「deposition condition」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a synthesis gas which can rapidly vanish 2C or higher hydrocarbons by a reaction using one and the same reactor having a simple structure and in a simple operational condition without causing a carbon deposition by the thermal decomposition of the 2C or higher hydrocarbons in the initial step of introducing the raw gas into the reactor.例文帳に追加

１つの同一のリアクターを用い、簡易な構造かつ簡易な操作条件で、リアクターへの原料ガス導入初期段階でＣ２以上の炭化水素が熱分解による炭素析出を起こさずに、Ｃ２以上の炭化水素を速やかに反応により消失させることができる合成ガスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide, by a simple process, a heat resistant multilayered metallic tube in which the performances are improved of a heat resistant metallic tube used under the condition where the precipitation and deposition of carbon and carburization easily occur because of its contact with hydrocarbons at high temperatures such as an ethylene tube of a naphtha cracker, and which has excellent coking resistance, and thus has satisfactory carburization resistance.例文帳に追加

ナフサクラッカーのエチレン管のような、高温で炭化水素と接触するため、炭素の析出・堆積や浸炭が生じやすい条件下に使用する耐熱金属管の性能を向上させ、耐コーキング性にすぐれ、従って耐浸炭性も良好な耐熱多層金属管を、簡単な工程で実現して提供すること。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

With the well-balanced bending and deformation of the dish spring 142, an annular portion located on the periphery of the protrusion 146 of the central portion of the dish spring 142 with contacts a contact member 130 to provide a wide contact area, assuring a good condition of continuity even when there is, for example, deposition of minute dust particles.例文帳に追加

また、皿バネ部１４２のバランスのよい屈曲変形により、皿バネ部１４２の中央部の突起部１４６の周辺部分に位置する円環状の部分が、接点部材１３０に接触することから、広い接触面積を得ることができるため、例えば微小な埃等の付着があった場合でも、良好な導通状態を確実に得ることができる。 - 特許庁

To provide a rain cover device for a car for preventing deposition of rain drops and snow on a windshield for the car in a rainy and snowy condition by fixing a plurality of plates to a supporting bar so that the plurality of plates are vertically arranged with a spacing in the horizontal direction, and installing a magnet in front of the windshield for the car outside the car.例文帳に追加

この発明は、複数の板がそれぞれ水平方向で間隔をあけて上下に配置されるようにして前記複数の板を支持棒に固定し、マグネットで自動車外側の自動車用フロントガラス前に設置し、雨天時及び降雪時に、自動車用フロントガラスに雨粒や雪が付着するのを防ぐ自動車用雨よけ装置である。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a thin film consisting of a compound of a plurality of materials greatly varying in melting points and consequently greatly varying in vapor pressures by a vacuum vapor deposition method and of obtaining a compound thin film having sufficient characteristics by performing a heat treatment within the same vacuum condition and to provide a method for forming an MbB_2 superconducting thin film by using the above method.例文帳に追加

融点が大きく異なる、従って、蒸気圧が大きく異なる複数の物質の化合物からなる薄膜を、真空蒸着法で形成でき、かつ、同一真空内で熱処理して十分な特性の化合物薄膜を得ることができる方法を提供し、また、この方法を用いたＭｇＢ_２ 超伝導薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the undesired sagging of a frit glass and avoid the damage resulted from a residual deposition such as dirt, while previously preventing the occurrence of so-called triangular cracking during sealing heat treatment with the panel and a funnel, by optimizing the face condition of a chamfer formed at an intersecting member with the inside and outside surfaces of the skirt part of a panel and a sealing end face.例文帳に追加

パネルのスカート部の内外側面と封着端面との交差部に形成される面取り部の面状態を最適化することにより、パネルとファンネルとの封着熱処理時における所謂三角割れの発生を未然に防止すると共に、フリットガラスの不当な垂れ下がりを防止し、且つ、汚れ等の付着残存に起因する電界集中による破損等を回避する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of: processing the dummy film to a predetermined shape by anisotropic etching of a deposition condition; processing the film to be processed to a predetermined shape by the anisotropic etching; removing the dummy film on the film to be processed formed in the predetermined shape by the anisotropic etching; and forming an upper layer film on the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記ダミー膜を所望の形状にデポ条件の異方性エッチングにより加工する工程と、前記被加工膜を所望の形状に異方性エッチングにより加工する工程と、前記所望の形状に加工された被加工膜上の前記ダミー膜を異方性エッチングにより除去する工程と、前記被加工膜上に上層膜を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

