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「concentration on」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索
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concentration onの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5672



例文

On the silicon substrate 21, a first conductivity type accumulation layer 31, which has an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 21, is formed at the side of the second main surface 21b, and irregularities 10 are formed in a region opposite to at least the semiconductor region 23 on the second main surface 21b.例文帳に追加

シリコン基板21には、第2主面21b側にシリコン基板21よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層31が形成されていると共に、第2主面21bにおける少なくとも半導体領域23に対向する領域に不規則な凹凸10が形成されている。 - 特許庁

It is possible to form the SiC epitaxial film excellent in uniformity of film quality, film thickness, and impurity concentration or the like on the SiC wafer 20 without providing a wafer rotation mechanism on the epitaxial depositing apparatus 1 by permitting the material gas 30 to go around a surface region of the SiC wafer 20.例文帳に追加

材料ガス30がSiCウェハ20の表面領域を周回することにより、エピタキシャル成膜装置1にウェハ回転機構を設けることなく、SiCウェハ20に様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性の良いSiCエピタキシャル膜を形成することが可能になる。 - 特許庁

As symptoms in a body such as pregnancy and ovulation and infection with bacteria are determined by quantitative analysis on the presence or absence of its index substance, it is necessary to determine the concentration of an analysis substance, an object of interest for clinical determination on the majority of samples, etc., in a medical field.例文帳に追加

妊娠や排卵のような身体の病症或い細菌に対する感染可否は、その指標物質の存在の有無に対する定性分析により判断されるが、医療分野の大部分の試料等は臨床的判断のために関心対象の分析物質の濃度を決めることが必要である。 - 特許庁

Toner concentration on a recording medium 12 or on an image carrier 20 can be detected with high accuracy, by illuminating light (infrared light) in the absorption wavelength region of an infrared-absorbing agent contained in the toner as detection light 60 from an LED 62 onto a surface 12A and detecting the specularly reflected light from the surface 12A.例文帳に追加

トナーに含有される赤外線吸収剤の吸収波長領域の光(赤外光)を、検出光60としてLED62から面12Aに照射して、面12Aからの正反射光を検出することで、記録媒体12上又は像担持体20上のトナー濃度を精度よく検出することができる。 - 特許庁

例文

This water repellent carbon fiber is provided by bonding a triorganosilyl group (wherein, organo groups are each independently H, an alkyl or an alkoxy) with hydroxyl groups on the surface of the carbon fiber through oxygen atom, and showing a Si/C silicon concentration on the surface of the carbon fiber of ≥0.100, measured by an X-ray photoelectron spectrometry.例文帳に追加

炭素繊維表面のヒドロキシル基に、酸素原子を介してトリオルガノシリル基(オルガノ基は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基を示す)を結合してなり、X線光電子分光法により測定される炭素繊維表面珪素濃度Si/Cが0.100以上である撥水性炭素繊維。 - 特許庁


例文

Residual polysilicon 9 is left on the bottom end 6 of the trench 2, a second sacrificial oxide film 10 is formed and eliminated, the bottom end 6 of the trench 2 is rounded, and then an oxide film 11 for a capacitor is formed, thereby preventing concentration of an electric field on the bottom end 6 of the trench and the thinning of the oxide film 11.例文帳に追加

トレンチの底端部6に残渣ポリシリコン9を残こし、第2犠牲酸化膜10を形成し、これを除去することで、トレンチ2の底端部6を丸くし、その後、キャパシタ用酸化膜11を形成することで、トレンチの底端部6での電界集中とキャパシタ用酸化膜11の薄膜化を防止する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 having an n-type conductivity type is formed by a specific film thickness and specific impurity concentration on a semiconductor substrate 1 having an n-type conductivity, a surface protection film 5 is formed on the epitaxial layer 2, and an opening 6 reaching the epitaxial layer 2 is formed at the surface protection film 2.例文帳に追加

n型の導電型を有する半導体基板1上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でn型の導電型を有するエピタキシャル層2を形成し、エピタキシャル層2上に表面保護膜5を形成した後、表面保護膜5にエピタキシャル層2に達する開口部6を形成する。 - 特許庁

The United Nations Framework Convention on Climate Change (UNFCCC) was adopted in 1992 at the Rio Earth Summit. In response to the increasing concentrations of atmospheric greenhouse gases and the resulting global warming and negative impacts on the natural ecosystem, it seeks to stabilize the atmospheric concentration of greenhouse gases.例文帳に追加

