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「diffusion terms」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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diffusion termsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24



例文

It is desirable in terms of long retention of air bubbles 4 to perform the air diffusion intermittently.例文帳に追加

散気は、間欠的に行うことが、気泡4を長く滞留させる点から好ましい。 - 特許庁

To provide an LED illumination light diffusion member which is excellent in terms of all light transmittance property, light diffusion and degree of dispersion and which is also good at impact resistance durability and fire retardant property.例文帳に追加

全光線透過率と光拡散性、分散度に優れ、かつ衝撃強度耐久性と難燃性にも優れたLED照明用光拡散部材を提供する。 - 特許庁

Further, a non-advection term data calculating part 16 is provided to calculate the non-advection terms as the terms excluding the advection term, included in the non-steady advection diffusion equation by a finite difference method.例文帳に追加

また、非定常移流拡散方程式に含まれる移流項以外の項を示す非移流項を有限差分法を用いて計算する非移流項データ計算部16を設ける。 - 特許庁

An electrolyte material 214 is applied to the substrate 202 and the gas diffusion layer 204 including the catalyst material 206, and one surface of the electrolyte material 214 relates to the substrate 202 and the gas diffusion layer 204 in terms of functions.例文帳に追加

電解質材料214を、基板202と、触媒材料206を有するガス拡散層204とに塗布し、電解質材料214の一方表面は基板202及びガス拡散層204に機能上関連する。 - 特許庁

例文

In this case, the number of times of the created clock signals CLK2 counted by the counter 15, is counted in terms of the same number of clock pulses as the frequency diffusion period of the frequency diffuse oscillator 13.例文帳に追加

このとき、カウンタ15のカウント数を周波数拡散発振器13の周波数拡散周期と同じクロック数でカウントする。 - 特許庁


例文

To provide a half-toning method which reduces the roughness of particles, which is due to the overlap of pigments and is not intensive in terms of calculation and memory much more than an error diffusion half-toning operation.例文帳に追加

色素の重複に起因する粒子の粗さを低減する、誤差拡散ハーフトーン化動作よりも計算およびメモリ集約的ではないハーフトーン化方法を提供する。 - 特許庁

Now, the changes in the terms of trade diffusion index (D.I.) (sales price D.I. deducted by purchase price D.I.34) show that the disparity between the D.I. of the basic materials industry and the processing industry became evident sometime around 2004, when the deterioration in the terms of trade began (see Figure 2-2-26).例文帳に追加

そこで、製造業の素材業種と加工業種の交易条件D.I.(販売価格D.I.-仕入価格D.I.34)の推移を見ると、交易条件の悪化が始まった2004年頃から素材業種と加工業種のD.I.の格差が拡大していることが分かる(第2-2-26図)。 - 経済産業省

The diffusion plate 3 is positioned on the front focal position of the 2nd light condensing lens, so that most of the diffused light emitted from the diffusion plate 3 are collimated through the 2nd light condensing lens, then, the object to be inspected is irradiated with the collimated light, then, the object is illuminated with less unevenness in terms of intensity.例文帳に追加

拡散板3は、第2集光レンズの前側焦点位置に位置するため、拡散板3の発した拡散光の多くは、第2集光レンズによって平行光となって被検物体に照射され、強度むらの少ない照明を行うことができる。 - 特許庁

To provide a light diffusion thermoplastic resin sheet which attains effective use of the edge material thereof and improvement in the efficiency of production, is advantageous in terms of the cost and suitable for a fresnel lens base material.例文帳に追加

端材の有効利用と生産効率の向上が可能で、コスト的に有利であり、フレネルレンズ基材として適している光拡散性熱可塑性樹脂シートを提供する。 - 特許庁

例文

To generate a moving image with a feeling of reality from one image, and to prevent quality deterioration due to numerical error diffusion when using a partial differential equation having advective terms for the generation of a moving image.例文帳に追加

1枚の画像から実在感のある動画を生成可能にするとともに、移流項を有する偏微分方程式を動画生成に用いた場合の数値誤差拡散による画質劣化を防止する。 - 特許庁

例文

The channel region having the region of high impurity concentration and the region of low impurity concentration is formed in terms of self-matching by ion implantation through an implantation mask of two kinds of second conductivity impurities different in diffusion coefficients, extension of the implantation mask, ion implantation of the first conductivity impurity and diffusion of the second conductivity impurity with the large diffusion coefficient owing to activation annealing.例文帳に追加

拡散係数の異なる2種の第2導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第1導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第2導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate insulation film wherein its reaction on the gate electrode of the device is suppressed, and any impurity diffusion performed from the gate electrode to it can be suppressed, and further, its film thickness calculated in terms of a silicon oxide film is made small.例文帳に追加

ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a rear projection display in which anisotropic diffusion is accomplished and excellent resolution and less reduction of contrast due to external light are ensured and which is well-balanced in terms of front luminance and an angle of visibility.例文帳に追加

