「defect group」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When a defect 3 such as a lattice defect or the like in a material 2 to be measured is detected and evaluated by utilizing position annihilation for generating γ-rays from a positron as it annihilates, X-rays are radiated toward the material 2, and a pulse positron group is generated in the material 2.例文帳に追加

消滅する際のポジトロンがγ線を生じさせる陽電子消滅を利用して被測定物２内における格子欠陥などの欠陥３を検出し評価する際、Ｘ線を被測定物２に照射して被測定物２内にてパルスポジトロン群を発生させる。 - 特許庁

To prevent occurrence of erroneous insertion in a terminal group of a uniform projection state defect where a uniform projection state defect occurs in each terminal, in relation to terminal inspection for inspecting a projection state of a terminal mounted to protrude to a holding member by a terminal inspection tool.例文帳に追加

保持部材に突出装着された端子の突出状態を端子検査治具で検査する端子検査について、各端子に一律的な突出状態不良を生じている一律的突出状態不良の端子群に過誤挿通が発生するのを防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a laminating structure of a 3-group nitride semiconductor capable of realizing a flat surface, a controlled film thickness and the reduction of crystal defect by a one time crystal growing process with excellent reproducibility, and provide a manufacturing method thereof and a 3-group nitride semiconductor device.例文帳に追加

一回の結晶成長工程で、表面が平坦で、膜厚が制御され、再現性良く結晶欠陥の低減を実現できる３族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び３族窒化物半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The size of photonic crystals 13a of a plurality of photonic crystal arrays around a defect 15 of a coupled defect structure is made different from that of photonic crystals 13 of the other photonic crystal arrays 14 constituting an entire element 1, and anisotropy is given to the part of the defect 15, so that the element 1 can demonstrate great dispersion control effect and group speed delay effect.例文帳に追加

結合欠陥構造の欠陥１５周りの複数のフォトニック結晶配列のフォトニック結晶１３ａについてその大きさを当該素子１全体を構成している他のフォトニック結晶配列１４のフォトニック結晶１３とは異ならせて、当該欠陥１５部分に異方性を持たせることにより、大きな分散制御効果と群速度遅延効果とを発揮できるようにした。 - 特許庁

In the case where the light emitting element Gw in the light emitting element array LB has the pixel defect, normal-density pixels Dc appear mixing with low-density pixels Da and Dc among a pixel group Bc of the image carrier.例文帳に追加

発光素子列ＬＢの中の発光素子Ｇｗに画素欠陥がある場合には、像担持体の画素群Ｂｃでは、濃度の薄い画素Ｄａ、Ｄｃに正常な濃度の画素Ｄｃが混在する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor thin film for suppressing that a bottom electrode and a metal substrate are excessively made into a group VI while being densified in high temperature, and manufacturing a high quality IB-IIIA-VIA system compound semiconductor thin film with less VI group defect.例文帳に追加

高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にＶI族化されることを抑制し、且つＶI族欠陥の少ない高品質なIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To mass-produce group III nitride semiconductor light emitting elements in an industrial scale by reducing the defect rate of light emitting elements for extracting light from the substrate side, and improving light extraction efficiency as to a group III nitride semiconductor light emitting element using an n-type conductive substrate.例文帳に追加

ｎ型導電性基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、基板側より光を取り出す発光素子の不良率の低減および光り取り出し効率を向上させ、工業的規模でＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の量産を図る。 - 特許庁

When the methylpolysiloxane composed of hydrophobic groups of Si-CH_3 bonds is used as the interlayer dielectric, the surface of the interlayer dielectric is damaged in an etching process and the carbon concentration is decreased due to defect of methyl group.例文帳に追加

Ｓｉ−ＣＨ_3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a porous body by which the molded porous body can be easily and surely released from a mold under a flawless condition with no defect without damaging each molding pin of a group of molding pins.例文帳に追加

成形ピン群の各成形ピンを損傷させることなく、成形された多孔体を欠損のない無傷の状態で容易かつ確実に離型することができる多孔体の製造装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the increase in power consumption and image degradation caused by writing defect when an image display device is driven by a system in which the cell that is once written in a subfield group is continuously discharge sustained in a succeeding subfield.例文帳に追加

画像表示装置を、サブフィールド群内で一度書き込まれたセルでは後続のサブフィールドでも連続して放電維持を行う方式で駆動する際に、消費電力を抑えながら、書き込み不良による画像劣化を抑える。 - 特許庁

To provide a method for forming a II-VI group semiconductor material that has high quality and no defect even if a substrate and a semiconductor material formed thereon have lattice constants different to each other, and to provide its structure.例文帳に追加

