| 意味 | 例文 |
beteを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
To provide a method for forming a BeTe/CdS hetero interface and a quantum well using the BeTe/CdS hetero interface.例文帳に追加
BeTe/CdSヘテロ界面の形成方法及びをBeTe/CdSヘテロ界面用いた量子井戸を提供する。 - 特許庁
In this method for forming a BeTe/CdS hetero interface where a ZnSe layer is interposed between a BeTe layer and a CdS layer and a quantum well where the CdS layer is interposed between the BeTe layers, the ZnSe layer is interposed between the BeTe layer and the CdS layer, and an electronic supply substrate is doped to the CdS layer so that the quantum well can be configured.例文帳に追加
BeTe層とCdS層の間に、ＺｎＳe層を介在させるBeTe/CdSヘテロ界面の形成方法、及びCdS層をBeTe層ではさむ構造の量子井戸であって、BeTe層とCdS層の間に、ＺｎＳe層を介在させ、かつCdS層に電子供給物質をドーピングしてなる量子井戸。 - 特許庁
PRODUCTION OF OPTICALLY ACTIVE ALPHA-SUBSTITUTED-BETE- AMINOKETONE DERIVATIVE例文帳に追加
光学活性α−置換−β−アミノケトン誘導体の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING BeTe/CdS HETERO INTERFACE AND QUANTUM WELL USING THE SAME例文帳に追加
ＢｅＴｅ／ＣｄＳヘテロ界面の形成方法及びこれを用いた量子井戸 - 特許庁
To prevent oxidization of the outermost surface BeTe layer of a multilayer contact layer in a II-VI semiconductor device.例文帳に追加
II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面ＢｅＴｅ層の酸化を防止する。 - 特許庁
This device 2 is provided with a contact layer 5 composed of p-BeTe, a cap layer 4 on the contact layer 5 which layer 4 is composed of p-ZnSe, and an electrode 3 on the cap layer 4.例文帳に追加
この装置２は、ｐ−ＢｅＴｅからなるコンタクト層５と、コンタクト層５上のｐ−ＺｎＳｅからなるキャップ層４と、キャップ層４上の電極３とを備えている。 - 特許庁
This electron barrier layer 16 is composed of group II-VI compound semiconductor including at least beryllium (Be) among group II elements and including at least tellurium (Te) among group VI elements, more specifically, beryllium tellurium (BeTe) or BeZnTe.例文帳に追加
この電子障壁層１６を、ＩＩ族元素のうち少なくともベリリウム（Ｂｅ）と、ＶＩ族元素のうち少なくともテルル（Ｔｅ）とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、具体的には、ベリリウムテルル（ＢｅＴｅ）またはＢｅＺｎＴｅにより構成する。 - 特許庁
To prevent oxidation in air while a BeTe layer wherein P-type doping property is high and lattice mismatching to a GaAs substrate is low is used as a contact layer, regarding a p-type contact electrode device in ZnSe based II-VI compound semiconductors.例文帳に追加
ＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体におけるｐ型コンタクト電極装置であって、ｐ型ドープ性が高く、ＧａＡｓ基板に対する格子不整合が低いＢｅＴｅ層をコンタクト層として使用しつつ、大気中での酸化を防止すること。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|