ビーズスクリーンは微細構造で解像力に優れ、外光反射低減効果が大きいが、拡散が等方的なため、水平視野角として必要な拡散角を設定するとゲインが低くなり、ディスプレイとして充分な輝度が得られない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an epitaxial highinsulating film which can be reduced in film thickness in terms of SiO_2, improved in heat-resistant properties with its interface characteristics kept excellent, and improve the impurity diffusion resistant-properties.例文帳に追加

エピHigh−κのSiO_2換算膜厚低減の可能性、良質な界面特性を保持しつつ、耐熱性を向上させ、不純物拡散耐性をも改善させたHigh−κ絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an underground water drainage structure which is cost effective both in terms of construction and maintenance and makes efficient water collection and drainage possible even when an ambient underground water level is low in an original position confinement construction method for surely preventing the diffusion of polluted soil.例文帳に追加

汚染土壌の拡散を確実に防止するための原位置封じ込め工法において、施工面、維持管理面の両者において経済的であり、周辺地下水位が低い場合でも効率的な集排水が可能な地下水集排水構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of mounting components to a semiconductor device which is hardly deteriorated by the diffusion of Au-Al, and has no corrosion of an Au/Al contact part, and flip-chip bonds an Al electrode by a highly-reliable technique in terms of cost, and the mounting components of the semiconductor device.例文帳に追加

Au−Alの拡散による強度劣化がなく、Au/Al接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でAl電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。 - 特許庁

In this producing method, a base metal steel sheet containing <4 wt.% Si is subjected to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession in an atmosphere satisfying the following inequality, and the siliconizing treatment is carried out in a siliconizing treatment furnace in which the concentration of iron chloride is controlled to10 mg/cm3 in terms of the volume of the furnace.例文帳に追加

Si:4wt%未満の母材鋼板に対して、下式を満足する雰囲気にて加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次行い、さらに、浸珪処理する浸珪処理炉内での塩化鉄存在量が炉容積に対して10mg/cm^3以下とする製造方法である。 - 特許庁

A fresh developing solution is applied on the plate surface of a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process obtained by disposing a silver halide emulsion layer of a high silver density emulsion containing70 wt.% binder based on the amount (expressed in terms of silver nitrate) of silver halide and a protective layer on an anodically oxidized aluminum substrate.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体上に硝酸銀に換算したハロゲン化銀に対して70重量%以下のバインダーからなる高銀密度乳剤のハロゲン化銀乳剤層および又は保護層を設けた銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の版面上に新鮮な現像液を塗布する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧MOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the anisotropic diffusion is accomplished while utilizing such the properties of the beads sheet that the sheet is provided with a fine structure and an ability of eliminating the influence of the external light, then, the image display of improved resolution, high contrast even under a bright environment, and also, well-balanced in terms of the angle of visibility and the luminance is accomplished.例文帳に追加

これにより、微細構造を有し外光の影響を排除する能力の高いというビーズシートの特徴を活かしながら異方性拡散を実現することが可能になり、解像力が優れ、明るい環境下でもコントラストが高く、更に視野角と明るさのバランスに優れた画像表示を実現できる。 - 特許庁

To provide a search method of a novel barrier material for a semiconductor integrated circuit device composed of a metal of relatively low cost or an intermetallic compound containing the metal, and having the excellent effect of suppressing copper diffusion similarly to a conventional ruthenium barrier material, with no problem in terms of supply performance.例文帳に追加

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 - 特許庁

To provide a polyester film which can obtain high brightness when used as a member of an optical product, especially a diffusion sheet of back light for LCD, a prism sheet, a composite sheet, and a substrate for a lens, has no optical defect caused by a crystallized substance, can give a bright, clear, high quality image, and is excellent in optical performance and advantageous in terms of cost.例文帳に追加

光学製品の部材、特にLCD用のバックライトの拡散シート、プリズムシート、複合シート、レンズシート用の基材として使用した際に、高度な輝度を実現し、結晶化物による光学欠陥のない、明るく鮮明で高品質な画像を与えることができ、光学的性能に優れ、コスト的にも利点があるポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

Additionally, the thickness of the barrier film 30 is set to the film thickness for preventing the diffusion of the Cu atoms on an interlayer insulating film 7 below upper-layer wiring 21, thus improving EM resistance, and forming optimum wiring structure in terms of the prevention of Cu contamination.例文帳に追加

上層配線のビアプラグ11と下層配線5との間に挟まれるバリア膜20の膜厚をCu原子が上下に互いに拡散出来る膜厚とし、さらに、上層配線21の下の層間絶縁膜7上ではCu原子の拡散を防止できる厚さのバリア膜30とすることにより、EM耐性向上、Cu汚染防止の面から見て最適な配線構造を形成することができる。 - 特許庁

例文

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着(PVD)工程によって、パターン形成された中間誘電体(ILD)層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも60%のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁




  
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