本発明は、基板とその上に形成する半導体材料の格子定数が異なっていても、欠陥の少ない良質のＩＩ−ＶＩ族半導体材料を形成する方法、および構成を提供するものである。 - 特許庁

To solve the problem that a nozzle is determined to be defective even though it is normal by blurring manner of ink in the case of executing the inspection by recording a test pattern consisting of a minute dot group onto non-coat paper in the nozzle defect inspection in an inkjet printer.例文帳に追加

インクジェットプリンタにおけるノズル不良検査は、非コート紙に対して微細なドット群からなるテストパターンを記録して検査を実施した場合、インクの滲み方により正常であるにも拘わらずノズル不良と判断される。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus capable of carrying out defect correction respectively properly for a reading method wherein an electric charge storage time of each pixel is the same and a reading method wherein an electric charge storage time by each pixel group is different from each other.例文帳に追加

各画素の電荷蓄積時間が同じである読み出し方法と、画素群ごとに電荷蓄積時間が異なる読み出し方法についてそれぞれ適切な欠陥補正を行うことができる撮像装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, this light-emitting element contains a substrate, a nucleating layer arranged on the substrate, a defect-reducing structure arranged above the nucleating layer, and an n-type group III nitride semiconductor layer arranged above the structure.例文帳に追加

一実施形態において、発光素子は、基板、基板上に配置された核形成層、核形成層の上方に配置された欠陥低減構造、及び、欠陥低減構造の上方に配置されたｎ型III族窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

A method of inspecting the defect of a filter includes the steps of : generating a gas flow containing a liquid particle group; eliminating the particles relatively large in diameter among the liquid particle group; supplying the gas flow containing the liquid particle group whose large particles are eliminated to one end surface of the filter; and detecting a concentration distribution of the liquid particles in the gas discharged from the other end surface of the filter.例文帳に追加

フィルタの欠陥の検査方法は、液体粒子群を含むガス流を発生させる工程と、液体粒子群中の相対的に粒径が大きな粒子を除去する工程と、大きな粒子が除去された液体粒子群を含むガス流をフィルタの一端面に供給する工程と、フィルタの他端面から排出されるガス中の液体粒子の濃度分布を検出する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of suppressing a defect in lighting of a semiconductor light-emitting element array due to breaking of a bonding wire for connecting a semiconductor light-emitting group embedded in a sealing member in series to form the semiconductor light-emitting element array.例文帳に追加

封止部材に埋設される半導体発光素子群を直列接続して半導体発光素子列とするためのボンディングワイヤが断線すること等による半導体発光素子列の点灯不良を抑制できる照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a TFT(thin film transistor) array substrate in which the short circuit failure between adjacent wirings or the like can be recognized in the defect inspecting process of the TFT array substrate and, moreover, a correct inspected result can be obtained when a GS(group separator) short circuit failure is caused.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板の欠陥検査工程において、隣接する配線間の短絡不良等が認識でき、さらにＧＳショート不良の発生時にも正確な検査結果を得ることができるＴＦＴアレイ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a luminaire capable of suppressing a lighting defect of a semiconductor light emitting element array due to breaking of a bonding wire for forming the semiconductor light emitting element array by connecting a semiconductor light emitting element group buried in a sealing member in series.例文帳に追加

封止部材に埋設される半導体発光素子群を直列接続して半導体発光素子列とするためのボンディングワイヤが断線すること等による半導体発光素子列の点灯不良を抑制できる照明装置を提供する。 - 特許庁

To suppress an image density variation due to the deviation of recording positions between dots recorded by different passes and to reduce an image defect due to a stripe while reducing the load of data processing when a recording element group is recorded by M (M is integer of 3 or more) times of relative movement.例文帳に追加

記録素子群をＭ（Ｍは３以上の整数）回の相対移動により記録を行う場合、データ処理の負荷を低減しつつも、異なるパスで記録されるドット同士の記録位置ズレによる濃度変動を抑制し、スジによる画像弊害を軽減する。 - 特許庁

To provide a method and a apparatus for producing a compound semiconductor thin film which, when a group I-III-VI compound semiconductor thin film is deposited, realize prevention of the micronization of crystals and the occurrence of the defect in the film, and also, realize improvement in the utilizing efficiency of Se.例文帳に追加

Ｉ−III−VI族化合物半導体薄膜を形成する際に、結晶の微細化や膜欠陥の発生を防止することができ、かつ、Ｓｅの利用効率を向上できる化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

When the growth temperature is selected, compatibility among the reduction of crystalline defect in the compound semiconductor layer 4, the maintenance or improvement of a dissociation efficiency of a source material such as group V and III elements, and the prevention of reduction of a growth rate can be attained.例文帳に追加

