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forming regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4912件

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例文

A semiconductor wafer reinforcing region 3 whose elastic modulus is larger than a semiconductor structure forming region 5 is formed at vicinity of an outer periphery of the semiconductor structure forming region 5 where semiconductor structures 6 of the semiconductor wafer 1 are formed.例文帳に追加

半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。 - 特許庁

A plane layer 2 in an adjacent region (B) under a forming region of a wiring pattern (T) 6 for measurement is so patterned that the percentage of residual copper matches that of the plane layer 2 in an adjacent region (A) under a forming region of a signal wiring pattern (S) 1 of a measuring object.例文帳に追加

測定用配線パターン（Ｔ）６の形成領域下の近傍領域（Ｂ）におけるプレーン層２は、その残銅率が、測定対象の信号配線パターン（Ｓ）１の形成領域下の近傍領域（Ａ）におけるプレーン層２の残銅率と合うようにパターニングされている。 - 特許庁

Since a region of the diode element 50 for forming the heavily doped N type region 52 is defined only by the aperture of a resist mask being bored at the time of forming the heavily doped source-drain region of the TFTs 30 and 90, the intrinsic region 51 can be formed with high accuracy.例文帳に追加

その際、ＴＦＴ３０、９０の高濃度ソース・ドレイン領域を形成する際に形成するレジストマスクの開口部のみでダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２の形成領域を規定するので、真性領域５１を高い精度で形成することができる。 - 特許庁

Consequently, a punch through stopper region 4 is formed in a region for forming a submicron CMOS transistor while preventing formation of the punch through stopper region in a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

それによって、サブミクロンＣＭＯＳトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域４を形成するとともに、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。 - 特許庁

例文

Dot patterns are set so that the amounts of paste are different from each other between the region on the back side of an image forming region and the region on the back side of an image non-forming region and a paste discharge head is controlled so that the set dot patterns are formed in the adhesive surface of the paper.例文帳に追加

画像が形成される領域の裏側の領域と画像が形成されない領域の裏側の領域とにおける糊の量が異なるようドットパターンを設定し、設定したドットパターンが用紙の接着面に形成されるよう糊吐出ヘッドを制御する。 - 特許庁

例文

The semiconductor body (40) further includes an IGBT-cell (110) with a body region (2) forming a first pn-junction (9) with the base region (1), and a diode-cell (120) with an anode region (2a) forming a second pn-junction (9a) with the base region (1).例文帳に追加

半導体ボディ（４０）はさらに、ベース領域（１）との間で第１のｐｎ接合（９）を形成しているボディ領域（２）を有するＩＧＢＴセル（１１０）と、ベース領域（１）との間で第２のｐｎ接合（９ａ）を形成しているアノード領域（２ａ）を有するダイオードセル（１２０）と、を含む。 - 特許庁

Then, in a region of the first region A, wherefrom a mask pattern 16 for forming an activated region is excluded, there is modified and designed the layout of a first quasi mask pattern 40a for forming a first quasi-activated region having a width which is not smaller than the predetermined width in a semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、この第１領域Ａのうち活性化領域形成用マスクパターン１６外の領域に、半導体下地に所定幅以上の幅を有する第１の疑似の活性化領域を形成するための第１疑似マスクパターン４０ａのレイアウトを修正設計する。 - 特許庁

The step of forming the resist layers 100 includes a step of forming a width b1 of the resist layer 100 formed in a region α as an end part of the light emission part forming region 11 in the X direction to be smaller than a width b2 of the resist layer 100 formed in a region β except for the end part.例文帳に追加

そして、レジスト層１００を形成する工程は、発光部形成領域１１のＸ方向の端部となる領域αに形成されるレジスト層１００の幅ｂ１を、端部以外の領域βに形成するレジスト層１００の幅ｂ２よりも小さく形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a carbon nanotube and a method of manufacturing the same by which a carbon nanotube forming region and a non-forming region are formed on the same substrate without patterning a non-catalytic metal or the like on the substrate and the ratio of the carbon nanotube forming region occupying in the total area of the substrate is controlled.例文帳に追加

非触媒金属等を基板上にパターニングせずに、同一基板上にカーボンナノチューブ生成領域と非生成領域とを形成でき、基板の総面積に占めるカーボンナノチューブ生成領域の割合を調整することができるカーボンナノチューブ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The C-shaped knitted region 2 at one side is formed by forming an empty needle at a right edge with a position of stitch needle which engages with a stitch row being shifted to a left side while repetitively forming stitches at the empty needle for the attachment of the region 2 with the cylindrical knitted region 3 in the process of forming a stitch row of the subsequent course.例文帳に追加