気候変動枠組条約は、大気中の温室効果ガスの増大が地球温暖化を招き、自然の生態系等に悪影響を及ぼすおそれがあることを背景に、大気中の温室効果ガスの濃度を安定化させることを目的とする条約で、1992年にリオ・デ・ジャネイロで開催された地球サミットで合意された。 - 経済産業省

The heat developable photosensitive material containing at least a photosensitive silver halide, a nonphotosensitive organic silver salt, a reducing agent a binder on one face of a supporting body, is characterized in that the concentration of chloride ion included on the same face is ≤1,000 ppm with respect to the organic silver salt, and a development accelerator is also included on the same face.例文帳に追加

支持体の同一面上に、少なくとも感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料において、該同一面上に含まれる塩化物イオン濃度が、該有機銀塩に対して1000ppm以下であり、かつ該同一面上に現像促進剤を含有することを特徴とする熱現像画像記録材料。 - 特許庁

例文

In an infrared light source wherein a filament is energized to generate heat and emit infrared rays, the filament with adjusted impurity concentration and electric conductivity is formed on a silicon substrate, and the silicon substrate is anodically joined on a ceramic substrate 10 having filled through-electrodes 11, and then the silicon substrate, except for the filament, is removed by etching to form the filament 13 on the ceramic substrate.例文帳に追加

フィラメントに通電して発熱させ赤外線を出射させる赤外線光源において、フィラメントを不純物濃度、導電率を調整しシリコン基板上に形成し、このシリコン基板を充填貫通電極11を有するセラミック基板10上に陽極接合し、フィラメント以外のシリコン基板をエッチング除去してセラミック基板上に前記フィラメント13を形成する。 - 特許庁

例文

A second conductivity type impurity region 13 functioning as a drain is formed on a semiconductor substrate 10, a first conductivity type semiconductor layer 30 having impurity concentration higher than that of the semiconductor substrate 10 is formed on the semiconductor substrate 10 and the second conductivity type impurity region 13, and a second conductivity type semiconductor layer 20 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 30.例文帳に追加

半導体基板10に、ドレインとして機能する第2導電型不純物領域13を形成し、半導体基板10上及び第2導電型不純物領域13上に、半導体基板10より不純物濃度が高い第1導電型半導体層30を形成し、第1導電型半導体層30上に第2導電型半導体層20を形成する。 - 特許庁

The transistor comprises a semiconductor substrate of first conductivity type, a collector layer of first conductivity type that is formed on the semiconductor substrate and is lower in impurity concentration than the semiconductor substrate, a base layer of second conductivity type that is formed on the collector layer, and emitter layer of first conductivity type that is formed on the base layer, and a conductivity film covering the sides of the collector layer and the base layer.例文帳に追加

第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上に形成され、半導体基板より不純物濃度が低い第1導電型のコレクタ層と、コレクタ層の上に形成される第2導電型のベース層と、ベース層の上に形成される第1導電型のエミッタ層と、コレクタ層及びベース層の側面を覆う導電性膜とを有することを特徴とする。 - 特許庁

An adhesive cell 13 selectively adhesively cultivated on the surface of a cell adhesive film pattern 12 on a substrate 11 is exposed to a cultivation solution dissolving a chemical substance to be tested for cytotoxicity, the camp concentration change within the adhesive cell is then measured for every cell by use of nondestructive method, and the toxicity of the chemical substance to be tested for cytotoxicity is quantitatively determined on the basis of the result.例文帳に追加

基板11上の細胞接着性膜パターン12表面上に選択的に接着培養し接着性細胞13を、被毒性試験化学物質を溶解した培養液中に一定時間暴露した後、その接着性細胞内のcAMP濃度変化を細胞毎に非破壊的手法を用いて計測し、その結果に基づき、被毒性試験化学物質の毒性を定量する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where an MOS transistor having a gate insulating film 15b and a capacitance element 17 having a capacitance insulating film 15a are formed on a semiconductor substrate 11, an isolation region 12 is formed on the semiconductor substrate 11 and then a lower electrode 13 of silicon having impurity concentration of about 1×10^19 cm^-3 or above is formed on the isolation region 12.例文帳に追加

