「diffusion length」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 so as to overlap with the floating gate 40 in a channel width direction and in a channel length direction of a channel region.例文帳に追加

拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

Since intervals 360G, H where nothing is displayed are produced in the display regions 360E, F as a result, diffusion code length can be read from the breadth of the intervals.例文帳に追加

よって、表示領域３６０Ｅ、Ｆには何も表示されない間隔３６０Ｇ、Ｈが生じるため、この間隔の幅から拡散符号長を読み取ることができる。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of accurately and easily measuring the diffusion length of minority carriers which are few in number in semiconductor by an SPV (surface photovoltage) method even in the case of a P-type epitaxial wafer.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャルウエハにおいても、ＳＰＶ法により、正確かつ容易に少数キャリア拡散長の測定を行うことができる測定方法を提供する。 - 特許庁

The through holes 25 satisfy the condition of uL/D>1 in the case the gas flow rate in the through holes is defined as (u), the substantial length of the holes as L, and the diffusion coefficient of mutual gases as D.例文帳に追加

貫通孔は、孔内でのガス流速をｕ、実質的な孔の長さをＬ、相互ガス拡散係数をＤとするとき、ｕＬ／Ｄ＞１の条件を満たす。 - 特許庁

The light diffusion plate 30 is provided with a body part 32 for diffusing light and locked parts 34 which are located on its length direction both ends and extending along its side and are capable of being elastically deformed in the length direction.例文帳に追加

光拡散板３０は、光を拡散させる本体部３２と、その長手方向両側に設けられてその一辺に沿って延びることにより本体部３２の長手方向に弾性変形することが可能な被係止部３４を備えている。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate for a waterproof case which enables anyone to readily mount and dismount the light diffusion plate for the waterproof case irrespective of the overall length of a case cylindrical section of the waterproof case, and which does not get in the way while not in use and to provide a photographing method.例文帳に追加

防水ケースのケース筒部の全長如何にかかわらず防水ケース用光拡散板の取り付けと取り外しを誰でも簡単に行えるとともに、しかも未使用時において邪魔になることがない防水ケース用光拡散板と撮影方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation.例文帳に追加

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象（ＴＥＤ）及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gas diffusion layer 14 and a gas diffusion layer 24 for the solid polymer fuel cell are formed using a coating liquid for forming the gas diffusion layer for solid polymer fuel cell containing carbon fiber with the average fiber diameter of 1-20 μm and the average fiber length of 100-500 μm, fluorine-containing ion exchange resin, and a dispersion medium.例文帳に追加

平均繊維径が１〜２０μｍであり、平均繊維長が１００〜５００μｍであるカーボンファイバーと、含フッ素イオン交換樹脂と、分散媒とを含む固体高分子形燃料電池用ガス拡散層形成用塗工液を用いて、固体高分子形燃料電池のガス拡散層１４およびガス拡散層２４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加

ピラートランジスタＴｒ１と、前記ピラートランジスタＴｒ１の下部拡散層７ａへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層１０ａからの固相拡散し、下部拡散層７ａを形成することにより、前記ピラートランジスタＴｒ１のチャネル長ｄ１を厚みにより制御する前記ポリシリコン層１０ａと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a light diffusion film of high practicability with excellent film passing performance in a heat treatment process after post-working, over the whole roll length irrespective of post-working conditions.例文帳に追加

後加工時の熱処理工程におけるフィルムの通過性が後加工の条件に拘わらずロール全長に亘って良好な実用性の高い光拡散性フィルムを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the diffusion of the far infrared rays is prevented by setting a partition reflection plate with V shape in cross section in a length direction of the generator to cover the generator.例文帳に追加

さらに、遠赤外線発生器の長手方向の断面形状がＶ字形である仕切り反射板を、遠赤外線発生器を被覆するように設置して、遠赤外線の拡散を防止する。 - 特許庁

By changing the size of the plural chromatic color opaque parts 8 and the focal length of the diffusion optical element group 7, the functional color is allowed to be seen from any direction.例文帳に追加