一方側Ｃ字編成領域２は、編目列を係止する編針の位置を左側に寄せて右端に空針を設けながら、次のコースの編目列の編成で空針に筒状編成領域３との接合用の編目を形成することを繰返して編成する。 - 特許庁

例文

When forming the cylindrical body 10, forming starts from the region corresponding to the first inclined part 26 which is close to the end side of the unclamped (it is the free end) and, next, forming of the region corresponding to the second inclined part 36 and the region corresponding to the working part 40 is performed in random order.例文帳に追加

円筒体１０を成形する際、クランプされていない（自由端である）端部側に近接する第１傾斜部２６に対応する部位から成形を開始し、次に、第２傾斜部３６に対応する部位、加工部４０に対応する部位に対する成形を順不同で行う。 - 特許庁

A lower electrode layer 2A other than a ferroelectric capacitor forming region X is formed thinner than the ferroelectric capacitor forming region X so that a ferroelectric layer 2B is formed only on the ferroelectric capacitor forming region X of the lower electrode layer 2A.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ形成領域Ｘ以外の下部電極層２Ａを、強誘電体キャパシタ形成領域Ｘの膜厚よりも薄く形成することで、下部電極層２Ａの強誘電体キャパシタ形成領域Ｘ上のみに強誘電体層２Ｂを形成する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor element is provided with a GaN layer 3 formed on a prescribed region on a sapphire substrate 1 and provided with a prescribed thickness, the element-forming region 6 where an element is formed, and an element non-forming region 7, formed in a region other than the element-forming region 6 on the sapphire substrate 1 where the GaN layer 3 is not formed or is formed thin.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、サファイア基板１上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するＧａＮ層３を含むとともに、素子が形成される素子形成領域６と、サファイア基板１上の素子形成領域６以外の領域に形成され、ＧａＮ層３が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域７とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film forming method capable of simply forming a film in a region except a non-film forming region, where the film is not formed on the surface of a workpiece, without finely controlling the applying quantity of a film forming material to be supplied to the surface of the workpiece.例文帳に追加

ワークの表面に供給する成膜材料の塗布量を細かく制御する必要がなく、ワークの表面の膜を形成しない非膜形成領域以外の領域に簡単に膜を形成することができる膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Next, a first metal layer 112 is formed in an N-channel MOSFET forming region 106 and the P-channel MOSFET forming region 107 and the first metal layer 112 and the first mask 111 are removed from the P-channel MOSFET forming region 107, thereby exposing the gate insulating film 110B formed in the P-channel MOSFET forming region 107.例文帳に追加

次に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０６およびＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に第一金属層１１２を形成し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７から第一金属層１１２および第一マスク１１１を除去することにより、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ形成領域１０７に形成されたゲート絶縁膜１１０Ｂを露出させる。 - 特許庁

To provide a method of patterning a non-volatile memory gate capable of forming a gate-stack of NVM on a semiconductor substrate having the NVM region and a non-NVM region arranged so as not to overlap with the NVM region.例文帳に追加

不揮発性メモリ（ＮＶＭ）領域及び前記ＮＶＭ領域と重ならないよう非ＮＶＭ領域を有する半導体基板の上にＮＶＭのゲートスタックを形成する。 - 特許庁

Between the negative pressure-forming space region 75, and the front side adjoining space region 76 and back side adjoining space region 77 in the chamber 74, clearances 73 for communicating the space regions are disposed.例文帳に追加

チャンバ７４における負圧形成空間域７５と、前側隣接空間域７６及び後側隣接空間域７７との間にはこれらを連通するクリアランス７３が設けられている。 - 特許庁

An n-type converted region the conduction type of which is converted to an n-type is formed in a region in the vicinity of the groove of the p type depletion region enlargement layer, thus forming a carrier path.例文帳に追加

前記ｐ型空乏領域拡大層の溝近傍領域には、導電型をｎ型に転換したｎ型転換領域が形成され、キャリアの経路を構成している。 - 特許庁

To provide a sheet having a retro-reflection region formed thereon in which a region having high notability can be inexpensively and efficiently formed, and to provide a method for forming the retro-reflection region.例文帳に追加

低コストで効率よく注目性が高い領域を形成することができる再帰反射領域が形成されたシート及び再帰反射領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the region where this protrusion is arranged, the drain impurity region is arranged out of alignment from the center of the memory cell forming region so that the interval of the drain impurity regions becomes large.例文帳に追加

