「diffusion length」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffusion sheet includes a base film of a transparent material and a diffusion layer having a diffusion pattern consisting of a plurality of diffusion parts whose section perpendicular to the length direction has an arch shape.例文帳に追加

拡散シートは、透明な材質のベースフィルムと、長さ方向に垂直な切断面がアーチ形状である複数の拡散部からなる拡散パターンを有する拡散層と、を含む。 - 特許庁

In the diffusion plate 3, light diffusion in a direction nearly vertical to the length direction of the straight tube-like lamp is larger than light diffusion in a direction nearly parallel to the length direction of the straight tube-like lamp.例文帳に追加

拡散板３は、直管状ランプの長さ方向と略垂直な方向における光拡散が、直管状ランプの長さ方向と略平行な方向における光拡散よりも大である。 - 特許庁

The spin absorption layer 70 has a shorter spin diffusion length than the wiring 60.例文帳に追加

スピン吸収層７０のスピン拡散長は、配線６０のスピン拡散長よりも短い。 - 特許庁

The reinforcing layer 104 is formed in a thickness longer than a thermal diffusion length of the inverter material.例文帳に追加

補強層１０４は、インバー材の熱拡散長よりも長い厚さに形成されている。 - 特許庁

Thus, the length of the connecting tube 5 is set in the predetermined length longer than a diffusion distance of a substance from the getter agent 3.例文帳に追加

これにより、連絡チューブ５の長さは、ゲッター剤３からの物質の拡散距離よりも長い所定の長さとされている。 - 特許庁

Since the channel length of the transistor depends on the length of the P type channel diffusion layer 15 under the gate electrode 13, that is, the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 and the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 has excellent controllability, the manufacturing method can stably manufacture the MOS transistor according to the fine rule technique.例文帳に追加

トランジスタのチャネル長は、ゲート電極１３下のＰ型チャネル拡散層１５の長さ、すなわちＰ型チャネル拡散層１５の拡散深さにより決定され、Ｐ型チャネル拡散層１５の拡散深さは制御性がよいので、微細ルールのＭＯＳトランジスタを安定的に作ることができる。 - 特許庁

Each of a plurality of masking members 14B to 14E has a size equal to a first length, and the first length is less than 2 times the diffusion length of a dopant.例文帳に追加

複数のマスキング部材１４Ｂ〜１４Ｅの各々が、第１の距離に等しい寸法を有しており、前記第１の距離は、ドーパントの拡散距離の２倍に満たない。 - 特許庁

Optical path length from the diffusion optical system 443 to the optical sensor 445 is calculated by subtracting the optical path length from the beam splitter 442 to the optical sensor 444 from the optical path length from the beam splitter 442 to the diffusion optical system 443.例文帳に追加

ただし、拡散光学系４４３から光センサ４４５までの光路長は、ビームスプリッタ４４２から光センサ４４４までの光路長をビームスプリッタ４４２から拡散光学系４４３までの光路長から減じた長さである。 - 特許庁

Disclosed is a method for measuring the minority carrier diffusion length in the silicon wafer by a surface photovoltage method.例文帳に追加

表面光電圧法によりシリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を測定する方法。 - 特許庁

A transistor model registration part registers the transistor model on the basis of the diffusion layer length-dependent parameter.例文帳に追加

トランジスタモデル登録部は、拡散層長依存パラメータに基づいてトランジスタモデルを登録する。 - 特許庁

Then, as the length L of the STI region 5 is longer, the length d of the p^+ diffusion region 17 formed between the regions is made longer.例文帳に追加

そして、ＳＴＩ領域５の長さＬが長いほど、この領域間に形成されているＰ^＋拡散領域１７の長さｄを長くする。 - 特許庁

The P+ diffusion layer 5a and N+ diffusion layer 6a are formed curving overall in the one length-directional side of the solar cell 1a.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層５ａおよびＮ＋拡散層６ａは、太陽電池セル１ａの長手方向の一方側に全体に屈曲して形成されている。 - 特許庁

To provide a method which further enhances an activation rate without increasing an impurity diffusion length.例文帳に追加

不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる方法の提供。 - 特許庁

To provide improved run length encoding efficiency by executing error diffusion half-toning to a document.例文帳に追加

文書に対して誤差拡散ハーフトーニングを実行することにより、向上したランレングス符号化効率をもたらすこと。 - 特許庁

Then the thickness L1 of a group of the p^+-type collector regions 22 is thinner than the electron diffusion length.例文帳に追加

そして、ｐ^＋型コレクタ領域２２群の厚みＬ１が、電子の拡散長よりも薄いことを特徴としている。 - 特許庁

Autocorrelation function of fluorescence fluctuations generated from the sample is calculated for various beam diameters of incident laser light, that is, various radii of laser irradiated areas (diffusion lengths), and based on it, a diffusion coefficient for each diffusion length is determined.例文帳に追加

