「concentration cap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This nitride semiconductor laser is provided with a stress concentration suppressing layer between an active layer and a cap layer.例文帳に追加

活性層とキャップ層との間に応力集中抑制層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。 - 特許庁

Then, a high concentration source region 7b is formed by implanting arsenic ion taking the side cap film 6 as a mask.例文帳に追加

次に、このサイドキャップ膜６をマスクとして、ヒ素イオンをイオン注入することで、高濃度のソース領域７ｂを形成する。 - 特許庁

In particular, the hydrogen concentration of the cap film provided for the semiconductor substrate is set greater than or equal to the irradiation amount of the hydrogen ions.例文帳に追加

特に、半導体基板に形成するキャップ膜の水素濃度は水素イオンの照射量以上とすればよい。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an SiGe cap layer 23, an Si cap layer 24 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 24 and the SiGe cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、ＳｉＧｅキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２４と、Ｓｉキャップ層２４及びＳｉＧｅキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁

The difference between the concentration of the second conductivity impurities within the cap layer 4 and the concentration of the first conductivity impurities is higher than the concentration of the of the second conductivity impurities in one part at least on board 1 side within the light absorbing layer 3.例文帳に追加

キャップ層内の第２導電型不純物の濃度と第１導電型不純物の濃度との差が、光吸収層内の少なくとも基板側の一部分における第２導電型不純物の濃度よりも高い。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

To provide a concentration joint cap and a protective method of a concentration joint part, capable of flexibly wiring an electric wire, and capable of easily coping with an electric wire bundle of a different diameter.例文帳に追加

電線を柔軟に配索することが可能であるとともに、異なる径の電線束にも容易に対応できる集中ジョイントキャップ、及び集中ジョイント部の保護方法を提供する。 - 特許庁

It is possible to keep the width of the low concentration source region 7a wide also after thermal diffusion in order to secure the low concentration source region 7a before the thermal diffusion corresponding to the width of the side cap film 6.例文帳に追加

サイドキャップ膜６の幅の分、低濃度のソース領域７aを熱拡散前に確保するため、熱拡散後も低濃度のソース領域７ａの幅を広く維持することができる。 - 特許庁

A concentration joint cap 10 is arranged to protect a concentration joint portion 56 in which coatings 54 of ends of plural bound electric wires 53 are removed and conductors 55 are mutually jointed.例文帳に追加

集中ジョイントキャップ１０は、束ねられた複数の電線５３の端部の被覆５４を除去して導体５５を相互に接合した集中ジョイント部５６を保護するように構成されている。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁

This concentration joint cap 10 is constituted so as to protect the concentration joint part 66 of mutually joining a conductor 65 by removing a covering 64 of an end part of a plurality of bundled electric wires 63.例文帳に追加

集中ジョイントキャップ１０は、束ねられた複数の電線６３の端部の被覆６４を除去して導体６５を相互に接合した集中ジョイント部６６を保護するように構成されている。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an Si cap layer 23 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、Ｓｉキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁

To moderate stress concentration around a corner of a crank cap installation recess part of a cylinder block.例文帳に追加

シリンダブロックのクランクキャップ装着凹部のコーナー周辺部の応力集中を緩和することができる、シリンダブロックとクランクキャップとの組み付け部の構造の提供。 - 特許庁

To provide an oxygen-absorbing plastic cap which prevents oxygen from entering from the outside of the cap of a container, a wide-mouthed container in particular, and also has a function of absorbing and eliminating the oxygen remaining in a hermetic container to a low concentration.例文帳に追加

容器、特に広口容器のキャップ外部からの酸素の侵入を防ぐとともに、密封容器内に残存する酸素を低濃度まで吸収除去する機能を有する酸素吸収プラスチック製キャップを提供する。 - 特許庁

When installing the filler cap, since the evaporated fuel concentration in purge gas suddenly reduces, a determination is made on the basis of a change in the evaporated fuel concentration in the purge gas when stopping a vehicle (S116, S125, and S126).例文帳に追加

フィラーキャップが取り付けられると、パージガス中の蒸発燃料濃度が急激に低下することから、車両停止時におけるパージガス中の蒸発燃料濃度の変化に基づいて判定される（Ｓ１１６，Ｓ１２５，Ｓ１２６）。 - 特許庁

Accordingly, even if the surface inside the metal cap is oxidized, since oxygen is supplied via the through-hole 24, decrease in detection accuracy can be prevented, by restraining a decrease in oxygen concentration in space in the metal cap for restraining changes in the characteristics of the thermistor.例文帳に追加

よって、金属キャップの内面が酸化しても、貫通孔２４を介して酸素が供給されるので、金属キャップ内の空間の酸素濃度の低下を抑制してサーミスタの特性変化を抑え、検出精度の低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a hollow fiber module which has a simple structure and the cap member of which can be welded/fixed surely by facilitating the concentration of ultrasonic vibration energy.例文帳に追加

