「bf2」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the pre-amorphous implanting step, impact is applied to a silicon surface of the substrate 200 using BF2+ ions, and an amorphous layer 22 is formed thereon.例文帳に追加

プレアモルファス打ち込みプロセスは、ＢＦ__２^＋イオンを用いて基板２００のシリコン表面に衝撃を与え、その上にアモルファス層２２２が形成されるようにする。 - 特許庁

BF2 is implanted into an NMOS region for forming a pocket region 6, and further A is implanted into the region 6 for forming an NMOS extension region 7.例文帳に追加

ＢＦ_2をＮＭＯＳ領域に注入しポケット領域６を形成し、更にＡｓを領域６に注入しＮＭＯＳエクステンション領域７を形成する。 - 特許庁

Also, As is implanted into a PMOS region for forming a pocket implanted region 9, and BF2 is implanted into a region 9 for forming a PMOS extension region 10.例文帳に追加

また、ＡｓをＰＭＯＳ領域に注入しポケット注入領域９を形成し、ＢＦ_2を領域９に注入し、ＰＭＯＳエクステンション領域１０を形成する。 - 特許庁

A control circuit is composed of an OR1, and INV1 to an INV3, a BF1, a BF2, a T1, a T2, an FF1, an FF2, an M1, an M2, an R2 to an R4, and an RL1 to an RL4.例文帳に追加

ＯＲ１、ＩＮＶ１〜ＩＮＶ３、ＢＦ１，ＢＦ２、Ｔ１，Ｔ２、ＦＦ１，ＦＦ２、Ｍ１，Ｍ２、Ｒ２〜Ｒ４、ＲＬ１〜ＲＬ４は、制御回路を構成している。 - 特許庁

For example, As+ 7 for forming the pocket region 8 and BF2+ 10 for forming the LDD region 11 for the p-type FET are implanted in the entire surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

例えばｐ型ＦＥＴ形成のためのポケット領域８形状用Ａｓ^＋７、及びＬＤＤ領域１１形成用ＢＦ_２^＋１０を半導体基板１全面に注入する。 - 特許庁

The transmitter side filter BF1 and the receiver side filter BF2 are provided with a surface acoustic wave resonator formed on a piezoelectric substrate and have mutually different pass bands to configure the branching filter.例文帳に追加

受信側フィルタＢＦ１および受信側フィルタＢＦ２は、圧電基板上に形成された弾性表面波共振器を備え、相互に異なる通過帯域を有して分波器を構成している。 - 特許庁

The dummy bump BD2 is formed in such a size that covers an almost whole area of the active area 22 in the top view and the area of the top face of the bump BD2 is made larger than those of the functional bumps BF2.例文帳に追加

ダミーバンプＢＤ２は、たとえば、平面視において活性領域２２のほぼ全域を覆うような大きさ形成されており、頂面の面積が機能バンプＢＦ２よりも大きく設定されている。 - 特許庁

On the surface 21 of a sub chip 2, a plurality of prism-like functional bumps BF2 are arranged along the peripheral edge of the surface 21 so as to surround an active area 22 set up at the center of the surface 21.例文帳に追加

子チップ２の表面２１には、中央に設定された活性領域２２を取り囲むように、表面２１の周縁に沿って複数個の角柱状の機能バンプＢＦ２が配置されている。 - 特許庁

Therefore, when the main chip 1 is joined with the subordinary chip 2, the functional bump BF1 and dummy bump BD1 of the main chip 1 can be respectively and securely connected with the functional bump BF2 and dummy bump BD2 of the subordinary chip 2.例文帳に追加

ゆえに、親チップ１と子チップ２と接合時に、親チップ１の機能バンプＢＦ１およびダミーバンプＢＤ１と子チップ２の機能バンプＢＦ２およびダミーバンプＢＤ２とをそれぞれに確実に接続させることができる。 - 特許庁

On an optical path on a transmission side demultiplexed at O1 on a half mirror 1, a band-pass filter BF1 transmitting a red (R) component is arranged, while a band-pass filter BF2 transmitting a green (G) component is arranged on an optical path on the opposite side.例文帳に追加