半導体基板11に、ゲート絶縁膜15bを有するMOSトランジスタと、容量絶縁膜15aを有する容量素子17とを形成する半導体装置の製造方法は、半導体基板11に素子分離領域12を形成した後、素子分離領域12上に、不純物濃度が約1×10^19cm^-3以上のシリコンからなる下部電極13を形成する。 - 特許庁

When a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, whose impurity concentration is high than that of the first semiconductor layer, are formed on a semi-insulating substrate and the resistance element is formed on the second semiconductor layer, an electrode of the resistance element is formed on the region of the second semiconductor layer in which region the resistance element is to be formed, and the region is electrically isolated.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、第1の半導体層と、第1の半導体層より不純物濃度の高い第2の半導体層が形成され、この第2の半導体層上に抵抗素子を形成する場合、第2の半導体層の抵抗素子形成予定領域上に抵抗素子の電極を形成し、抵抗素子形成予定領域を電気的に分離する。 - 特許庁

The heat-developable photosensitive material containing at least a photosensitive silver halide, a non-photosensitive organic silver salt, a reducing agent and a binder on one face of a support, is characterized in that the concentration of chloride ions in all layers on the side comprising the photosensitive silver halide with respect to the support is600 ppm based on the weight of the organic silver salt and a specified compound is contained.例文帳に追加

支持体の一方面上に少なくとも感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料において、支持体に対して該感光性ハロゲン化銀を含む側の全層中の塩化物イオン濃度が、該有機銀塩の重量に対して600ppm以下であり、かつ特定の化合物を含有することを特徴とする熱現像感光材料。 - 特許庁

In the thermally developable photosensitive material comprising at least photosensitive silver halide, a non-photosensitive organic silver salt, a reducer and a binder on the same face of a support, it is characterized in that the concentration of chloride ions contained on the same face is600 ppm based on the weight of the organic silver salt and the reducer includes a compound of formula (I).例文帳に追加

支持体の同一面上に少なくとも感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料において、該同一面上に含まれる塩化物イオン濃度が、該有機銀塩の重量に対して600ppm以下であり、かつ該還元剤が下記一般式(I)で表される化合物を含有することを特徴とする熱現像感光材料。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11, an element isolation region 16 comprises: a first selective impurity introduction region 17 to introduce a first conductivity type impurity of a prescribed concentration; and a second selective impurity introduction region 18 to which a second conductivity type impurity of a prescribed impurity concentration lower than the first selective impurity introduction region 17 is introduced selectively.例文帳に追加

半導体基体11には、素子分離領域16が、所定の濃度をもって第1導電型不純物が導入された第1の選択的不純物導入領域17と、第1の選択的不純物導入領域17に比し低い所定の不純物濃度の第2導電型不純物が選択的に導入された第2の選択的不純物導入領域18とによって構成される。 - 特許庁

The method comprises the processes which include adding nicotinic acid, nicotinamide or a mixture thereof to a crawl or aquarium, where a gastropod adheres to its wall surface so as to obtain a 1-1,000 mg/L nicotinic acid concentration in the crawl or aquarium (where, with respect to nicotinamide, on the nicotinic acid concentration basis).例文帳に追加

壁面に腹足類が付着する生簀または水槽内に、ニコチン酸、ニコチン酸アミドまたはそれらの混合物を含有する腹足類の剥離剤を、該生簀または水槽内のニコチン酸濃度(但し、ニコチン酸アミドはニコチン酸換算濃度)が1〜1000mg/リットルになるように添加して、生簀または水槽の壁面に付着する腹足類を剥離させることを特徴とする腹足類の剥離方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

A working electrode is opposed to a reference electrode in the aqueous alkaline solution containing the boron hydride ion, a cation exchange membrane is arranged therebetween, a potential difference is measured between the both, a measured value therein is collated with an analytical curve prepared preliminarily based on known boron hydride ion concentrations to be converted into the boron hydride ion concentration in the aqueous solution, and the boron hydride ion concentration is measured thereby.例文帳に追加

水素化ホウ素イオン含有アルカリ水溶液中に作用電極と参照電極を対向して、かつカチオン交換膜を介して配置し、両者間の電位差を計測し、その計測値をあらかじめ既知の水素化ホウ素イオン濃度に基づいて作成した検量線と対比することにより上記水溶液中の水素化ホウ素イオン濃度に換算して水素化ホウ素イオン濃度を測定する。 - 特許庁