成長温度の選定等により、化合物半導体層４における結晶欠陥の低減と、原料例えばＶ族及びＩＩＩ族元素の原料の分解効率の維持ないし向上と、成長速度の低下防止とを両立することが可能となる。 - 特許庁

When any defect occurs in an operation data group acquired by an operation data acquiring means 3, the defective data part is complemented by using complement data complemented by a defective data complementing means 6, and analyzed according to a failure diagnostic rule 5a by a failure diagnosing means 4.例文帳に追加

運転データ取得手段３で取得された運転データ群に欠損がある場合、その欠損データ部分を欠損データ補完手段６で補完された補完データを用いて補完した上で故障診断手段４で故障診断ルール５ａに従って解析する。 - 特許庁

The fluorescent probe comprises a core-shell type branched polymer having a portion compatible with the low molecule liquid crystal in the shell and a portion having a fluorescent functional group in the core, and is preferentially concentrated in the defect of the low molecule liquid crystal.例文帳に追加

本発明の蛍光性プローブは、シェル部に低分子液晶と相溶性を示す部分を有し、コア部に蛍光性官能基を有するコア−シェル型分岐状高分子からなり、低分子液晶の欠陥部位に優先的に濃縮されることを特徴とする。 - 特許庁

In a disk having a plurality of zones for managing defects of the disk, wherein the plurality of zones form a group, and a margin area which is allocated at the start portion or the end portion of the group for replacing defects, when start logical sector numbers of each zone are changed by slipping replacement during initialization or reinitialization, the corresponding information is stored in the defect management area.例文帳に追加

複数のゾーンで構成されたディスクの欠陥を管理するために複数のゾーンを一つのグループで構成し、そのグループの開始または終了部分に欠陥を置換するための余裕空間を有するディスクにおいて、初期化または再初期化時スリップ置換により各ゾーンの開始論理セクター番号が変わる場合、これに対する情報を欠陥管理情報エリアに貯蔵する。 - 特許庁

When a SYNC pattern is composed of six symbols, the SYNC pattern and read data are made to 6C2=15 sorts of groups G1 to G15 composed of four symbols including a symbol overlapping a part of other groups and collated in a group unit in order to correspond to, e.g. a defect being ≤2 symbols.例文帳に追加

ＳＹＮＣパターンが６シンボルから構成されているときに、例えば２シンボル以下のディフェクトに対応するために、他の一部のグループと重複するシンボルを含む４シンボルからなる_6Ｃ_2 ＝１５通りのグループＧ１〜Ｇ１５に、当該ＳＹＮＣパターン及びリードデータをグループ分けして、グループ単位で照合する。 - 特許庁

The substrate for surface-enhanced Raman scattering studies comprises a semiconductor surface with whiskers, coated with metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, copper and/or alloys thereof, where the semiconductor is a gallium-containing nitride, and essentially each whisker contains a linear defect inside.例文帳に追加

基板は、銀、金、白金、銅及び／又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆されている、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laminate structure having a group III nitride semiconductor layer, having a growing main plane other than a c-face and less crystal defect, and to provide a manufacturing method therefor and a nitride semiconductor apparatus, equipped with such a nitride-gallium semiconductor laminate structure.例文帳に追加

ｃ面以外の成長主面を持ち、かつ結晶欠陥が少ないIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体積層構造およびその製造方法、ならびにそのような窒化ガリウム半導体積層構造を備えた窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system, a program therefor, and a method thereof, which can reliably identify a manufacturing device as a defect generation cause, without having to depend on information about what kind of defects a group of such manufacturing devices forming a manufacturing line, or the like, have generated.例文帳に追加

製造ライン等を構成する製造装置群が過去にどのような欠陥を発生したかという情報に頼ることなく、欠陥の発生原因となっている製造装置を的確に特定することのできる装置、そのプログラム、及びその方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacture inspection analyzing system capable of appropriately specifying a processor or a processor group as the cause of occurrence of a defect during manufacturing of a processed body, without performing processing such as attaching information on a processor having performed processing to the processed body.例文帳に追加

被処理体に対して処理した処理装置の情報を付与するなどの処理を行うことなく、被処理体の製造途中において、的確に欠陥の発生要因となる処理装置または処理装置群を特定することを可能とする製造検査解析システムを提供する。 - 特許庁

The Cl group of the silicon source gas is reduced to a hydrogen chloride(HCl) by the hydride compound gas and is removed together with an exhaust gas, it is possible to prevent a visual defect due to a SiClx crystal obtained by coupling chloride to silicon, and an abnormal growth of the lower polysilicon film.例文帳に追加

