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hK1を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
In particular, excessive oxygen in the high dielectric film hk1 is removed by the first heat treatment, and the first metal in the cap film Cp1 for pMIS is diffused in the high dielectric film hk1 by the second heat treatment.例文帳に追加
特に、第１熱処理では高誘電体膜ｈｋ１中の余剰酸素を除去し、第２熱処理では高誘電体膜ｈｋ１中にｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１中の第１金属を拡散させる。 - 特許庁
On the high dielectric layer HK1, an oxygen supply layer HK2, which is made of hafnium oxide deposited by an ALD method and is thinner than the high dielectric layer HK1, is formed, a cap layer CL made of tantalum nitride is formed, and then the main surface of the substrate SUB is heat-treated.例文帳に追加
次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。 - 特許庁
More specifically, a multilayer film of a silicon oxide film SO1 and an HfZrSiON film HK1 is used as the gate insulating film in the transistor Q1 for n-channel core.例文帳に追加
具体的に、ｎチャネル型コア用トランジスタＱ１では、ゲート絶縁膜に酸化シリコン膜ＳＯ１とＨｆＺｒＳｉＯＮ膜ＨＫ１の積層膜を使用している。 - 特許庁
The first and second MR elements 11A, 11B have a mutually rotative symmetrical relationship centering a center axis CL parallel to a direction of anisotropic magnetic fields Hk1, Hk2 of the free layer.例文帳に追加
第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂは、自由層の異方性磁界Ｈｋ１，Ｈｋ２の方向と平行な中心軸ＣＬを中心として互いに回転対称な関係にある。 - 特許庁
A normal density correspondence print head HK1 has a plurality of small-diameter nozzle arrays and a high-density compatible print head HK2 has a nozzle array with holes each having a large diameter arranged in a staggered fashion.例文帳に追加
通常濃度対応印刷ヘッドＨＫ１は、小口径の複数のノズルアレイを有し、高濃度対応印刷ヘッドＨＫ２は、千鳥配列の大口径のノズルアレイを有する。 - 特許庁
The printing in high-density of solid printing is carried out by using the high-density compatible print head HK2 and the printing in the range from medium density to low density is carried out by overprinting by the plurality of nozzle arrays of the normal density compatible print head HK1.例文帳に追加
高濃度対応印刷ヘッドＨＫ２によって、ベタ塗りの高濃度の印刷をし、通常濃度対応印刷ヘッドＨＫ１の複数のノズルアレイの重ね打ちによって中濃度から低濃度の印刷をする。 - 特許庁
A high dielectric film hk1 mainly composed of hafnium and oxygen, and a pMIS cap film Cp1 mainly composed of a first metal and oxygen and including more first metal than a stoichiometric composition are formed on a silicon substrate 1 in this order.例文帳に追加
シリコン基板１上に、順に、ハフニウムおよび酸素を主体とする高誘電体膜ｈｋ１と、第１金属および酸素を主体とし、化学量論的組成よりも多くの第１金属を含むｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１を形成する。 - 特許庁
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