This measuring method of the oxygen concentration includes; a process for measuring respectively the intensity of fluorescence emitted from each fluorescence agent, when laser light corresponding to an excitation wavelength of each fluorescence agent is irradiated to atmospheric gas mixed with a plurality of kinds of fluorescence agents; and a process for determining the oxygen concentration in the atmospheric gas based on each measured intensity ratio of the fluorescence.例文帳に追加

複数の種類の蛍光剤を混合した雰囲気ガスに対し、各蛍光剤の励起波長に対応したレーザ光を照射したときに該蛍光剤により発せられる蛍光の強度をそれぞれ測定する工程と、前記測定されたそれぞれの蛍光の強度比に基づいて前記雰囲気ガス中の酸素濃度を求める工程と、を含むことを特徴とする酸素濃度の測定方法。 - 特許庁

When measuring the ice concentration in the ice water slurry under a flowing condition in a pipe, ultrasonic oscillators 6, 7 are attached to one side or both sides on a pipe line side face to transmit the ultrasonic waves toward the ice water slurry S by the ultrasonic oscillators, frontward diffraction or rearward diffraction is received, and reception signals thereof are computation-processed to calculate the ice concentration.例文帳に追加

管内を流動状態にある氷水スラリー中の氷濃度をリアルタイムに測定するに際し、超音波振動子6,7を管路側面の一方又は両方に取り付けて、同超音波振動子により氷水スラリーSに向けて超音波を送信するとともに、氷粒による超音波の前方散乱又は後方散乱を受信し、同受信信号を演算処理して氷濃度を算出する。 - 特許庁

A process for detecting a concentration of the index substance after organic impurity decomposing treatment carried out in the extract and a process for detecting a concentration of the index substance without the organic impurity decomposing treatment in the extract are carried out, and on the basis of a difference between the concentrations detected in both processes, performance of the ion exchange resin is evaluated.例文帳に追加

また、上記抽出液に有機性不純物分解処理を施した後に抽出液中に含まれる指標物質濃度を検出する工程と、抽出液に有機性不純物分解処理を施すことなく抽出液中に含まれる指標物質濃度を検出する工程とを行い、両工程で検出した指標物質濃度の差に基づいてイオン交換樹脂の性能評価を行う。 - 特許庁

Otherwise, when printing is carried out in the color mode, acquiring the number of printing pixels and judging whether or not it is a low image area from the mentioned number of printing pixels, detecting the toner concentration in a plurality of developing apparatuses by each corresponding toner concentration sensor, judging whether or not switching from the color mode to the monochrome mode is necessary based on each detected value and executing the switching when necessary.例文帳に追加

あるいは、カラーモードで印刷を行う場合に、印刷画素数を取得して、その印刷画素数から低画像面積かどうかを判定し、低画像面積(モノクロ印刷)の場合にのみ、複数の現像装置内のトナー濃度をそれぞれ対応するトナー濃度センサで検出し、その各検出値に基づいてカラーモードからモノクロモードへの切り替えが必要か否かを判定し、必要であればその切り替えを実行する。 - 特許庁

A base oil for lubricant oil is blended with a perbasic calcium sulfonate of different basicity under a condition that the total basicity is 280-500 mgKOH/g and the calcium concentration in terms of a calcium element based on the total amount is 280-3,000 mass ppm, and at least one orthophosphate selected from phosphates and acid phosphates under a condition that the phosphorus concentration is 50 mass ppm or more.例文帳に追加

潤滑油基油に、全塩基価が280〜500mgKOH/gで全体量に対するカルシウム元素換算でのカルシウム濃度として280〜3000質量ppmとなる条件で異なる塩基価の過塩基性カルシウムスルホネートと、リン濃度が50質量ppm以上となる条件でフォスフェート類およびアシッドフォスフェート類の少なくともいずれか1種の正リン酸フォスフェート類とを配合する。 - 特許庁

In the direct patterning waterless planographic printing plate precursor obtained by disposing at least a photosensitive layer and a silicone rubber layer in this order on a support, the silicone rubber layer is obtained by curing reaction of a vinyl-containing polysiloxane having 0.01-0.15 wt.% concentration of vinyl groups and a silicon compound having 0.7-2.0 wt.% concentration of hydrogen atoms bonding to silicon atoms.例文帳に追加