水素化合物ガスによりシリコンソースガスのＣｌ基を塩化水素（ＨＣｌ）に還元し、排気ガスと共に除去するので、塩素とシリコンが結合したＳｉＣｌｘ結晶による視覚不良、ならびに下部のポリシリコン膜の異常成長を防止することができる。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The display testing device successively generates a pattern switching on one part per once imaging out of a pixel group of a display equivalent to one pixel of a camera, and uses a display testing method for detecting the defect of a region equivalent to each pixel of the camera from image data for imaging each pattern.例文帳に追加

本発明は、カメラの１画素に相当するディスプレイの画素群のうち一度の撮像につき１箇所のみ点灯するパターンを逐次生成し、各パターンを撮像した画像データからカメラ各画素に相当する領域の欠陥を検出するディスプレイ試験方式を使用することを特徴とするディスプレイ試験装置に関する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the electrode for the electric double layer capacitor, which uses the carbon nanotube for the electrode, a process to give a defect to the carbon nanotube by applying a microwave, and after that, a functional group is modified by acid treatment to make the carbon nanotube adhere to the electrode by electrodeposition.例文帳に追加

カーボンナノチューブを電気２重層キャパシタ用の電極に用いる電気２重層キャパシタ用電極の製造方法において、マイクロ波を照射して、カーボンナノチューブに欠陥を与える処理をおこない、その後酸処理により官能基を修飾し、さらに電着によりカーボンナノチューブを電極に接着させる。 - 特許庁

A defective pixel determination unit 330 determines whether or not each of pixels in a picked-up image is a defective pixel on the basis of the position information in the defective pixel address storage unit 320, and determines whether the pixel is included in the defective pixel group or not on the basis of the pixel defect information in the defective pixel address storage unit 320.例文帳に追加

欠陥画素判定部３３０は、撮像された画像における各画素について欠陥画素アドレス記憶部３２０の位置情報に基づいて欠陥画素であるか否かを判定し、その画素が欠陥画素群に含まれるか否かを欠陥画素アドレス記憶部３２０の画素欠陥情報に基づいて判定する。 - 特許庁

The ink for correcting the defect of the fine colored pattern comprises at least a coloring agent, a polymer, a monomer having a reactive functional group, and a solvent, in a compounding amount of the above solvent of 25-70 wt.% based on the entire weight, and has viscosity of the ink of 40-300 mPa sec.例文帳に追加

少なくとも、着色剤と、ポリマーと、反応性官能基を有するモノマーと、溶剤を含有し、前記溶剤の配合量が全体の２５重量％〜７０重量％であり、且つ、インキの粘度が４０〜３００ｍＰａ・ｓｅｃであることを特徴とする微小着色パターン欠陥修正用インキである。 - 特許庁

The black ink for correcting the defect of the fine colored pattern comprises at least red, yellow, and blue coloring agents, a polymer, a monomer having a reactive functional group, and a solvent in a compounding amount of the solvent of 25-70 wt.% based on the entire weight, and has viscosity of the ink of 40-300 mPa sec.例文帳に追加

少なくとも、赤色及び黄色及び青色着色剤と、ポリマーと、反応性官能基を有するモノマーと、溶剤を含有し、前記溶剤の配合量が全体の２５重量％〜７０重量％であり、且つ、インキの粘度が４０〜３００ｍＰａ・ｓｅｃであることを特徴とする微小着色パターン欠陥修正用黒インキである。 - 特許庁

The ink for correcting the minute defect in colored pattern contains monomer having at least a colorant, a dispersing agent, and a reactive functional group and a solvent, wherein the solvent contains 40-100 wt.% of a solvent (A) having boiling point of 160-250°C and specific evaporation rate of 40 or less based on the total amount of solvent.例文帳に追加

少なくとも、着色剤と、分散剤と、反応性官能基を有するモノマーと、溶剤を含有し、前記溶剤が、沸点が１６０℃〜２５０℃で、且つ比蒸発速度が４０以下の溶剤（Ａ）を溶剤全量に対して４０重量％〜１００重量％の範囲で含有することを特徴とする、微小着色パターン欠陥修正用インキ。 - 特許庁

The catalyst for detoxicating dioxins comprises an oxide, which consists of at least one kind selected from the group consisting of cerium oxide, iron oxide and manganese oxide, an oxide of cerium and zirconium and an oxide of cerium, zirconium and aluminum and in which oxygen defect is introduced by reduction treatment, and a noble metal supported to the metal oxide.例文帳に追加

酸化セリウム、酸化鉄、酸化マンガン、セリウムとジルコニウムとの酸化物、並びにセリウムとジルコニウムとアルミニウムとの酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種からなり、還元処理により酸素欠陥が導入された酸化物と、前記金属酸化物に担持された貴金属とを備えることを特徴とするダイオキシン類無害化用触媒。 - 特許庁