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edge dislocationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 28



例文

To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal.例文帳に追加

III族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるIII族窒化物結晶の評価方法を提供する。 - 特許庁

To easily provide a nitride-base semiconductor device having excellent device characteristics by forming, at good yield, nitride-base semiconductor layers in which all dislocation densities of edge-shaped dislocation, helical dislocation and mixed dislocation are decreased.例文帳に追加

刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された窒化物系半導体層を歩留まり良く形成することによって、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を容易に提供する。 - 特許庁

To improve characteristics in a semiconductor device by reducing edge dislocation in the GaN layer of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のGaN層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善すること。 - 特許庁

Image data on a specimen having the straight line edge are acquired; an edge position of the specimen corresponding to a picture element in the direction along an edge image S_1 is estimated: and dislocation quantity of the straight line edge is determined on the basis of this edge position, for resolving the problem.例文帳に追加

直線エッジを有する試験片の画像データを取得し、エッジ画像S_1 に沿う方向の画素に対応した試験片のエッジ位置を推定し、このエッジ位置に基づいて直線エッジのずれ量を求めることにより、上記課題を達成する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device suppressing the occurrence of a dislocation and the rise of a diffusion resistance in an edge of source/drain regions of CMIS.例文帳に追加

CMISのソース・ドレイン領域端部における転位の発生および拡散抵抗の上昇を防止する。 - 特許庁


例文

To provide a silicon carbide single crystal with a large diameter and high quality, including little micropipe defects, screw dislocation and edge dislocation, a silicon carbide substrate and a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥,螺旋転位,及び刃状転位をほとんど含まず,大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

PACKAGED BODY, METHOD OF PACKAGING PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD OF PREVENTING EDGE FUSION OF PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD OF PREVENTING WINDING DISLOCATION OF PHOTOSENSITIVE ELEMENT例文帳に追加

梱包物、感光性エレメントの梱包法、感光性エレメントのエッジフュージョン防止法及び感光性エレメントの巻きずれ防止法 - 特許庁

By the semiconductor substrate, the semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device, edge dislocation in the GaN layer is reduced, thus improving characteristics in the semiconductor device.例文帳に追加

本発明によれば、GaN層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善することができる。 - 特許庁

It is geometrically impossible for a dislocation which is threading the foil from top to bottom to escape from the foil except at an edge. 例文帳に追加

薄片の頂上から底まで通り抜けている転位が薄片から逃げることは、(試料の)端を除いては幾何学的に不可能である。 - 科学技術論文動詞集

例文

The interval between the flange part 7 and dislocation preventing fastening edge 8 is of approximately the same size as the sum of the wall thickness of the upper frame and the thickness of furring strips to be arranged on the upper frame, and the tip of the dislocation preventing edge 8 is protruded to the outer circumference more than the fastening protrusions 11.例文帳に追加

鍔部7と抜け止め係止縁8との間の間隔を上記上枠の肉厚と上枠の上に配置する胴縁の肉厚との和の厚さと略同じ寸法にすると共に抜け止め係止縁8の先端を係当突条11により外周に突出させる。 - 特許庁

例文

The compound semiconductor wafer consists of a compound semiconductor and contains impurities to reduce dislocation density with higher concentration in an outer edge portion 2 than in the interior region 3.例文帳に追加

化合物半導体からなり、転位密度を低減する不純物を内側領域3よりも外縁部2に高濃度で含有している。 - 特許庁

To make intake air smoothly flow inside a synthetic resin-made intake manifold by smoothly absorbing a dislocation to be generated between an abutment surface inside edge of a downstream side part and an abutment surface inside edge of an upstream side part when welding.例文帳に追加

溶着時に下流側部分の合わせ面内側縁と上流側部分の合わせ面内側縁との間に生じるズレを円滑に吸収し、合成樹脂製吸気マニホールド内で吸気を円滑に流通させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide wafer which prevents complication of a manufacture process, does not restrict a silicon carbide substrate, and is capable of more surely converting a basal plane dislocation to a threading edge dislocation, and also to provide a silicon carbide semiconductor device using the silicon carbide wafer.例文帳に追加

製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。 - 特許庁

To prevent the dislocation of a frame body provided on the outer peripheral part of the upper face of an insulation board and connect a bonding wire at the prescribed position of a wiring conductor by easily confirming the direction and amount of the dislocation of the wiring conductor and the inner peripheral edge of the frame body.例文帳に追加

配線導体と枠体の内周縁との位置ずれの方向と量を容易に確認できるようにすることで、絶縁基板上面の外周部に設けられた枠体の位置ずれを防ぎ、配線導体の所定の位置にボンディングワイヤを接続できるようにすること。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal of high quality which is free from the occurrence of micropipes, almost free from dislocation densities such as screw dislocations and edge dislocations, and free from mixing of different orientation crystals.例文帳に追加

マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体2、積層欠陥3、及び刃状転位4が含まれ、らせん転位の集合体2が積層欠陥3若しくは刃状転位4によって、らせん転位の軸(転位線を伸長する)方向に分断された炭化珪素単結晶1とする。 - 特許庁

To suppress extension of dislocation generated in activation thermal treatment at a high concentration impurity region by lowering stress generated around pattern edge without performing activation thermal treatment at high temperature for long hours.例文帳に追加