簡単な構造で超音波振動エネルギーの集中を容易ならしめ、キャップ部材を確実に溶着固定することができる中空糸型モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a cap-frame setting frame that rotatably supports a rotary frame on a base frame, prevents a load concentration on a support part and smoothly rotates the rotary frame.例文帳に追加

ベースフレームに対して回動フレームを回動可能に支持するものにあって、支持部分における荷重の集中を防止し、回動フレームのスムーズな回動を可能とする。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, a strained SiGe layer 16 having germanium concentration of about 20%-40% and a silicon cap layer 18 are formed by epitaxial growth, and then a gate oxide layer and a first polysilicon layer 22 are grown on the silicon cap layer 18.例文帳に追加

シリコン基板１０上に約２０％〜４０％のゲルマニウム濃度を有する歪ＳｉＧｅ層１６およびシリコンキャップ層１８をエピタキシャル成長によって形成し、シリコンキャップ層１８上にゲート酸化物層および第１のポリシリコン層２２を成長させる。 - 特許庁

In this concentration joint cap 10, a resin belt-like material 11 constitutes a cylindrical body 12 by being spirally wound while forming a partially overlapping overlap part in the width direction.例文帳に追加

この集中ジョイントキャップ１０において、樹脂製の帯状材１１が、幅方向に一部重なり合う重なり部を形成しながら螺旋状に巻かれて筒体１２を構成している。 - 特許庁

The layer structure LS includes an antireflection film 2, an n-type (first conduction type) high concentration carrier layer 3, an n-type optical absorption layer 5 and an n-type cap layer 7, which are sequentially laminated.例文帳に追加

層構造体ＬＳは、順次積層された、反射防止膜２、ｎ型（第一導電型）の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５及びｎ型のキャップ層７を含む。 - 特許庁

When the gas discharge port 4 is held in the mouth and the cap 10 is pressurized from the outside of the tube part 2, the air 7 containing the high concentration oxygen is jetted into the mouth of the user of the inhaler main body 1.例文帳に追加

気体吐出口４を口にくわえて管部２の外部からキャップ１０を押圧すると吸入器本体１の使用者の口内に高濃度酸素含有空気７が噴出する。 - 特許庁

The front surfaces of a boat 21, an outer tube 13, an inner tube 12, a base 20a on a seal cap 20, and a heat shielding cap 26 or the like as the quartz components used in a CVD apparatus 10, are previously removed in the length of 1 μm or longer with the HF aqueous solution in the concentration of 1 to 50%.例文帳に追加

ＣＶＤ装置１０に使用される石英部品としてのボート２１、アウタチューブ１３、インナチューブ１２、シールキャップ２０上のベース２０ａおよび断熱キャップ部２６等の表層部分を１μｍ以上、濃度が１〜５０％のＨＦ水溶液で予め除去する。 - 特許庁

This cap made of a fabric with water-absorbing property and covering completely from the head to the shoulder can mitigate the burning of the face and improve the concentration in the sauna by shutting out a wearer from the gaze of others.例文帳に追加

吸水性のある生地で作った肩上までのキャップを頭からすっぽり被ることにより顔の火照りを和らげると共に人の視線をシャットアウトすることによりサウナへの集中を促す。 - 特許庁

Therefore, a welding part of the bottomed cylindrical part 120 and the cap 122 becomes far away from a boundary part of the bottom wall 134 to be a portion in which stress concentration is generated when the piston 14 is used and the large diameter part 136.例文帳に追加

したがって、有底円筒状部１２０とキャップ１２２との溶接部が、ピストン使用時に応力集中が発生する部分である底壁１３４と大径部１３６との境界部から遠くなる。 - 特許庁

In the environment where the moisture/oxygen concentration is controlled, the glass substrate which has the EL element and the corresponding glass cap plate are first provided, and an edge adhesive is coated on the outer peripheral position corresponding to each light emitting element on the substrate on the cap plate, and an opening is installed beforehand on the side face which does not have a circuit of light emitting element outer periphery.例文帳に追加

水分・酸素濃度が制御された環境で、まず先にＥＬ素子を有するガラス基板と、対応するガラス蓋板を提供して、蓋板上で基板上の各発光素子に対応する外周位置に縁接着剤を塗布して、発光素子外周の回路を有さない側面に予め開口を設ける。 - 特許庁

The light absorbing layer 3 and the cap layer 4 under the third region surrounding the second region are of the second conductivity, and the distribution of the impurity concentration in its thickness direction is roughly equal to that under the first region.例文帳に追加

第２の領域を取り囲む第３の領域の下方の光吸収層及びキャップ層が第２導電型とされ、その厚さ方向に関する不純物濃度分布が第１の領域の下方におけるそれとほぼ等しい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a halo region having an appropriate concentration profile on a transistor in which a cap film on a gate electrode is thick and a space ratio aspect between adjacent transistors is large.例文帳に追加