In the thin film deposition by the sputtering method using the ceramic target, the temperature T of cooling water for circulating near the target to suppress temperature rise due to the heat generation of the target is set to 300 K≤T≤360 K and ≥4 W/cm^2 sputtering power is applied in this condition.例文帳に追加

セラミックターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、上記ターゲットの発熱による温度上昇を抑えるために上記ターゲットの近傍に循環させる冷却水の温度Ｔを３００Ｋ≦Ｔ≦３６０Ｋに設定し、この状態で上記ターゲットの面積当り４Ｗ／cm^2 以上のスパッタリング電力を印加することを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic EL element having a pair of electrodes and a light-emitting layer arranged between the electrodes, and an intermediate layer includes a process in which the intermediate layer is formed by vapor-depositing metal or a metal compound, under the condition of a vapor-depositing rate of 0.006 nm/sec by an electron beam vapor-deposition method.例文帳に追加

一対の電極と、該電極間に設けられる発光層および中間層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、電子ビーム蒸着法によって蒸着レート０．００６ｎｍ／秒以下の条件で金属又は金属化合物を成膜することにより、前記中間層を形成する工程を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus for constantly outputting printed images of stable image density free from background stains by overcoming the problem of transfer influences in a process control to change an electrophotographic process condition based on detection signals obtained by a deposition amount detecting means that detects patch images on a transfer body and a current detecting means that detects a developing current in accordance with the patch images.例文帳に追加

転写体上のパッチ画像を検出する付着量検出手段と、そのパッチ画像に対応する現像電流を検出する電流検出手段との検出信号に基づき電子写真プロセス条件を変更するプロセス制御における転写の影響の問題を克服し、地肌汚れがなく安定した画像濃度の印刷画像を常に出力できる画像形成装置を提供することにある。 - 特許庁

In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method.例文帳に追加

リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Ａｌ混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のＡｌ混晶比よりも大きい層を含むIII−Ｖ族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を６５０℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing products of magnesium or magnesium alloys comprises a step of working magnesium or the magnesium alloys into a product shape, and a step of forming a magnesium vapor-deposited layer on the surface of the workpiece manufactured in the working step, with a vapor deposition method employing magnesium or the magnesium alloy as a vapor depositing metal, in a vacuum condition with an atmospheric pressure of 1 or lower and at 650°C or lower.例文帳に追加

マグネシウム、マグネシウム合金を用いて製品形状に加工する加工工程と、この加工工程で加工された加工製品を気圧が１気圧以下で、温度が６５０℃以下の真空中でマグネシウム、マグネシウム合金を蒸着金属として用いた蒸着によって表面にマグネシウム蒸着層を形成するマグネシウム蒸着工程とでマグネシウム、マグネシウム合金製品の製造方法を構成している。 - 特許庁

When a distance between a vapor deposition source for forming the organic layer and a surface of the luminescent layer is defined as L(cm), the vapor deposition of the organic layer is performed under a condition satisfying 2.0≤Tb/L^2≤80.例文帳に追加

陽極、発光層、発光層に隣接する有機層、陰極をこの順に含む有機電界発光素子の作製方法であって、 前記発光層上への前記有機層の蒸着による形成に際し、 前記有機層を構成する成分のうち、１×１０^−２Ｐａにおける昇華開始温度が最も高い成分について、その昇華開始温度Ｔｂ（℃）が、前記発光層に最も多く含まれる成分のガラス転移温度をＴｅｍ（℃）とした時に、０．６０≧Ｔｅｍ／Ｔｂ≧０．３０を満足し、 前記有機層を製膜する際の蒸着源と前記発光層の表面との距離をＬ（ｃｍ）とした時、２．０≦Ｔｂ／Ｌ^２≦８０を満足する条件にて、前記有機層の蒸着を行うことを特徴とする有機電界発光素子の作製方法。 - 特許庁