しかも、複数の有彩色不透明部８の大きさ、又は及び拡散光学要素群７の焦点距離を変えることにより、どの方向からも機能色が見えることとなる。 - 特許庁

The ON resistance is thereby reduced without decreasing the drain offset length DL2, i.e. the separation distance of a part on the first gate insulating film 6A and the drain N^+ diffusion layer 5.例文帳に追加

これによって、第１ゲート絶縁膜６Ａ上の部分と、ドレインＮ^+拡散層５との離隔距離であるドレインオフセット長ＤＬ２を小さくすることなく、ＯＮ抵抗を低下させることができる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus in which nuclear species of short diffusion length related to photodegradation of an amorphous silicon thin film can be removed furthermore, and a large area film can be produced.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the crystal defect as a factor of disturbance of a measured value, so diffusion length measurement precision by the SPV method is greatly improved to achieve more accurate Fe contamination evaluation.例文帳に追加

このように、測定値の外乱要因となる結晶欠陥を除去するため、ＳＰＶ法による拡散長測定精度が格段に向上して、より正確なＦｅ汚染評価が可能となる。 - 特許庁

To provide a means for determining whether a wafer surface subjected to surface treatment is stabilized when minority carrier diffusion length in a silicon wafer is measured by an SPV method.例文帳に追加

シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長をＳＰＶ法により測定する際に、表面処理を施したウェーハ表面が安定化したか否かを判定する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents a semiconductor pattern from decreasing in length owing to diffusion of metal ions, a method of manufacturing the same, and a display substrate.例文帳に追加

本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加

低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし，素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Three kinds of diffusion layers 16-18 are provided, such that there are two kinds of width dimension and length dimension corresponding to the distance between contact holes 19.例文帳に追加

幅寸法及びコンタクトホール１９間の距離と対応する長さ寸法がそれぞれ２種類となるように設定された３種類の所定寸法の拡散層１６〜１８を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.例文帳に追加

前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

For an epitaxial wafer in which boron concentration in an epitaxial layer is ≤1/100 of boron concentration in a wafer substrate, a minority carrier diffusion length measuring method for forming an oxide film of 10-100nm thickness on the surface of the epitaxial layer of 1-20μm thickness and then measuring the diffusion length of minority carriers by using a surface light voltage method is used.例文帳に追加

エピタキシャル層中のホウ素濃度が、ウエハ基板中のホウ素濃度の１／１００以下であるエピタキシャルウエハにおいて、厚さが１〜２０μｍである前記エピタキシャル層表面に、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化膜を形成した後、表面光電圧法を用いて、少数キャリア拡散長を測定することを特徴とするエピタキシャルウエハの少数キャリア拡散長の測定方法を用いる。 - 特許庁

Since the calculation results are obtained for the diffusion layers 16-18 having three kinds of specified dimensions such that there are two kinds of the width dimension and length dimension, more accurate results can be attained where the width dimension and length dimension are taken into account.例文帳に追加

これら算出結果は、前記幅寸法及び前記長さ寸法がそれぞれ２種類となるように設定された３種類の所定寸法に設定された拡散層１６〜１８を対象としたものであるため、該幅寸法及び該長さ寸法が考慮されるなど、より正確なものとなる。 - 特許庁

Before the communication body, a training part, based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and propagation of a transmission line is measured by the training part, while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加

通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のＮ周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁

Before a communication body, a training part based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and the propagation of a transmission line is measured by the training part while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加

通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のＮ周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁

In switching from a full color mode to a monochromic mode, a second condenser lens having a short focal length is switched to a first condenser lens having a long focal length at a second cylindrical lens 305, and reflecting beams are switched from a diffusion mirror 12 to a flat mirror at a reflecting mirror 306.例文帳に追加

フルカラーモードからモノクロモードに切り換える際に、第２シリンドリカルレンズ３０５において焦点距離の短い第２集光レンズから焦点距離の長い第１集光レンズに切り換え、反射ビームを出射折り返しミラー３０６において拡散ミラー１２から平面ミラーに切り換える。 - 特許庁