ゲート電極上のキャップ膜が厚く、隣接するトランジスタ間の空間のアスペクト比が大きいトランジスタに、適切な濃度プロファイルを有するハロー領域を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Wherein, a CO_2 concentration sensor 4 is set in the cultivation room A and is connected to an open air inlet 5 in the air conditioning room B and an exhaust hole 6 (having a cap 7 or a dumper) is set at the lower part of the cultivation room A.例文帳に追加

またその際に、栽培室Ａの内部にＣＯ_２濃度センサー４を設けてこれを空調室Ｂにおける外気導入装置５に接続するとともに、栽培室Ａの下部に（蓋７或いはダンバー付きの）排気口６を設ける。 - 特許庁

When a cap layer is formed, two or more metal targets 14a, 15a are prepared along a run system 11, and it is desirable to establish the temperature of the IBAD substrate 7 and the oxygen concentration of a gas introduced into a deposition space in a predetermined range.例文帳に追加

キャップ層を形成する際には、走行系１１に沿って複数の金属ターゲット１４ａ、１５ａを配設し、ＩＢＡＤ基材７の温度及び成膜空間に導入するガスの酸素濃度を所定の範囲に設定するのが好ましい。 - 特許庁

A lubricant discharge aperture is provided in the nut 11 or a seal cap 15 and the oil content, and the iron powder concentration of the lubricant discharged outside the nut 11 from this lubricant discharge aperture are measured with an oil content meter 26 and an iron powder densitometer 27.例文帳に追加

ナット１１またはシールキャップ１５に潤滑剤排出孔を設け、この潤滑剤排出孔からナット１１の外部に排出された潤滑剤の油分率や鉄粉濃度を油分率計２６及び鉄粉濃度計２７で計測するようにした。 - 特許庁

In a self-oscillating type semiconductor laser, having an active layer 104 which has a non-current injection region (at the mesa side) functioning as a saturable absorptive region, a p-side clad layer 105 is set undoped in a first crystal growing stage, and a p-type cap layer 109 is doped to high concentration.例文帳に追加

活性層１０４の電流非注入領域（メサ脇）が可飽和吸収領域として機能する自励発振型半導体レーザにおいて、１回目の結晶成長時にｐ側のクラッド層１０５をアンドープとし、ｐ型キャップ層１０９を高濃度ドープとする。 - 特許庁

When carrying out humidifying maintenance, humid air is supplied in the discharge space formed between an ejection surface and a support surface until the ink concentration or the viscosity of the discharge port becomes less than a proper value while a protrusion of the cap is made to touch the support surface of the conveyor belt (S102, S103).例文帳に追加

加湿メンテナンスを行う場合、キャップの突出部を搬送ベルトの支持面に当接させた状態で、吐出口のインク濃度又は粘度が適正値未満となるまで、吐出面と支持面との間に形成された吐出空間内に加湿空気を供給する（Ｓ１０２、Ｓ１０３）。 - 特許庁

The vertical power MOSFET 1 is provided with gate electrode layers 3a and 3b, that are formed inside a trench and have specified concentration and cap oxidized layers 2a and 2b that cover the gate electrode layers 3a and 3b, and of which the impurity concentrations are lower than those of the gate electrode layers 3a and 3b.例文帳に追加

本発明の縦型パワーＭＯＳＦＥＴ１は、トレンチ内部に形成された所定の不純物濃度を有するゲート電極層３ａ，３ｂと、ゲート電極層３ａ，３ｂを絶縁被覆し、ゲート電極層３ａ，３ｂの不純物濃度よりも低い不純物濃度であるキャップ酸化層２ａ，２ｂとを有する。 - 特許庁

The layer 30 also has a heavily doped n-type Si body area 22, n--type Si area 23, SiGe channel area 24 containing an n-type impurity at a low concentration, lightly doped n-type Si cap layer 25, and contact 26 which is a conductor member connecting a gate electrode 17 to the Si body area 22.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型Ｓｉボディ領域２２と、ｎ^- Ｓｉ領域２３と、低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４と、低濃度のｎ型Ｓｉキャップ層２５と、ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６とが設けられている。 - 特許庁

To provide a cap for a hermetic seal in which a heat-resistant temperature of a brazing material is raised by raising the Ag concentration of an Sn-Ag brazing material, and, on the other hand, coarsening of an intermetallic compound phase which causes an airtight failure is suppressed, and which has rare occurrence of airtight failure without using an expensive Au or Pb having an environmental influence.例文帳に追加

Ｓｎ−Ａｇ系ろう材のＡｇ濃度を高めることによって、ろう材の耐熱温度を高め、その一方で気密不良の原因となる金属間化合物相の粗大化を抑制し、高価なＡｕや環境影響のあるＰｂを使用することなく、気密不良の発生が低いハーメチックシール用キャップを提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。 - 特許庁