例文 (2件) |
fluctuation concentration fieldの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
To provide a semiconductor device and its manufacturing method having trench separation without producing the withstanding voltage deterioration and characteristic fluctuation of a gate insulation film due to electric field concentration in an SOI board.例文帳に追加
SOI基板において電界集中によるゲート絶縁膜の耐圧劣化や特性変動の生じないトレンチ分離を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A high breakdown voltage semiconductor device of high reliability with small fluctuation of the pressure resisting feature can be provided by providing a floating resurf layer on a source side and an n-type electric field relaxation layer on a drain side and means for relaxing simultaneous electric field concentration in a source region and a drain region.例文帳に追加
ソース側にフローティングリサーフ層とドレイン側にn型の電界緩和層を設けソースおよびドレイン領域での電界集中を同時に緩和させる手段を設けることで、耐圧特性の変動が少ない高信頼の高耐圧半導体装置が提供できる。 - 特許庁
例文 (2件) |
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