高温で長時間の活性化熱処理を行うことなく、パターンエッジ部周辺に発生する応力を軽減することにより高濃度不純物領域の活性化熱処理で発生する転位の拡張を抑制する。 - 特許庁

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁

To provide a connection structure of a card edge connector in which contacting between adjoining connector terminals does not occur and conductive failure between the connector terminal and an electrode does not occur, even if there exists bending of the connector terminal and dislocation in arrangement of the connector terminal.例文帳に追加

コネクタ端子の曲がりやコネクタ端子の配置位置のずれが存在する場合であっても、隣接するコネクタ端子同士の接触と、コネクタ端子および電極の導通不良とが生じないカードエッジコネクタの接続構造を実現する。 - 特許庁

A distance by which crystal dislocation of an outer edge portion of the active layer 105 generated in selective oxidation processing for forming the oxide-confinement layer 107 is propagated to a center part of the active layer is made long to improve the long-period reliability of the surface emitting laser element.例文帳に追加

酸化狭窄層107を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層105の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する - 特許庁

The end sticking part 22B is bent inside the weatherstrip mounting groove 19 to put the edge 52 of the decorative tape 50 in the covered state, thereby preventing the deterioration of appearance caused by the dislocation of the stuck position of the decorative tape 50.例文帳に追加

この端末貼着部22Bがウェザストリップ取付溝19の内側へ折り曲げられていることにより装飾用テープ50の端縁52が覆い隠された状態となっているため、装飾用テープ50の貼り位置のずれによる見栄えの悪化を防ぐことができる。 - 特許庁

This reinforcement joining tool 1 is composed of two end parts 5 and 5 respectively joined to the joining end parts of the two reinforcements 3 and 3 projecting from a joining edge part of PC floorboards 2 and 2 via sleeves 4 and 4, and a positional dislocation absorbing part 6 extended between the end parts.例文帳に追加

本発明に係る鉄筋の接合具1は、スリーブ4,4を介して、PC床板2,2の接合縁部から突出する2本の鉄筋3,3の接合端部にそれぞれ接合される2つの端部5,5と、該端部の間に延設された位置ずれ吸収部6とから構成してある。 - 特許庁

When the male connector M is inserted through the hole 4 and held provisionally, positional dislocation within the hole 4 is prevented, and a rubber ring 15 mounted on the tail of the male housing 10 can be abutted normally to the whole circumference of the opening edge at the rear surface of the hole 4.例文帳に追加

そのため、雄コネクタMが取付孔4に挿通されて仮保持された場合に、取付孔4内で位置ずれすることが防止され、雄ハウジング10の後端部に装着されたゴムリング15を取付孔4の裏面の口縁の全周に正規に当接させることができる。 - 特許庁

At least one facing ring spacer 26 has noncircular inner edge 26C, 26D so as to allow the shaft-direction dislocation along the shaft 22, and is designed so as to fix the facing ring spacer and the shaft under the rotation, and arranged at the periphery of the bearing by contacting with at least one cam.例文帳に追加

少なくとも一つの座金スペーサ(26)は、内縁が非円形(26C,26D)であって軸(22)に沿う軸方向変位でき且つ且つ回転中に前記座金スペーサと軸を固定するように設計されていて、少なくとも一つのカムと接触してこの軸受の周りに配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which hardly has crystal defects and crystal dislocation and includes a hexagonal-crystal BN film with very little mixture of cubic-crystal BN and which emits light with high efficiency near room temperature since light emission by transition to a deeper level is suppressed and band-edge emission becomes predominant.例文帳に追加

深い凖位への遷移による発光が抑制されてバンド端発光が支配的となり、室温付近でも高効率発光する、結晶欠陥、結晶転位が生じ難く、かつ立方晶BNの混在が極めて少ない六方晶BN膜を有する半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁

When a stem axis of a thigh component is 32, a neck axis is 22 and a straight line parallel to 32 is 38, the development of knee dislocation is inhibited when an access of the neck to a peripheral edge of a knee liner is reduced in the thigh rotation by making an angle β between 22 and 38 close to 180 degrees.例文帳に追加

大腿コンポーネントのステム軸32、ネック軸22、32に平行な直線を38とすると、22と38とのなす角度βを180度に近い値とすることで、大腿回旋時におけるネックと臼蓋ライナー辺縁との接近を減少させ、脱臼の発生を抑える。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層(ドリフト層)と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層(転位変換層)を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

例文

A horizontal directional position of the curved glass pane 11 is positioned, and after preventing horizontal dislocation of the glass pane 11 by sucking at least one place of a central part vicinal position of the positioned glass pane 11 by an inside sucking pad 23, the glass pane 11 is held by sucking a plurality of places in the vicinity of a peripheral edge part of the glass pane 11 by an outside sucking pad 24.例文帳に追加

湾曲したガラス板11の水平方向位置を位置決めし、位置決めしたガラス板11の中心部近傍位置の少なくとも1個所を内側吸着パッド23により吸着してガラス板11の横ずれを防止した後、ガラス板11の周縁部近傍の複数個所を外側吸着パッド24により吸着してガラス板11を保持する。 - 特許庁




  
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