支持体上に少なくとも感光層、シリコーンゴム層をこの順序で設けた直描型水なし平版印刷版において、該シリコーンゴム層が、ビニル基濃度0.01〜0.15重量%のビニル基含有ポリシロキサンとケイ素原子結合水素原子の濃度が0.7〜2.0重量%であるケイ素化合物とを硬化反応させて得られるものであることを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 - 特許庁

This controlling device of a low-NOx combustor for gas turbine includes measuring sections 9a to 9d placed on an air passage 5 communicating with a combustion chamber 2 for measuring an excess air ratio or steam concentration and provides fuel-air mixture having the right excess air ratio or the steam concentration to the combustion chamber 2, which prevents backfire, blow off and an increase in NOx of an combustor 1.例文帳に追加

燃焼室2に連通する空気流路5に空気過剰率または蒸気濃度を計測する計測部9a〜9dを設け、燃焼室2に適正な空気過剰率または蒸気濃度の混合気を供給することにより、燃焼器1の逆火、吹き消え、NOxの上昇などを防止するようにした動力発生装置としてのガスタービン用低NOx燃焼器の制御装置を提供する。 - 特許庁

The method enables the reduction of the concentration of carbon monoxide over a long period of time by using a catalyst that supports at least Ru on a carrier composed of an inorganic oxide containing at least one kind selected from alumina, silica, zirconia and titania, and by reversing the flow direction of the raw material gas at the time when the concentration of carbon monoxide in the produced gas has become 10 ppm by volume or higher.例文帳に追加

触媒としてアルミナ、シリカ、ジルコニアおよびチタニアから選ばれる少なくとも1種を含む無機酸化物からなる担体に少なくともRuを担持した触媒を用い、かつ生成ガス中の一酸化炭素濃度が10volppm以上になった時点で、原料ガスの流通方向を逆転させることにより、長期に渡って一酸化炭素濃度を低減することが可能となった。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is constituted by forming a completely depleted MISFET transistor using an SOI layer and can set a threshold to a specified value while the sensitivity threshold to the fluctuation of the film thickness of the SOI layer is roughly maintained at the minimum value even when the impurity concentration in the channel region of a MISFET fluctuates by changing the back gate voltage depending on the impurity concentration.例文帳に追加

SOI層を用いた完全空乏化MISFETトランジスタを形成してなる半導体装置において、MIFSETのチャネル不純物濃度に依存して、バックゲート電圧を変化させることによって、不純物濃度が変動しても、SOI膜厚バラツキに対するしきい値感度をほぼ極小に保ったままで、しきい値を規定する値にできるようにする半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Assuming another MISFET which is provided with a substrate having impurity concentration C and composed of the same material as that of the substrate 1, and an insulation film composed of SiON only formed on the channel region; the impurity concentration C of the channel region 20 is so established that the maximum of electron mobility in the channel 20 region is higher than the maximum of electron mobility in the channel region.例文帳に追加

不純物濃度Cのチャネル領域を有し、基板1と同一の材質よりなる基板と、チャネル領域上に形成されたSiONのみよりなる絶縁膜とを備える別のMISFETを想定し、チャネル領域における電子の移動度の最大値よりもチャネル領域20における電子の移動度の最大値が高くなるように、チャネル領域20の不純物濃度Cが設定されている。 - 特許庁

To provide an image forming device which provides an excellent image without having surface staining at the start of image forming by preventing the toner concentration of developer from partially increasing on a developer carrier when attaching a developing device to a device main body.例文帳に追加

現像装置を装置本体へ装着した際、現像剤担持体上で現像剤のトナー濃度が部分的に上昇することを防止し、画像形成開始時に地汚れのない良好な画像を得ることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In this constitution, electric potentials of the control gates 8 are adjusted so that a current IDS between the source domain 3 and the drain domain 4 becomes constant, and thereby the concentration of charged particles can be determined based on the electric potentials of the control gates 8.例文帳に追加

このような構成において、ソース領域3とドレイン領域4との間の電流I_DSが一定となるようにコントロールゲート8の電位を調整すれば、コントロールゲート8の電位に基づいて帯電粒子の濃度を求めることができる。 - 特許庁

The control device determines valve opening/closing timing (target valve opening/closing timing) of an intake valve and/or an exhaust valve based on operation parameters including concentration of alcohol contained in the fuel, and atomizes fuel by gas blown back to an intake air passage.例文帳に追加

