広帯域化を図りつつ、Ｑ値および電気機械結合係数を高めることができるＢＡＷ共振器を提供する。 - 特許庁

To provide an MEMS resonator resonating in a BAW mode which generates less phase noise and jitter, and allows for mass inexpensive frequency regulation while measuring frequencies and the like after manufacture.例文帳に追加

ＢＡＷモードで共振するＭＥＭＳ共振子について、製造後に周波数などを測定しながら、大量かつ安価に周波数調整が可能で、位相雑音やジッタの少ないＭＥＭＳ共振子を提供する。 - 特許庁

In the BAW resonance device, respective peripheries of respective etching holes 5, 5 in an insulating layer 4 are reinforced, and reinforcement sections 6, 6 made of a metal material electrically insulated from a resonator 3 are formed by twos.例文帳に追加

本実施形態のＢＡＷ共振装置は、絶縁層４における各エッチングホール５，５それぞれの周部を補強し且つ共振子３と電気的に絶縁された金属材料からなる補強部６，６が２つずつ形成されている。 - 特許庁

The BAW resonator includes a piezoelectric layer 102, a first electrode 104 on a front surface, a second electrode 106 on the opposite surface, a substrate 108, and an acoustic reflector 110 provided between the substrate 108 and the second electrode 106.例文帳に追加

ＢＡＷ共振器は、圧電層１０２と、表面上の第１電極１０４、反対面の第２電極１０６、及び基板１０８と、基板１０８と第２電極１０６との間の音響反射器１１０で構成される。 - 特許庁

Further, a bottom aperture width BAW of a magnetic shield 29 at the end of a main magnetic pole 21 in a leading direction LD is formed larger than a top aperture width TAW of the magnetic shield 29 at the end of the main magnetic pole 21 in a trailing direction TR.例文帳に追加

また、主磁極２１のリーディング方向ＬＤの端における磁気シールド２９のボトム開口幅ＢＡＷは、主磁極２１のトレーリング方向ＴＲの端における磁気シールド２９のトップ開口幅ＴＡＷより大きく形成されている。 - 特許庁

The BAW resonator includes a base substrate 10, a lower electrode 20 formed on one surface of the base substrate 10, a piezoelectric conversion part 30 comprising a piezoelectric film formed on the lower electrode 20, and an upper electrode 40 formed on the side opposite to the side of the lower electrode 20 in the piezoelectric conversion part 30.例文帳に追加

ベース基板１０と、ベース基板１０の一表面上に形成された下部電極２０と、下部電極２０上に形成された圧電膜からなる圧電変換部３０と、圧電変換部３０における下部電極２０側とは反対側に形成された上部電極４０とを備える。 - 特許庁

The BAW resonator includes: a base substrate 10; a lower electrode 20 formed to a front side of the base substrate 10; a seed layer 25 formed on the lower electrode 20; a piezoelectric thin film 30 formed on the seed layer 25; and an upper electrode 40 formed opposite to the side of the lower electrode 20 in the piezoelectric thin film 30.例文帳に追加

ベース基板１０と、ベース基板１０の一表面側に形成された下部電極２０と、下部電極２０上に形成されたシード層２５と、シード層２５上に形成された圧電薄膜３０と、圧電薄膜３０における下部電極２０側とは反対側に形成された上部電極４０とを備える。 - 特許庁

The BAW resonator is provided with a substrate 10, a lower electrode 20 formed on an upper surface 11 of the substrate 10, a piezoelectric layer 30 formed on an upper layer 21 of the lower electrode 20, an insulating layer 40 formed on an upper surface 31 of the piezoelectric layer 30, and an upper electrode 50 formed on an upper surface 41 of the insulating layer 40.例文帳に追加

基板１０と、基板１０の上面１１に形成された下部電極２０と、下部電極２０の上面２１に形成された圧電層３０と、圧電層３０の上面３１に形成された絶縁層４０と、絶縁層４０の上面４１に形成された上部電極５０とを備える。 - 特許庁

The BAW resonator includes a base substrate 10, a lower electrode 20 formed on one surface side of the base substrate 10, a piezoelectric thin film 30 made of a single-crystal piezoelectric material on the opposite side of the lower electrode 20 from the side of the base substrate 10, and an upper electrode 40 formed on the opposite side of the piezoelectric thin film 30 from the side of the lower electrode 20.例文帳に追加

ＢＡＷ共振器は、ベース基板１０と、ベース基板１０の一表面側に形成された下部電極２０と、下部電極２０におけるベース基板１０側とは反対側に形成された単結晶の圧電材料からなる圧電薄膜３０と、圧電薄膜３０における下部電極２０側とは反対側に形成された上部電極４０とを備える。 - 特許庁