種々の入射レーザ光のビーム径、すなわち種々のレーザ照射領域半径（拡散距離）において、試料から発生される蛍光揺らぎの自己相関関数を演算し、それから各拡散距離における拡散係数を求める。 - 特許庁

To provide a simple and precise method for measuring the diffusion length of a minority carriers.例文帳に追加

本発明は、簡便で精度の高い少数キャリアの拡散長を測定する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To realize the defect inactivating method of a polycrystalline silicon substrate having a high diffusion length improving effect in hydrogen irradiation.例文帳に追加

水素照射における拡散長改善効果の高い、多結晶シリコン基板の欠陥不活性化方法を実現する。 - 特許庁

Bar graphs 360J, K have a constant breadth ((1/128)W) regardless of diffusion code length, whereas display regions 360E, F have widths ((1/32)W, (1/4)W) corresponding to diffusion code lengths.例文帳に追加

表示領域３６０Ｅ、Ｆが拡散符号長に対応する幅（（1／32）W、（1／4）W）を有する一方で、棒グラフ３６０Ｊ、Ｋは拡散符号長にかかわらず一定の幅（（1／128）W）を有する。 - 特許庁

To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation.例文帳に追加

最小寸法（ＣＤ）の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。 - 特許庁

To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer.例文帳に追加

それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the silicon single crystal 9 vibrates during growth, an interstitial silicon concentration is increased, and the diffusion of the interstitial silicon having a long diffusion length is accelerated even when the pulling speed is increased.例文帳に追加

すると、引き上げ速度を上げても、シリコン単結晶９が、その育成中に振動して格子間シリコン濃度を増し、拡散長の長い格子間シリコンの拡散が促進される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a second drain region 3 is formed with a low concentration having a deep diffusion length to a first drain region 5 and, at the same time, a punch through preventing area 2 of a low concentration having a diffusion length shallower than that of the second drain region 3 is provided in a channel forming region.例文帳に追加

第２ドレイン領域３を第１ドレイン領域５に対して深い拡散長の低濃度で形成するとともに、チャネル形成領域にドレイン領域３より浅い拡散長の低濃度のパンチスルー防止領域２を設けた。 - 特許庁

A correction value calculation processing part calculates the diffusion layer length-dependent parameter of each of the plurality of rectangular areas.例文帳に追加

補正値計算処理部は、サイズ情報に基づいて、複数の矩形領域の各々の拡散層長依存パラメータを計算する。 - 特許庁

Thus, the P+ type diffusion layer 35 of a short gate length is easily formed as the gate, and the gate length is easily controlled to a value shorter than the limit in lithography.例文帳に追加

このため、ゲート長の短いＰ^+型拡散層３５をゲートとして容易に形成することができ、リソグラフィの限界よりも短い値にゲート長を容易に制御することもできる。 - 特許庁

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

METHOD FOR EXTRACTING EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MIS TRANSISTOR, METHOD FOR EXTRACTING RESISTANCE OF DIFFUSION LAYER THEREOF, AND METHOD FOR EVALUATING FABRICATION PROCESS THEREOF例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタの実効的チャネル長抽出方法、その拡散層抵抗抽出方法、及びその製造プロセス評価方法 - 特許庁

In other words, through holes and contacts of mutually different width and length are respectively disposed, so that resistance values associated with respective diffusion are equalized.例文帳に追加

即ち、幅や長さが相互に異なるスルーホールやコンタクトをそれぞれ配置することにより、各拡散に付随する抵抗値を同じにする。 - 特許庁

To improve the gettering capability of an epitaxial silicon wafer and to provide an epitaxial silicon wafer in which shortening of the carrier diffusion length is suppressed.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハのゲッタリング能力を向上させ、ウエーハ中のキャリアの拡散長の低下が抑制されたエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

Source diffusion is made deeper than the implant damaged depth so that a short channel having a length of about 0.7 microns may be formed along the undamaged silicon.例文帳に追加

約０．７ミクロンの短いチャネルが未損傷のシリコンに沿うように、ソース拡散部が注入損傷深さよりも深く作られる。 - 特許庁

In each light diffusion member 40, the length of a first end face 42 near to a light emission means 34 is formed short, and the length of a second end face 44 far from the light emission member 34 is made long.例文帳に追加

各光拡散部材４０において、発光手段３４に近い側の第一端面４２の長さを短くし、発光手段３４から遠い側の第二端面４４の長さを長くする。 - 特許庁

The active layer 2 may be arranged having the film thickness nearly equal to the carrier diffusion length, or divided and arranged in the center of the optical guide layer.例文帳に追加

活性層２はキャリア拡散長程度の膜厚のまま光ガイド層の中央に配置するか、活性層を分割して配置してもよい。 - 特許庁

Upon an application of a gate voltage, a channel is formed between the source-drain diffusion layers along a surface of the gate electrode, and the channel length is prolonged.例文帳に追加