制御装置は、燃料に含まれるアルコールの濃度を含む運転パラメータに基づいて吸気弁及び/又は排気弁の弁開閉時期(目標弁開閉時期)を決定し、吸気通路へ吹き返されるガスによって燃料を微粒化する。 - 特許庁

A color thermal recording paper is irradiated with spectral light from a spectral irradiation device as long as a fixed time, and then the color thermal recording paper is set on a color thermal printer, and heated by a thermal head with heat energy capable of coloring an yellow thermal coloring layer up to the maximum concentration.例文帳に追加

カラー感熱記録紙に分光照射器からの分光光を一定時間だけ照射した後、カラー感熱記録紙をカラー感熱プリンタにセットし、サーマルヘッドによりイエロー感熱発色層が最高濃度に発色し得る熱エネルギーで加熱する。 - 特許庁

After the silicon substrate is rinsed with an extrapure water for 5 minutes, the silicon substrate 1 is immersed in a perchloric acid water solution of 72.4 vol% concentration heated at 203°C for 37 minutes, to form a silicon oxide film 5 on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板1を超純水で5分間リンス(洗浄)した後、このシリコン基板1を、203℃に加熱した濃度72.4vol.%の過塩素酸水溶液8に37分間浸漬し、シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜5を形成する。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the hetero-junction bipolar transistor that is provided with at least a collector layer 4, a base layer 5, an emitter layer 6, and an emitter contact layer 7 on a compound semiconductor substrate 2, the emitter contact layer 7 is doped with carbon at a specified concentration.例文帳に追加

化合物半導体基板2上に、少なくともコレクタ層4,ベース層5,エミッタ層6,エミッタコンタクト層7を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記エミッタコンタクト層7に所定濃度の炭素をドーピングする。 - 特許庁

The silicon substrate for epitaxial wafer on the surface of which an epitaxial film is formed includes boron of 10^18 atoms/cm^3 or more and further includes tin of 0.1 to 1.0×[BX] atoms/cm^3 relative to the boron concentration [BX].例文帳に追加

表面にエピタキシャル膜が形成されるエピタキシャルウェーハ用シリコン基板であって、ボロンを10^18atoms/cm^3以上含有し、かつ、このボロン濃度[BX]に対して0.1〜1.0×[BX]atoms/cm^3のスズを含有するエピタキシャルウェーハ用シリコン基板である。 - 特許庁

Related to manufacturing a resist coat wherein a liquid resist 4 coated on the surface of a conductor pattern 3 is exposed, developed with alkali, rinsed, dried, and then thermo-set, a Ca ion concentration of a washing liquid after development with alkali is 17-20 mg/L.例文帳に追加

導体パターン3の表面に塗布した液体レジスト4を露光し、アルカリ現像・水洗・乾燥をした後、熱硬化するレジスト被膜の製造方法において、アルカリ現像後の水洗用液のCaイオン濃度を17〜20mg/Lにした。 - 特許庁

In a coding program 4, a view image generating section 42 allows a binary threshold to vary depending on the concentration of a pixel value within a predetermined range for input multivalue image to apply binarization processing to the multivalue image, thereby generating a binary image for viewing.例文帳に追加

符号化プログラム4において、閲覧画像生成部42は、入力された多値画像につき、所定の範囲内の画素値の濃度に応じて、2値化のしきい値を変動させて、多値画像に対して2値化処理を施し、2値画像を生成する。 - 特許庁

A cover member 2d forming a urea solution introduction route having both open ends so as to enclose the metal fins 21c, 22c, and an enclosing body 2e having circulation holes 26, 27 formed on upper and lower end face plates 2e1, 2e2 are attached to the concentration discrimination sensor part 2.例文帳に追加

濃度識別センサー部2には、金属フィン21c,22cを囲むように両端開放の尿素溶液導入路を形成するカバー部材2d、及び上下端面板2e1,2e2に流通孔26,27を形成した包囲体2eが付設されている。 - 特許庁

To efficiency lower the concentration of discharge products, such as ozone and NOX, which can be generated even when an ion generator capable of discharging electricity with the voltage smaller than that of a corona charger is used for an image carrying member destaticizer for destaticizing the residual charges on an image carrying member.例文帳に追加

コロナチャージャよりも小電圧で放電可能なイオン発生装置を像担持体上の残留電荷除電用の像担持体除電装置に用いた場合でも生じ得るオゾン、NO_X等の放電生成物の濃度を効率良く低減させる。 - 特許庁