ハーフミラー１上のＯ１で分波された透過側の光路に赤（Ｒ）成分を透過するバンドパスフィルタＢＦ１が配設され、反射側の光路に緑（Ｇ）成分を透過するバンドパスフィルタＢＦ２が配設される。 - 特許庁

The second control part 76 controls the assist motor 60 so as to generate a gradually increasing second regenerative braking force BF2 when a front brake mechanism 117f shifts from an initial state to a braking state.例文帳に追加

第２制御部７６は、フロントブレーキ機構１１７ｆが初期状態から制動状態に遷移するとき、徐々に大きくなるような第２回生制動力ＢＦ２を発生するようにアシストモータ６０を制御する。 - 特許庁

By ion-implanting boron or BF2 in the silicon substrate 1 via the upper part of protection insulating film 14 using the gate electrode 42 as the ion-implanting mask, one pair of extension layers 52 is formed in the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、ゲート電極４２を注入マスクとして保護絶縁膜１４の上部からシリコン基板１内にボロンあるいはＢＦ_2をイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５２を形成する。 - 特許庁

AND1-AND8, OR1-OR3, INV1-INV5, BF1, BF2, DFF1-DFF3, TA1, TA2, M1-M4, R5-R10, LD1, RL1-RL4, S1, S2 composes a control circuit controlling power supply to a self starting motor 1.例文帳に追加

ＡＮＤ１〜ＡＮＤ８、ＯＲ１〜ＯＲ３、ＩＮＶ１〜ＩＮＶ５、ＢＦ１，ＢＦ２、ＤＦＦ１〜ＤＦＦ３、ＴＡ１，ＴＡ２、Ｍ１〜Ｍ４、Ｒ５〜Ｒ１０、ＬＤ１、ＲＬ１〜ＲＬ４、Ｓ１，Ｓ２は、セルモータ１への電源供給を制御する制御回路を構成している。 - 特許庁

A maximum electric brake force BF2 becomes a low speed condition/maximum electric brake force BF21 by a low speed travelling pattern output to a third calculation part 8 by a low speed condition command part 10 and a constant power brake pattern output to the third calculation part 8 by a constant power brake pattern outputting part 11.例文帳に追加

低速条件指令部１０より、第３演算部８へ出力される低速走行パターンと、定電力ブレーキパターン出力部１１より第３演算部８へ出力される定電力ブレーキパターンにより最大電気ブレーキ力ＢＦ２が低速条件・最大電気ブレーキ力ＢＦ２１となる。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

Since the low speed condition/maximum electric brake force BF21 uses a brake force lower than the maximum electric brake force BF2, the brake force is increased to the maximum electric brake force BF21 when it is difficult to stop the vehicle at a target stop position by the low speed condition/maximum electric brake force BF21, thereby enabling a stop at the target stop position.例文帳に追加

低速条件・最大電気ブレーキ力ＢＦ２１は、低速領域では、最大電気ブレーキ力ＢＦ２よりも低いブレーキ力を使用しているため、低速条件・最大電気ブレーキ力ＢＦ２１で目標停止位置に停止することが困難な場合は、最大電気ブレーキ力ＢＦ２１までブレーキ力を上げ、目標停止位置に停止することを可能とする。 - 特許庁

Image data of a digital code acquired by an image sensor 40 are stored on respective first line buffer BF1 and second line buffer BF2 in a data length of one line unit, in accordance with the changeover of a selector SL, are directly transferred to a RAM 30 via a DMA 80, and are stored as a first frame image F1 of one frame.例文帳に追加

イメージセンサ４０により取得されたデジタルコードの画像データは、セレクタＳＬの切り替えに従って、第１ラインバッファＢＦ１及び第２ラインバッファＢＦ２のそれぞれに１ライン単位のデータ長で蓄積された後に、ＤＭＡ８０を介してＲＡＭ３０に直接転送されて、１フレームの第１フレーム画像Ｆ１として記憶される。 - 特許庁