The biaxially oriented polyester film roll for the liquid crystal display downward prism type diffusion plate is configured such that a film width is ≥250 mm and orientation angles measured at intervals of 250 mm when a TD direction orthogonal to a film length direction is 0° are 35 to 55°.例文帳に追加

フィルム長手方向に直交するＴＤ方向を０°とした時の配向角が３５°以上５５°以下である液晶ディスプレイ下向きプリズム方式拡散板用二軸延伸ポリエステルフィルムロール。 - 特許庁

A signal light after diffusion compensation is separated by an optical wavelength demultiplxer 308 at every wave length component and the respective wavelengths are inputted to the optical receiver 309 of each channel and O/E-converted.例文帳に追加

分散補償を受けた信号光は光波長分波器３０８により波長成分毎に分離され、各々の波長はそれぞれのチャネルの光受信器３０９に入力され、Ｏ／Ｅ変換される。 - 特許庁

In this method, the diffusion length of minority carriers is measured for the silicon wafer subjected to surface treatment in at least two kinds of time constants by a surface optical voltage method, and it is determined whether the silicon wafer surface has been stabilized according to whether at least any one of ratios of the measured diffusion lengths has reached a target value.例文帳に追加

表面処理を施したシリコンウェーハについて、表面光電圧法により少数キャリアの拡散長を少なくとも２種類のタイムコンスタントにおいて測定し、測定した拡散長の比の少なくとも１つが目標値に達したか否かで、前記シリコンウェーハ表面が安定化したか否かを判定する。 - 特許庁

An interval P of the first modified regions 60a adjacent mutually in the plurality of first modified regions 60a is set shorter than the diffusion length of carriers generated by the incidence of light.例文帳に追加

複数の第１の改質領域６０ａのうち互いに隣接している第１の改質領域６０ａの間隔Ｐは、光の入射によって発生するキャリアの拡散長よりも短く設定されている。 - 特許庁

To provide a threshing apparatus with which a treated material is sufficiently beaten and loosened while moving the treated material conveyed to the downstream side in the conveying direction and left toward the central side in the length direction of a diffusion cylinder.例文帳に追加

搬送方向下手側に搬送されて残された処理物を、拡散胴の長手方向中央側に向けて移動させながら、処理物を充分に叩きほぐすことが可能な脱穀装置を提供する点にある。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which does not have overlap regions between an impurity diffusion layer and a floating gate of a memory cell, properly improves the scalability of the gate length and has a large capacity and low bit cost.例文帳に追加

不純物拡散層とメモリセルの浮遊ゲートとの間のオーバーラップ領域がなく、ゲート長のスケーラビリティを大幅に改善し、大容量・低ビットコストの不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

This is the Fresnel lens spotlight which has preferably an ellipsoidal reflector 1, a lamp 2, and at least one Fresnel lens 3, and in which a lens having a negative focal length and an imaginary focal point F3 is used as a diffusion glass 7.例文帳に追加

好ましくは楕円反射器１と、ランプ２と、少なくとも１つのフレネルレンズ３とを有し、負焦点距離および虚焦点Ｆ３を有するレンズが拡散ガラス７として使用されるフレネルレンズスポットライト。 - 特許庁

To provide a washer nozzle for solving such problems of conventional washer nozzles that when a guide plate to suppress diffusion of a cleaning liquid in the vertical direction is disposed at an injection port, the length of the guide plate in the injection direction can not be changed as desired in response to a vertical diffusion angle of the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明は、ウォッシャーノズルに関し、従来のウォッシャーノズルにおいて、噴射口に洗浄液が上下方向に拡散するのを抑制するガイド板を設けた場合に、そのガイド板の噴射方向の長さを洗浄液の上下方向の拡散角度に応じて自在に可変できなかったことが課題であって、それを本発明により解決することである。 - 特許庁

The gate groove 4 has a shape of its opening end 4a defined by the element isolation region 3 in a channel-width direction, and is formed so as to be in contact with the pair of diffusion regions 5 respectively in a channel length direction E.例文帳に追加