In the grain-oriented silicon steel plate manufacturing method, treatment is performed under a condition that Si concentration on a surface of the steel plate in the heating zone at 800°C is 15-30 mol.% in a decarburization-annealing step of the grain-oriented silicon steel plate.例文帳に追加

一方向性電磁鋼板の脱炭焼鈍工程において、昇温帯の800℃での該鋼板表面のSi濃度が15〜30mol%となる条件で処理を行うことを特徴とする一方向性電磁鋼板の絶縁被膜形成方法。 - 特許庁

To enable various steam annealing processings, depending on purposes by significantly expanding the control scope of steam concentration in a processing atmosphere, and to enable safe steam supply to a processing chamber, even when the processing chamber becomes high in pressure.例文帳に追加

処理雰囲気における水蒸気濃度の制御範囲を大幅に拡大することにより目的に応じて種々の水蒸気アニール処理を可能とする共に、処理室が高圧となる場合でも処理室への安全な水蒸気供給を可能とする。 - 特許庁

A humidity tile applying primer to the rear side and sticking the tile on the construction face with an adhesive applies the concentration adjusted primer thereto so that adhesive strength between the rear side of the tile and adhesive becomes 12 kgf/cm2.例文帳に追加

裏面にプライマーを塗布したタイルであって、接着剤により施工面に張付け施工される調湿タイルにおいて、該タイル裏面と接着剤との接着強度が3〜12kgf/cm^2となるように濃度調整したプライマーを塗布した調湿タイル。 - 特許庁

This is an electrode for the gel electrolyte battery in which the electrode active material layer on a current collector has a concentration gradient of the electrolyte salt as it goes from the surface of the electrode active material layer toward the current collector side, thereby achieving the objective.例文帳に追加

集電体上の電極活物質層において、前記電極活物質層表面から集電体側に向かって電解質塩の濃度勾配を有することを特徴とするゲル電解質電池用電極により、上記課題は解決される。 - 特許庁

This coated film has a metallic coated film layer 4 containing 1-14% brightening pigment consisting of the crushed pieces of vapor deposited metal film based on pigment weight concentration, and 11-50 wt.% binder resin consisting mainly of a chain state polymer as a resin solid portion.例文帳に追加

蒸着金属膜の粉砕片からなる光輝性顔料を顔料重量濃度で1〜14%含み、鎖状高分子を主成分とするバインダー樹脂を樹脂固形分で11〜50重量%含むメタリック塗膜層4を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device by which transition of a peroxomonosulfuric acid concentration in a process tank is preliminarily detected and an appropriate process time can be set for the purpose of eliminating an organic substance on a substrate using the detection result as an index.例文帳に追加

処理槽内のペルオキソ一硫酸酸濃度の推移を予め検出し、その検出結果を指標として基板上の有機物を除去するための適正な処理時間を設定することを可能にした電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for preventing the above-mentioned putrefactive odor comprises adding a 3-15%, preferably 5-10% aqueous solution of 2-bromo-2-nitro-1,3-propanediol to marine organisms so as to be 10-1,000 ppm in its concentration based on the marine organisms.例文帳に追加

2−ブロモ−2−ニトロ−1,3−プロパンジオールの3〜15%の水溶液、好ましくは5〜10%の水溶液を、海棲生物に対して2−ブロモ−2−ニトロ−1,3−プロパンジオールとして10〜1000ppmの濃度となるように添加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the surface area of a conductive part of solder is increased while suppressing the concentration of a stress to a solder part on the ball surface when a semiconductor chip is bonded to a substrate through a ball, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

ボールによって基板に半導体チップを接合する際にボール表面のハンダ部分に応力が集中するのを抑制すると共に、ハンダの導通部分の表面積を増加させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The printing-surface-forming paint is such that the diameter of the fixed ink is within the range of 60-100 μm when a dot of an aqueous ink having a colorant concentration of 5.5 mass% and a volume of 17 pl is jetted and fixed on the printing surface formed using it.例文帳に追加

被印刷面形成塗料は、それを用いて形成される被印刷面に顔料含有濃度が5.5質量%で体積が17plである水性インクの1ドットが吐着したときに、吐着インクの径が60〜100μmの範囲内にある。 - 特許庁




  
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