例文 (413件) |
corrosion processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 413件
In a chemical mechanical polishing process for a semiconductor device comprising a barrier layer containing manganese and manganese alloy on the surface, conductive metal wirings and an insulating layer, a polishing liquid is for polishing mainly the barrier layer containing manganese and manganese alloy and the insulating layer, and contains colloidal silica particles having a surface indicating a positive ζ potential, a corrosion inhibitor and an oxidizer.例文帳に追加
表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と、導電性金属配線と、絶縁層とを有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、主としてマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層とを研磨するための研磨液であって、表面が正のζ電位を示すコロイダルシリカ粒子と、腐食抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨液である。 - 特許庁
To provide a mirror, which has outstanding machining properties in cutting and chamfering and so on, which also manifests outstanding chemical resistance and corrosion resistance under various conceivable conditions of usage in a normal environment, and further in which environmental issues are resolved in that a coating composition for forming a back coating film does not include an organic solvent, and also to provide a process for producing the mirror.例文帳に追加
切断、面取り等において優れた加工性を有するほか、通常の環境下で考えられる様々な使用条件下において優れた耐薬品性や耐食性、特にキャス試験において優れた性能を発揮し、しかも、裏止め塗膜を形成するための塗料組成物が有機溶剤を含まない環境問題をクリアした鏡及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide ceramics for a plasma treatment apparatus capable of being preferably used for a construction member of plasma treatment apparatuses for fabricating a semiconductor-liquid crystal or the like, wherein corrosion resistance against halogen-based gases or their plasma or the like is excellent, a reduction of resistance can be attained, and an impurity metal contamination caused by the component raw material of the ceramics can be suppressed even in a halogen plasma process.例文帳に追加
ハロゲン系ガスまたはそれらのプラズマ等に対する耐食性に優れ、低抵抗化が図られ、かつ、ハロゲンプラズマプロセスでも、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができ、半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置の構成部材に好適に使用することができるプラズマ処理装置用セラミックスを提供する。 - 特許庁
In the display device, a prescribed element is added to an Al matrix for achieving direct contact with the aluminum alloy thin film and the transparent electrode and an element forming and depositing an intermetallic compound between the element and Ni, Ag, Zn and Co in aluminum is added for achieving stable contact with the transparent electrode even in a low temperature process of 300°C or lower and for improving corrosion resistance.例文帳に追加
アルミニウム合金薄膜と透明電極との直接コンタクトを可能にするために、Alマトリクス中に、所定の元素を添加するとともに、300℃以下の低温プロセスにおいても透明電極との安定コンタクトを実現し、耐食性を改善するために、アルミニウム中でNi、Ag、Zn、Coとの間に金属間化合物を形成・析出する元素を添加する。 - 特許庁
To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加
実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a washing method of semiconductor substrate for enabling delicate washing process, only with simplified dillution by water in accordance with the size of wiring width and amount of deposition, of the semiconductor substrates in different sizes of the wiring width having excellent deposition peeling property and corrosion-proof characteristic of wires, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor substrate or semiconductor element utilizing the same washing method.例文帳に追加
