例文 (5件) |
diffraction haloの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
Since the silica porous material has the above BET specific surface area and the half-value width at the diffraction peak of the halo, the grinding strength of the material is improved as compared with the conventional silica porous material.例文帳に追加
該シリカ多孔質体は、上記BET比表面積およびハローの回折ピークの半価幅を有するため、磨砕強度が従来のシリカ多孔質体よりも向上している。 - 特許庁
Thus, a silica porous material having a BET specific surface area of 5 m^2/g to 100 m^2/g and a half-value width of 5.70° to 8.20° at a diffraction peak of a halo can be manufactured.例文帳に追加
これにより、BET比表面積が5m^2/g〜100m^2/gであり、かつ、ハローの回折ピークの半価幅が5.70°〜8.20°であるシリカ多孔質体を製造することができる。 - 特許庁
This manufacturing method includes synthesizing AlH_3, and ball-milling the synthesized AlH_3 in a condition of applying a force of 2 G to 20 G (where G represents gravity acceleration) to make an X-ray diffraction pattern of AlH_3 into a halo pattern.例文帳に追加
AlH_3を合成した後、2G〜20G(Gは重力加速度)の力を付与する条件でボールミリングを行い、X線回折パターンがハローパターンとなるAlH_3とする。 - 特許庁
The X-ray diffraction pattern of a residual part after the hydrate phase of the hydrate product is dipped into a 5-10 vol% sulfuric acid aqueous solution and absolutely dried has a halo form having a peak in 24±1° (expressed by Cukα2θ).例文帳に追加
水和生成物の水和相を5乃至10容量%の硫酸水溶液中にて浸漬した後の絶乾処理した残査部分のX線回折パターンが、24°±1°(Cukα2θ表示)にピークを持つハロー図形を示す。 - 特許庁
An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加
ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するIn−Ga−Zn−O系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁
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