| 例文 (64件) |
dispersion gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 64件
To obtain a method of manufacturing a semiconductor device in which dispersion in the protruding amounts of STI in a memory region and a logic region can be reduced and a focus margin of a gate photoengraving process can be improved.例文帳に追加
メモリ領域とロジック領域でのＳＴＩの突き出し量のバラツキを低減するのと共に、ゲート写真製版のフォーカスマージンを向上し得る半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁
To allow a low-molecular organic semiconductor material to be applied on the surface of a gate insulation film that is low in coating property without repelling, and to allow the resulting organic semiconductor film to obtain a high mobility with minimum dispersion.例文帳に追加
塗布性の低いゲート絶縁膜表面に低分子有機半導体材料をハジキを発生することなく塗布することが可能となり、形成された有機半導体膜はバラツキの少ない、優れた移動度を得ること。 - 特許庁
The threshold voltage of the logic gate 25 is set lower than 1/4VDD and at the time of crystal oscillating operation in microcomputer operation, even when the operating point of an inverter 4 in an oscillation circuit is deviated by the dispersion of processes, both the signals of XI terminal 2 and XO terminal 1 can be prevented from being erroneously recognized as Low level by the logic gate 25.例文帳に追加
論理ゲート２５のスレッショルド電圧を１／４ＶＤＤ以下に設定し、マイコン動作における水晶発振動作時において、発振回路のインバータ４の動作点がプロセスのばらつきによってずれても、論理ゲート２５によりＸＩ端子２の信号とＸＯ端子１の信号が共にＬｏｗレベルと誤認されることを防ぐことができる。 - 特許庁
The ZnO thin film transistor comprises: a semiconductor channel formed of ZnO; source electrodes and drain electrodes, which are disposed at the both sides of the above semiconductor channel and having a conductive oxygen dispersion layer formed by an oxygen-affinity metal in contact with the above semiconductor channel; a gate for forming electric field to the above semiconductor channel; and a gate insulator layer interposing between the above gate and the semiconductor channel.例文帳に追加
また、ＺｎＯで形成された半導体チャンネルと、前記半導体チャンネルの両側に設けられ、前記半導体チャンネルに接触する酸素親和性金属による導電性の酸素拡散層を有するソース電極及びドレイン電極と、前記半導体チャンネルに電界を形成するためのゲートと、前記ゲートと半導体チャンネルとの間に介在されるゲート絶縁層と、を備えることを特徴とするＺｎＯ薄膜トランジスタである。 - 特許庁
To provide a method for controlling a non-volatile semiconductor memory having a floating gate by which the dispersion of the threshold values of each cell in a memory cell array can be suppressed, the controllability of threshold distribution can be improved, and program speed can be improved.例文帳に追加
浮遊ゲートを有する不揮発性半導体メモリにおいて、メモリセルアレイ内の各セルの閾値のばらつきの抑制と、閾値分布の制御性の向上と、プログラム速度の向上を図れる不揮発性半導体メモリの制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a discharge lamp lighting device which can adopt a Zener diode with wide range of dispersion used for bypassing a gate current of a switching element during a preheat timer period, capable of surely continue an oscillation despite the fluctuation of circumferential temperature.例文帳に追加
予熱タイマ期間に、スイッチング素子のゲート電流のバイパスに用いられるツェナ−ダイオ−ドにバラツキ範囲の大きい部品を採用でき、かつ、周囲温度の変動に対しても確実に発振が継続できる放電灯点灯装置を提供する。 - 特許庁
To provide a power supply voltage gate circuit capable of applying power to various power terminals of a device at the same time at application of power independently of a wiring way of a power supply line and dispersion in the performance of a DC/DC converter and a regulator so as to avoid an abnormality operation of the device.例文帳に追加
電源ラインの引きまわしやＤＣ／ＤＣコンやレギュレータの性能上のバラツキに依存することなく電源投入する際、デバイスの持つ各種電源端子に同時に電源が入れらるようになり、デバイスの異常動作を回避する。 - 特許庁
The second transistor 222 is controlled in the invalid pixel 220 to bias the gate of the first transistor 221 and signals of each vertical signal line 23 at the time are outputted from the pixel part 2 as the measuring signals of the fixed pattern noise components due to the dispersion of the electrical characteristics of the route of the signals.例文帳に追加
非有効画素２２０で第２のトランジスタ２２２を制御して第１のトランジスタ２２１のゲートをバイアスし、このときの各垂直信号線２３の信号を、当該信号の経路の電気的特性のばらつきに起因した固定パターンノイズ成分の測定信号として画素部２から出力する。 - 特許庁
To provide particles coated with a polymer of adequate flexibility, having dispersion preventing property to dust and crush, usable for an indoor or an outdoor fitness facility such as a schoolyard, multipurpose ground, a sidewalk, a nature trail, a tennis coat, a gate ball ground or the like.例文帳に追加
本発明は、学校の校庭、多目的のグラウンド、歩道、自然遊歩道、テニスコート、ゲートボール場等の屋外や屋内の運動施設に用いることができる、粉塵や破砕による飛散防止性を有し、適度に柔軟性のある重合体を被覆した砂などの粒子を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of suppressing the reduction of the thickness of an insulating film for a side wall upon forming a silicide block layer, and suppressing the generation of dispersion in the etching of a gate electrode or the width of the side wall.例文帳に追加
本発明の目的は、シリサイドブロック層の形成時におけるサイドウォール用絶縁膜の膜厚の減少を抑制することができ、ゲート電極のエッチングやサイドウォール幅のばらつきの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a TFT, a liquid crystal device using it, and a method for manufacturing them wherein the dispersion in an LDD length or offset length is reduced, when the TFT of LDD structure or offset gate structure is manufactured while its productivity is improved.例文帳に追加
ＬＤＤ構造またはオフセットゲート構造のＴＦＴを製造する際にそのＬＤＤ長あるいはオフセット長のばらつきを低減することができ、かつ、その生産性も向上することのできるＴＦＴ、それを用いた液晶装置、およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an electrode substrate which is used for an active matrix type liquid crystal display device, with excellent electrical characteristics by suppressing a decrease in the mobility or dispersion of a threshold or the like, even if a gate electrode is formed on a grain boundary on a polycrystalline thin film functioning as an active layer of a TFT.例文帳に追加
アクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられる電極基板において、ＴＦＴの活性層となる多結晶薄膜の粒界上にゲート電極を形成した場合でも、移動度等の低下や閾値等のばらつきを抑えて良好な電気的特性を得る。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加
ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To mass-produce resin moldings stably by increasing the cross-sectional area of transfer cull in a constant ratio to be larger than the cross-sectional area of a gate, and molding the resin in a product part after the resin is balanced between pots with regard to a molding mold in which the volume dispersion of resin pellets between the pots is adjusted by transfer cull structure.例文帳に追加
使用する樹脂ペレットの各ポット間での体積バラツキを連通カル構造によって調整する成形金型に関して、連通カルの断面積をゲート部の断面積よりも一定の割合で大きくし、ポット間の樹脂バランスを取った後に製品部で成形することで、安定した樹脂成形品の量産を可能とすることを目的とする。 - 特許庁
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