配線幅のサイズやデポの量に併せて簡便に水にて希釈するだけで、デポ剥離性及び配線防食性に優れ、かつ配線幅のサイズの異なる半導体基板をきめ細やかに洗浄処理することが可能な半導体基板の洗浄方法、該洗浄方法を用いる半導体基板又は半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a conductor wire further prevented from progress of corrosion, hardly receiving damage and becoming dusty during preservation, hardly affected by the minute surface scratches received at the drawing process of the conductor material, and to provide an excellent insulating wire resistant against corona discharge, hardly generating dielectric breakdown, with a long insulation life, and further provide an electric coil and cable formed by this.例文帳に追加
導体線の腐食進行をより一層防止し、該導体線の保存時に受ける傷やほこりがつきにくく、導体材料の伸線工程で受ける微小な表面傷の悪影響が出にくい導体線を提供し、また、コロナ放電に強く、絶縁破壊が生じにくく、絶縁寿命が長い優れた絶縁電線とこれにより形成される電気コイルおよびケーブルを提供する。 - 特許庁
The surface nitriding treatment method of the steel material using the molten salt electrochemical process is provided by which a nitride layer materializing increased hardness and wear resistance of the steel material surface and having excellent corrosion resistance is formed by using a low melting point alkali halide for an electrolytic bath and enabling nitridation to be performed at a low temperature region of preferably ≤415°C, more preferably ≤315°C.例文帳に追加
溶融塩電気化学プロセスを用いた鋼材の表面窒化処理方法において、電解浴に低融点のアルカリハライドを使用し、好ましくは415℃以下、より好ましくは315℃以下の低温領域での窒化処理を可能化することにより、鋼材表面の硬度アップ、耐磨耗性向上等を実現しながら、耐食性に優れた窒化物層を形成することができる鋼材の表面窒化処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of cleaning a used jig, capable of efficiently removing only deposits while suppressing corrosion of the surface of a base material, applicable to cleaning of a jig made of a member such as ceramics and not using hydrofluoric acid extremely harmful to a human body and superior in cost benefit and safety in the jig to be used in a semiconductor element manufacturing process and is made of a quartz member.例文帳に追加
半導体素子製造工程で用いられる石英部材からなる治具において、基材表面の腐食を抑えつつ付着物のみを効率的に除去可能であり、且つセラミックス等の部材からなる治具の洗浄にも適用可能な、人体に非常に有害なフッ化水素酸そのものを使用しない、経済的且つ安全性に優れる、使用済み治具の洗浄方法を提供する。 - 特許庁
By carrying out a process in which the surface of a stainless material 21' is dipped into nitrate liquid 31, dirt adhering on the surface of the stainless material 21', an oxide film produced by nitriding or the like are removed so as to form a passive film to improve corrosion resistance by simple work and to completely prevent conventional peeling phenomenon of a layer of a mill scale.例文帳に追加
窒化処理後におけるステンレス素材21’の表面を硝酸液31内に浸す工程を行うことによって、ステンレス素材21’表面上に付着している汚れや、窒化処理によって生成された酸化被膜などを除去して不働態被膜を形成し、簡易な作業で耐食性の向上を図るとともに、従来のような黒皮層の剥離現象を完全に防止するようにしたもの。 - 特許庁
To provide a method for returning wear resistance and durability of a semiconductor manufacturing device, especially various semiconductor manufacturing devices used in a dry process and a movable part member of constituent members thereof to their initial state or further improving them, by repairing and recovering a surface thereof readily when they wear because of corrosion and erosion wear due to halogen and halogenated compound gas.例文帳に追加
本発明の目的は、半導体製造装置、とくにドライプロセスにおいて使用されている各種の半導体製造装置およびその構成部材のうち可動部部材が、ハロゲンやハロゲン化合物のガスによる腐食とエロージョン摩耗によって減肉した場合に、その表面を簡便に補修して復元させることにより、これらの耐摩耗性、耐久性を初期状態に戻すかさらに向上させるための方法を提案する。 - 特許庁
To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加
実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To improve low temperature gas carburization processes to achieve faster, more economical operation though it can achieve hardened stainless steel products with superior corrosion resistance, and to provide a modified low temperature gas carburization process for case hardening stainless steel and other ferrous-based materials which allows faster carburization than possible in the past and thereby reduces the overall cost of such procedures.例文帳に追加
低温ガス浸炭方法は優れた耐食性を有し硬化されたステンレス鋼製品を達成できるが、かかる過程をより迅速、より経済的な運転を達成できるように、この方法を改良すること、および従来可能であったよりも迅速に浸炭ができ、これによりこの手順の総費用を減らし得るステンレス鋼及びその他の鉄ベース材料の表面硬化のための改良された低温ガス浸炭方法を提供すること。 - 特許庁
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