ゲート電圧の印加に際して、ゲート電極の表面に沿ってソース・ドレイン拡散層の間にチャネルが形成され、チャネル長が長くなる。 - 特許庁

As a result, the horizontal diffusion length of impurities in the source region S and the drain region D can be controlled to 0.25 μm or smaller.例文帳に追加

これにより、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄにおける不純物の水平拡散長を０．２５μｍ以下に抑制することができる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which prevents the shortening of semiconductor pattern length by the diffusion of metal ion.例文帳に追加

本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a non-destructive indirect measuring apparatus and method for flexural rigidity of a gas diffusion layer for a fuel cell with which the flexural rigidity can be indirectly estimated by measuring the whole slack length of a gas diffusion layer sheet with neither damaging nor destructing the gas diffusion layer sheet.例文帳に追加

気体拡散層シートの損傷や破壊なく気体拡散層シート全体のたるみ長さを測定することにより、間接的に曲げ剛性を評価できるようにした燃料電池用気体拡散層の曲げ剛性の非破壊間接測定装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The light guide body 30 is, furthermore, has a diffusion face which is the other face of the light guide body 30 extending in the length direction (for example, an upper face) and in which a diffusion pattern for diffusing the incident light from the incident face is formed, and the diffusion face is covered with a reflecting body of a plate shape.例文帳に追加

導光体３０は、さらに、導光体３０の長手方向に延在する他の面（例えば、上面）であり入射面から入射した光を拡散させる拡散パターンが形成されている拡散面を有し、この拡散面は板状の反射体で覆われている。 - 特許庁

The pattern length of a gate line GL formed in the upper layer of a diffusion layer RS of a wafer SI is grasped, and sub-field division is carried out by arranging connecting parts DP1 and DP3 in an NRS outside the region of the diffusion layer RS so that the number of sub-field connecting parts DP2 on the diffusion layer RS can be minimized.例文帳に追加

ウエーハＳＩの拡散層ＲＳの上層に形成されるゲートラインＧＬのパターン長さを把握し、例えば拡散層の領域外ＮＲＳに接続部ＤＰ１，ＤＰ３を配置し、拡散層ＲＳ上での接続数ＤＰ２を最小となるように配置したサブフィールド分割とする。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device has a pair of diffusion regions (for example, N-type diffusion regions 5) which are formed in the element formation region 1 so as to be apart from each other in a channel-length direction D on the basis of the gate electrode 4.例文帳に追加

更に、ゲート電極４を基準としてチャネル長方向Ｄに相互に離間するように素子形成領域１に形成された一対の拡散領域（例えば、Ｎ型拡散領域５）を有する。 - 特許庁

A side passage changing over a flow channel length is provided in a circulating flow channel to suppress the diffusion of a sample while preventing the approach of a peak at the time of recycle operation.例文帳に追加

また、循環流路には、流路長を切換える側路を備えて、リサイクル運転時のピークの接近を防ぎつつ、試料の拡散も抑える。 - 特許庁

The diffusion bars 52 of cylindrical resin with a thickness a little larger than and a length almost equal with a diameter of the lamps 11 are placed almost in the middle of the lamps 11.例文帳に追加

拡散棒５２は、ランプ１１の径より若干太く、ほぼ同じ長さの円筒形の樹脂であり、ランプ１１間のほぼ真ん中に配置されている。 - 特許庁

A system parameter including a channel bandwidth, an FFT size, a cycle prefix length, and a subcarrier interval is determined based on a long-time delay channel diffusion effect.例文帳に追加

チャンネル帯域幅、ＦＦＴサイズ、サイクルプレフィックス長さ、副搬送波間隔などを含むシステムパラメータは長時間遅延チャンネル拡散効果に基づき決定される。 - 特許庁

Since the length of optical path of light, transmitting through this recessed portion is short, the light emitted from a luminous layer 13c becomes small in the refraction and diffusion in its horizontal direction.例文帳に追加

この凹部を透過する光の光路長は短いので、発光層１３ｃで発した光は、その水平方向への屈折、拡散が小さくなる。 - 特許庁

The first and second diffusion layers 12 and 13 have different conductive types and formed so as to contact the tunnel region 15 over the same length.例文帳に追加

第１拡散層１２と第２拡散層１３は、反対の導電型を有し、同じ長さにわたってトンネル領域１５に接するように形成されている。 - 特許庁

Gate length of the respective dummy gate electrodes GAp, GAn is prolonged toward the inside of the standard cell S, exceeding end portions of diffusion areas ODp, ODn.例文帳に追加

この各ダミーゲート電極ＧＡｐ、ＧＡｎのゲート長は、拡散領域ＯＤｐ、ＯＤｎの端部を越えて、スタンダードセルＳの内方に向かって長く延ばされる。 - 特許庁