この突出部が配置される領域においてドレイン不純物領域の間隔は、大きくなるようにドレイン不純物領域がメモリセル形成領域中心部よりずれて配置される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flush memory element which can improve a barrier characteristic between a substrate and a well region by forming a diffusion preventive region in the well region.例文帳に追加

ウェル領域間に拡散防止領域を形成することにより、基板とウェル領域間の障壁特性を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a CMOS forming region A2, an NMOS transistor Q11 is formed on a P well region 102 and a PMOS transistor Q12 is formed on an N well region 103.例文帳に追加

ＣＭＯＳ形成領域Ａ２において、Ｐウェル領域１０２上にＮＭＯＳトランジスタＱ１１が形成され、Ｎウェル領域１０３上にＰＭＯＳトランジスタＱ１２が形成される。 - 特許庁

A second region B1 which is upstream of the first region A1 including the region forming the nip section is heated by the infrared radiation from the radiation surface 31a of the graphite heater 31.例文帳に追加

ニップ部を形成する領域を含む第１領域Ａ１よりも上流にある第２領域Ｂ１が、グラファイトヒータ３１の放射面３１ａからの赤外線放射によって加熱される。 - 特許庁

To threaten and repel an animal intending to cross a boundary region, by forming the boundary region between a living region of the animal, including a monkey, and rice and vegetable fields.例文帳に追加

この発明は、サルその他の動物の居住領域と田畑との間に境界領域を作り、境界領域を越えようとする動物を威嚇して撃退することを課題とするものである。 - 特許庁

In an image forming device 10, an image reading unit reads the tab paper, detects the tab region from the read tab paper, and transmits tab region information related to the tab region to a PC 20.例文帳に追加

画像形成装置１０において、画像読取部によりタブ紙を読み取り、読み取られたタブ紙からタブ領域を検出し、タブ領域に関するタブ領域情報をＰＣ２０に送信する。 - 特許庁

A device manufacturing method includes a step of forming a groove in a portion other than the device active region on the surface of the silicon wafer having the region designated for the device active region.例文帳に追加

シリコンウェーハのデバイス活性領域となる領域を有する表面のデバイス活性領域以外の部分に溝を形成してゲッタリング領域とする工程を含む、デバイスの製造方法。 - 特許庁

An original size detection section 515 references a region excluding the detected region stored in the region storage section 514 to detect the size of the original and inputs it to an image forming section 30.例文帳に追加

原稿サイズ検出部５１５は、領域記憶部５１４が記憶する領域を除外した領域を参照して原稿サイズを検出し、これを画像形成部３０に入力する。 - 特許庁

The method comprises forming a plurality of first trenches for forming the trench MOS devices in an active region, and a second trench for forming the termination structure.例文帳に追加

活性領域にトレンチ金属酸化膜半導体素子を形成するための複数の第１のトレンチ及び終端構造を形成するための第２のトレンチを形成する。 - 特許庁

A concave part 2 formed by a concave part region forming step is covered with the pad 3 formed by a pad forming step at a lower part of a bump 5 formed by a bump forming step.例文帳に追加

凹部形成工程が形成する凹部２を、バンプ形成工程により形成されたバンプ５の下に、パッド形成工程により形成されたパッド３により覆っている。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming periodically polarization-inverted structure for forming a polarization-inverted structure while suppressing the generation of a leak current and for uniformly forming shapes of polarization-inverted region and non-polarization-inverted region of a periodically polarization-inverted structure.例文帳に追加

リーク電流の発生を抑えて分極反転構造を形成することが可能であり、周期的分極反転構造の分極反転領域及び非分極反転領域の形状を均一に形成することが可能である。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a recognition mark which defines a region for forming a well in a semiconductor substrate; forming a mask patterned to open the well forming region by using the recognition mark; introducing impurities into the well forming region; performing heat treatment for forming a well by diffusing impurities; and forming an isolation region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にウェルを形成するためのウェル形成領域を規定する認識マークを形成する認識マーク形成工程と、認識マークを用いて、ウェル形成領域が開口されているようにパターン形成されたマスクを形成するマスク形成工程と、ウェル形成領域に不純物を導入する不純物導入工程と、不純物を拡散させてウェルを形成するための熱処理をする熱処理工程と、半導体基板に素子分離領域を形成する素子分離領域形成工程と、を有する。 - 特許庁

Further, the method includes a process of removing the side wall film and forming a base region and a source region in the semiconductor layer using the mask layer as a mask.例文帳に追加