ゲート溝４は、チャネル幅方向Ｄではその開口端４ａの形状が素子分離領域３により画定され、且つ、チャネル長方向Ｅでは一対の拡散領域５にそれぞれ接するように形成されている。 - 特許庁

Further, the sum of the depth-directional thickness of the N^- drift layer 1 and the depth-directional thickness of the field stop layer 3 is smaller than the diffusion length of electrons and holes when the Frenkel defect density of the N^- drift layer 1 is the heat balancing density.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の深さ方向の厚さとフィールドストップ層３の深さ方向の厚さとの和は、Ｎ^-ドリフト層１のフレンケル欠陥密度が熱平衡密度である場合の電子および正孔の拡散長よりも小さい。 - 特許庁

Since the lens material droplets 20 become in a stretched form in the convex of the hemisphere by gravity and result in lenses with a short focal length, the lenses have a large diffraction effect and can be used for a diffusion plate with a large condensing effect.例文帳に追加

レンズ材料の液滴２０は重力により半球が凸方向に伸張した形状となり、焦点距離の短いレンズとなるので屈折効果が大きく、集光作用の大きな拡散板に応用できる。 - 特許庁

The light diffusion plate 3 includes a transparent resin and light-diffusing particles, wherein the transparent resin has a light transmittance of ≥65% when light having a wavelength of 600 nm is transmitted through an optical path length of 200 nm.例文帳に追加

本発明の光拡散板３は、透明樹脂および光拡散粒子からなり、前記透明樹脂は、２００ｍｍの光路長を波長６００ｎｍの光が透過するときの光線透過率が６５％以上である。 - 特許庁

A source region is formed on one side of the gate electrode in a gate length direction, and a drain region is formed on the other side, both formed by impurity diffusion from polycrystalline silicon containing an impurity and filling the inside of the trench portion, deep enough to reach vicinity of the bottom of the gate electrode (vicinity of bottom of trench portion).例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域は、何れも、トレンチ内部に充填された不純物を含む多結晶シリコンからの不純物拡散によって形成され、ゲート電極の底部近傍（トレンチ部の底部近傍）の深さまで形成されている。 - 特許庁

In that case, a generation amount of error data generated as intermediate data in the pseudo gradation processing of a multi-valued error diffusion processing part 207 is calculated according to the resolution, the number of gradations, raster length and the number of colors capable of being recorded by the image formation engine, etc.例文帳に追加

その際、多値誤差拡散処理部２０７の疑似階調処理において中間データとして生成される誤差データの発生量をその解像度、階調数、ラスタ長、画像形成エンジンの記録可能な色数などに応じてを算出する。 - 特許庁

To provide a method for producing a carbonaceous fiber-woven fabric balancing properties such as gas-permeation property, electric conductivity, water-retenting and water-discharging properties, thickness unevenness, etc., and suitable for a solid polymer type gas-diffusion layer material for a fuel cell as a long length form having a wide utility.例文帳に追加

ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を、利用性の広い長尺状に作製する方法を提供する。 - 特許庁

When the focal length of the first lens array 11 or the second lens array 15 is defied as T, a diffusion layer 21 is provided at a position apart with respect to the exit side by T to <2T than the focal positions of the first lens array and the second lens array.例文帳に追加

また、第１のレンズ列１１又は第２のレンズ列１５の焦点距離をＴとしたとき、当該第１のレンズ列及び当該第２のレンズ列の焦点位置よりＴ以上２Ｔ未満だけ出射側に離れた位置に拡散層２１を設けている。 - 特許庁

By using this constitution, even when the magnitude of the shift between actual cutting position and the cutting scheduled position is varied at each gas sensor element, irregularities in the length dimension of the diffusion rate-determing part 13, after baking, can be prevented in the arranging region of the sublimation material 41 for the opening part.例文帳に追加

このことから、実際の切断位置と切断予定位置とのズレの大きさがガスセンサ素子毎にばらついた場合であっても、開口部用昇華材４１の配置領域内であれば、焼成後の拡散律速部１３の長さ寸法のバラツキを防止できる。 - 特許庁